AlGaAs-GaAs HEMT電磁脈沖損傷機(jī)理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電磁脈沖是一種瞬變電磁現(xiàn)象，它具有電場強(qiáng)度高、上升時(shí)間短、攜帶能量大等特點(diǎn)，因而對電子系統(tǒng)和電子元器件構(gòu)成了嚴(yán)重的威脅。高電子遷移率晶體管(HEMT)作為新一代微波及毫米波器件，經(jīng)過十幾年的發(fā)展，已經(jīng)成為微波混頻器、振蕩器和寬帶行波放大器的核心部件，所以有必要從理論上研究HEMT器件在電磁脈沖作用下的損傷效應(yīng)與機(jī)理。
　　 本文利用器件仿真軟件ISE TCAD建立了AlGaAs/GaAs HEMT的仿真模型，在此基礎(chǔ)上分別研究了

2、器件在階躍脈沖信號和正弦信號作用下的損傷效應(yīng)。二維仿真結(jié)果的對比研究表明，在兩種不同的輸入電壓信號作用下，器件的熱損傷區(qū)域都是柵極和漏極之間的器件表層。在階躍脈沖信號作用下，通過數(shù)值計(jì)算得到了器件損傷能量閾值與燒毀時(shí)間的關(guān)系，同時(shí)還研究了不同外置電路對器件損傷效應(yīng)的影響。在正弦信號作用下，數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明器件在電壓的負(fù)半周期升溫更快也更容易燒毀。
　　 本文的研究工作為HEMT器件的損傷評估與加固提供了一定的理論基礎(chǔ)，也為相關(guān)方

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