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1、變?nèi)荻O管使用于電視機的高頻頭中整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?,可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導通狀態(tài),相當于一只接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止狀態(tài),如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性,可以組成各種邏輯電路。變?nèi)荻O管使用于電視機的高頻頭中整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?,可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。開關元件二極管在正向電
2、壓作用下電阻很小,處于導通狀態(tài),相當于一只接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止狀態(tài),如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性,可以組成各種邏輯電路。檢波二極管在收音機中起檢波作用二極管正向?qū)ê?,它的正向壓降基本保持不變(硅管?.7V,鍺管為0.3V)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。繼流二極管在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。二極管的應用1、檢波用二極管就原理而言,從輸
3、入信號中取出調(diào)制信號是檢波,以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz,正向壓降小,結電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。2、整流用二極管就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作
4、為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型,工作頻率小于KHz,最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下:①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。3、限幅用二極管這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體(或低濃度雜質(zhì)的半導體)構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時,由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征”層
5、中的渡越時間效應,其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,“本征”區(qū)的阻抗很高;在直流正向偏置時,由于載流子注入“本征”區(qū),而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關(即微波開關)、移相、調(diào)制、限幅等電路中。12、雪崩二極管(AvalancheDiode)它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的
6、:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯后于電壓,出現(xiàn)延遲時間,若適當?shù)乜刂贫稍綍r間,那么,在電流和電壓關系上就會出現(xiàn)負阻效應,從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。13、江崎二極管(TunnelDiode)它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如
7、下三個條件:①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標“P”代表“峰”;而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用于高速開關電路中。14、快速關斷(階躍恢復)二極管(StepRecovaryD
8、iode)它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是:在PN結邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū),從而形成“自助電場”。由于PN結在正向偏壓下,以少數(shù)載流子導電,并在PN結四周具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經(jīng)歷一個“存貯時間”后才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路??焖訇P斷(階躍恢復)二極管用于脈沖和高次諧波電路中
9、。15、肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達10
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