半導體復習參考試題

1、一、填空題1.自由電子的能量與波數的關系式為（0222)(mkhkE），孤立原子中的電子能量（大小為2220408nhqmEn的分立能級），晶體中的電子能量為（電子共有化運動）所形成的（準連續(xù)）的能帶。2.溫度一定時，對于一定的晶體，體積大的能帶中的能級間隔（小），對于同一塊晶體，當原子間距變大時，禁帶寬度（變?。?.玻爾茲曼分布適用于（非簡并）半導體，對于能量為E的一個量子態(tài)被電子占據的概率為（)exp()exp()(00TkETk

2、EEfFB），費米分布適用于（簡并）半導體，對于能量為E的一個量子態(tài)被電子占據的概率為（)exp(11)(0TkEEEfF），當EF滿足（TkEETkEEVFFC0022或）時，必須考慮該分布。4.半導體材料中的（能帶結構（直接復合））、（雜質和缺陷等復合中心（間接復合））、（樣品形狀和表面狀態(tài)（表面復合））等會影響非平衡載流子的壽命，壽命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一個重要指標。5.Si屬于（間接）帶隙半導體。導帶

3、極小值位于布里淵區(qū)的（方向）上由布里淵區(qū)中心點Г到邊界X點的（0.85倍）處，導帶極值附近的等能面是（長軸沿方向的旋轉橢球面），在簡約布里淵區(qū)，共有（6）個這樣的等能面。6.Ge屬于（間接）帶隙半導體。導帶極小值位于布里淵區(qū)的（方向）上由布里淵區(qū)邊界L點處，導帶極值附近的等能面是（長軸沿方向的旋轉橢球面），在簡約布里淵區(qū)，共有（4）個這樣的等能面。7.GaAs屬于（直接）帶隙半導體。導帶極小值位于布里淵區(qū)中心點Г處，極值附近的等能面是（

4、球面），在簡約布里淵區(qū)，共有（1）個這樣的等能面。在布里淵區(qū)的（方向）邊界L點處，存在高于能谷值0.29eV的次低能谷，簡約布里淵區(qū)一共有（8）個這樣的能谷。8.Si、Ge和GaAs能帶結構的共同點：1)禁帶寬度具有負溫度系數2)價帶頂位于布里淵區(qū)中心，k=0處，等能面不是球面，有輕重空穴之分。9.有效質量是（半導體內部勢場）作用的概括。由于晶體內部的各向異性，在k空間的三個主軸上，有效質量可以表示為（22211xxkEhm、22211

5、yykEhm、22211zzkEhm，一般4.最有效的復合中心能級位置在（D）附近；最有利陷阱作用的能級位置在（C）附近。A.EAB.EDC.EFD.Ei5.擴散系數反映了載流子在（A）作用下運動的難易程度，遷移率反映了載流子在（B）作用下運動的難易程度。A.濃度梯度B.電場C.光照D.磁場6.最小電導率出現在（B）型半導體。A.nB.pC.本征7.電子在晶體中的共有化運動是指（C）。A.電子在晶體中各處出現的幾率相同。B.電子在晶體原

6、胞中各點出現的幾率相同。C.電子在晶體各原胞對應點出現的幾率相同。D.電子在晶體各原胞對應點的相位相同。8.本征半導體是指（D）的半導體。A.電子濃度等于本征載流子濃度B.電阻率最高C.電子濃度等于空穴濃度D.不含雜質與缺陷9.IIVI族化合物中的M空位Vm是（C）。A.點陣中的金屬原子間隙B.一種在禁帶中引入施主的點缺陷C.點陣中的點陣中的金屬原子空位D.一種在禁帶中引入受主的位錯10.若某半導體導帶中電子出現幾率為零，則此半導體必定

7、（A）。A.處于絕對零度B.不含任何雜質C.不含任何缺陷D.不含施主11.Si中摻金的工藝主要用于制造（B）器件。A.高可靠性B.高頻C.大功率D.高電壓12.半導體的載流子擴散系數大小決定于其（D）。A.復合機構B.能帶結構C.晶體結構D.散射機構13.公式ncmqB和3230)2(2hTkmNnC中的nm對于（A）取值相同。A.GaAsB.GaPC.SiD.Ge14.若用N取代GaP中的一部分P，半導體的禁帶寬度（A）；若用As則禁