SiGe BiCMOS與CMOS低噪聲放大器的設計.pdf

1、隨著現(xiàn)代通信技術的飛速發(fā)展和市場需求的不斷提高，對射頻接收機的性能提出了更高要求。對于接收機中的射頻電路模塊而言，低噪聲是一個非常重要的指標。低噪聲放大器作為接收機的第一級其性能直接影響整機性能。 本文分別介紹了3.1-3.6GHz SiGe BiCMOS低噪聲放大器以及48-86OMHz CMOS可變增益低噪聲放大器的設計。論文首先介紹了低噪聲放大器設計的基本射頻理論知識；然后介紹了低噪聲放大器基本的結構框架以及各種結構的優(yōu)點

2、；論文重點介紹了兩種低噪聲放大器的結構選擇、匹配方法、優(yōu)化設計以及電路仿真和版圖繪制。 SiGe BiCMOS低噪聲放大器采用兩級設計，前級采用BiFET結構，很好的將BJT和MOS管的優(yōu)點結合；后級采用簡單的共射極結構以滿足線性度的要求。此低噪聲放大器的設計直流功耗為60.4mW，工作頻段內(nèi)的輸入匹配S11<-15dB，輸出匹配S22<-10dB，增益S21達到20dB，輸出PldB>0dBm，噪聲系數(shù)<3dB。文章重點介紹了

3、此放大器的仿真原理圖的優(yōu)化過程、后期的測試以及后仿真與測試結果分析。 CMOS可變增益低噪聲放大器采用信號加成式可變增益結構<'[29]>，外加線性校正電路實現(xiàn)了良好的線性dB值增益控制。電路采用了寬帶的匹配方式，在48-860MHz工作頻率范圍內(nèi)達到良好的匹配性能。最后電路的設計功耗為45mW，增益為-1dB-17dB，各種增益條件下的S11<-13dB，S22<-22dB，輸入P1dB>-19.5dBm，噪聲系數(shù)<3.6dB