cdznte核探測(cè)器材料的熱處理研究_第1頁
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文檔簡介

1、上海大學(xué)碩士學(xué)位論文CdZnTe核探測(cè)器材料的熱處理研究姓名：張斌申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：桑文斌20040301上海人學(xué)碩十學(xué)位論文ABSTRACTCdZnTeradiationdetectornotonlycanworkatroomtemperature，butalsohashighdetectefficiencyandgoodenergyresolutionforV—andx—raySoithasbeenus

2、edinmanyfieldssuchasnuclearsecurityenvironmentinspecting，medicinediagnosesandspherephysicsresearchHowever，CdZnTecrystalsofhighresistivityandqualityarehardtodirectlyobtainbyconventionallowpressureBridgmangrowthtechniqueTh

3、erefore，inordertoacquiregoodperformancedetectormaterial，itisnecessarytostudytheannealingofCdZnTematerialThemaincontentsandresultsobtainedinthispaperareasfollowsTheupperlimitvalueofannealingtemperaturewasdeterminedbyexplo

4、ringthehigh—temperaturephaseofCdTeEquilibriumpartialpressuresoverCdxZnxmeltwasestimatedbasedonthermodynamicrelationshipAs—grownnon—dopedCd09Zn0TesliceshavebeenannealedundercontrolledCd／ZnpartialpressuresprovidedbyCdt—xZn

5、xalloysourceinsteadofCdsourceTherelationshipbetweenthepropertiesofCd09Zn0Teslicesandtheannealingparameterssuchasannealingtemperature，holdingtime，Cd／ZnpartialpressuresandcoolingstylehasbeendiscussedTheresultsshowthatthere

6、sistivityofCd09ZnotTeslicescanreach697108f2cmandkindsofstructuraldefectsinslicescanbegreatlyreducedbyoptimizationannealingprocedureinCd／ZnvaporsParticularlyanovelprocessofIndiffusionintoas—grownnon—dopedCdo9ZnoiTeslicesw

7、asfirstlyproposedAndtheIn—diffusedannealingprogramwascarriedoutintwoways，theas—grownnondopedsliceswereannealedbyInasgas—dopingsourceunderCd／ZnequilibriumpartialpressuresandtheIn—depositedsliceswereannealedonlyinCd／Znvapo

8、rsTherelationshipbetweenelectricalproperties，IR，Teprecipitatesoftheslicesandthedifferentannealingparameters，suchasannealingtemperature，holdingtimeandPjnwasexploredTheresultsshowthattheresistivityandIRoftheslicescanberais

9、eduptO9110’Qcmand65％respectivelyafterproperIn—diffusedannealingunderCd／Znequilibriumpartialpressures，whichisclosetothereportedresultsobtainedbyIn—dopedcrystalgrowthmethod，andotherpropertiesoftheslicewereimprovedaswellThi

10、smethodhasnotbeenreportedhomeandabroadSOfarOurrecentattemptofannealingonas—grownIndopedCdo9Zn0iTeslicesonlyinTevaporhasbeenpresentedaswellTheeffectofannealingtemperature，holdingtime，Tepartialpressureontheelectricalproper

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