大工19秋《高電壓技術(shù)》在線作業(yè)1-(100分）

1、-[大連理工大學(xué)]大工 19 秋《高電壓技術(shù)》在線作業(yè) 1 試卷總分:100 得分:100 第 1 題,每個(gè)碰撞陰極的正離子,使陰極金屬表面平均釋放出的自由電子數(shù)稱為()。 A、α系數(shù) B、β系數(shù) C、γ系數(shù) D、μ系數(shù) 正確答案:C第 2 題,發(fā)生()時(shí)只產(chǎn)生電子,沒(méi)有正離子出現(xiàn)。 A、表面電離 B、光電離 C、熱電離 D、碰撞電離 正確答案:A第 3 題,下列方法不可以提高氣體介質(zhì)強(qiáng)度的是()。 A、改進(jìn)電極形狀 B、采用低氣

2、壓 C、采用強(qiáng)電負(fù)性氣體 D、利用空間電荷改善電場(chǎng)分布 正確答案:B第 4 題,下列屬于極不均勻電場(chǎng)特性的是()。 A、極不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓比均勻電場(chǎng)低 B、極不均勻電場(chǎng)如果是不對(duì)稱電極，則放電有極性效應(yīng) C、極不均勻電場(chǎng)具有特殊的放電形式電暈放電 D、以上選項(xiàng)都屬于 正確答案:D第 5 題,湯遜理論的適用范圍是()。 A、低氣壓長(zhǎng)間隙 B、高氣壓短間隙 C、高氣壓長(zhǎng)間隙 D、低氣壓短間隙 正確答案:D第 6 題,下列關(guān)于湯遜理論說(shuō)法

3、不正確的是()。 A、湯遜理論認(rèn)為自持放電是氣體間隙擊穿的必要條件 B、湯遜理論認(rèn)為電子空間碰撞電離是電離主要因素 C、湯遜理論認(rèn)為負(fù)離子碰撞陽(yáng)極產(chǎn)生的表面電離是電離主要因素 D、湯遜理論適用于低氣壓短間隙第 13 題,當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙的擊穿電壓隨壓強(qiáng)減小而減小。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:F第 14 題,采用強(qiáng)電負(fù)性氣體,利用其對(duì)電子的強(qiáng)附著效應(yīng)可以減弱碰撞電離過(guò)程。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:T第 15 題,湯遜

4、放電理論認(rèn)為,電離的主要因素是電子的空間碰撞電離和正離子碰撞陰極產(chǎn)生表 面電離。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:T第 16 題,減小導(dǎo)線半徑可以防止導(dǎo)線電暈現(xiàn)象。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:F第 17 題,極不均勻電場(chǎng)如果是不對(duì)稱電極,則放電有極性效應(yīng)。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:T第 18 題,去電離過(guò)程通常包括帶電粒子的運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散、復(fù)合和附著效應(yīng)。 T、對(duì) F、錯(cuò) 正確答案:T第 19 題,當(dāng)氣體成分和電極材料一定時(shí),氣體間隙的擊穿電壓