深圳大學數(shù)字電路設計作業(yè)答案

1、作業(yè)第二章1、要形成一個最簡單的完整的集成電路工藝，至少需要多少層版圖。請列出來。有源區(qū)NWellPN多晶硅多晶硅接觸孔有源區(qū)接觸孔金屬12、設計規(guī)則所提供的是版圖設計的指南，它的基本要素是什么？最小線寬3、一個好的封裝必須滿足哪些要求。表2.3中的封裝那個最便宜。電氣要求:低寄生電容電阻電感等機械要求:可靠牢固熱要求:散熱性好經濟要求:便宜DIP封裝最便宜4、對硅片進行摻雜一般采用那兩種方法，分別如何進行？擴散，在擴散注入中圓片放在一

2、個石英管內，置入加熱爐中，向管內通入含有摻雜劑的氣體。爐子的高溫一般在9001100度，使摻雜劑同時垂直和水平地擴散入暴露的表面部分。最終摻雜劑的濃度在表面最大并隨進人材料的深度按高斯分布降低。離子注入在離子注入中摻雜劑以離子形式進入材料。離子注入系統(tǒng)引導純化了的離子束掃過半導體表面，離子的加速度決定了它們穿透材料的深度，而離子流的大小和注入時間決定了劑量。離子注入法可以獨立控制注人深度和劑量，這就是現(xiàn)代半導體制造業(yè)大部分已用離子注入取

3、代擴散的原因。作業(yè)第三章1、對如下圖所示的NMOS管和PMOS管，假設W=1um，L=0.25um。當工作電壓如下所示，判斷其工作狀態(tài)，并計算源漏電流ID。其中:NMOS：kn=115μAV2VT0=0.43Vλ=0.06V–1PMOS:kp=30μAV2VT0=–0.4Vλ=0.1V–1.a.NMOS:VGS=2.5VVDS=2.5V.PMOS:VGS=–0.5VVDS=–1.25V.b.NMOS:VGS=3.3VVDS=2.2V.P

4、MOS:VGS=–2.5VVDS=–1.8V.c.NMOS:VGS=0.6VVDS=0.1V.PMOS:VGS=–2.5VVDS=–0.7V.作業(yè)第四章1、假設某工藝，NMOS載流子遷移率是PMOS的2倍，且溝道寬度為W，長度為L的NMOS管，其等效電阻為R，源、漏、柵的電容均為C，稱其為單位尺寸NMOS，求單位尺寸的PMOS管的等效電阻和各個端電容。如果溝道寬度為NW，長度為L不變的晶體管，稱為N倍尺寸晶體管，求N倍尺寸PMOS管和N

5、MOS管的等效電阻和各個端的電容。答：單位尺寸的PMOS各端口電容為C，源漏等效電阻為2R。N倍尺寸的NMOS管，其等效電阻為RN源漏柵各端口電容均為NCN倍尺寸的PMOS管，其等效電阻為2RN源漏柵各端口電容均為NC2、求A到Y的延遲。采用Elme延遲模型。其中“1”表示此晶體管為上題中單位尺寸晶體管，對于NMOS即其等效電阻為R，各端口電容均為C?！?”表示為2倍尺寸晶體管。D=6RC3、上題中，如果在Y之前有一段導線，其電阻為R電