《半導體光電學》課后習題

1、《半導體光電學》課后習題《半導體光電學》課后習題第一章半導體中光子電子的相互作用思考與習題1、在半導體中有哪幾種與光有關的躍遷，利用這些光躍遷可制造出哪些類型的半導體光電子學期間。2、為什么半導體鍺、硅不能用作為半導體激光器的有源介質，面卻是常用的光探測器材料？3、用量子力學理論證明直接帶隙躍遷與間接帶隙躍遷半導體相比其躍遷幾率大。4、什么叫躍遷的K選擇定則？它對電子在能帶間的躍遷速率產生什么影響？5、影響光躍遷速率的因素有哪些？6、推

2、導伯納德杜拉福格條件，并說明其物理意義。7、比較求電子態(tài)密度與光子態(tài)密度的方法與步驟的異同點。8、在半導體中重摻雜對能帶結構、電子態(tài)密度、帶隙、躍遷幾率等帶來什么影響？9、什么叫俄歇復合？俄歇復合速率與哪些因素有關？為什么在等GaInAsPInP長波長激光器中，俄歇復合是影響其閥值電流密度、溫度穩(wěn)定性與可靠性的重要原因？10、比較嚴格k選擇定則與其受到松弛情況下增益電流特性的區(qū)別。11、帶尾的存在對半導體有源介質增益特性產生哪些影響？1

3、2、證明式（1.720）。13、說明圖1.75和圖1.76所依據的假設有何不同？并說明它們各自的局限性。第二章異質結思考與習題1、什么是半導體異質結？異質結在半導體光電子器件中有哪些作用？2、若異質結由n型（）和P型半導體（）結構，并有E?1，χ1，?1E?2，χ2，?2E?1，，，試畫出np能帶圖。χ2?1?24、反射相移與吉斯亨森位移在物理概念上有何聯(lián)系和差別？5、如何理解反射相移對波導模式的影響為什么在對稱平板介質波導中基模永不截

4、止.而在非對稱平板介質波導中存在基模截止條件。6、從理論上證明在雙異質結激先器中的光偏振方向平行于結平面。7、什么叫有效折射率方法？在分析光波導中有何作用？8、有哪些方法能在半導體激光器的側向形成光波導？9、為什么在討論TE或TM模式中均未考慮其z分量第四章異質結半導體激光器思考與習題1、為什么同質結激光器不能在室溫下連續(xù)工作？為什么其光場分布相對于結平面不對稱分布？2、條形半導體激光器有哪些優(yōu)點？為什么？3、在條形半導體激光器中側向電

5、流擴展和側向載流子擴散在物理概念上有何不同？如何減少這兩種影響？4、增益波導的物理本質是什么？與折射率波導相比，在限制光場擴展能力上有何差別？5、說明增益波導與折射率波導束腰位置在何差別？6、說明散射因于(K因子)的物理意義，證明增益波導與折射率波導的K因子在數值上的差別？7、制造可見光激光器所遇到的困難是什么？如何克服？8、分布反饋激光器與通常的法布里柏洛激光器在原理、結構和性能上有哪些差別？9.DFB激光器中λ4相移區(qū)有何作用？為什