IGBT功率模塊的失效研究與鍵合線狀態(tài)監(jiān)測.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、國家能源戰(zhàn)略的實施,促使多種新能源技術蓬勃發(fā)展,如電動汽車、列車牽引、航空電源、太陽能發(fā)電等,其中核心技術就是能量轉換,而通常電力電子裝置則是實現(xiàn)這些新技術的載體,因此裝置的可靠性至關重要,因為一旦系統(tǒng)發(fā)生故障,且未能快速有效地監(jiān)測故障并采取措施,便可能會造成重大損失。相關統(tǒng)計研究發(fā)現(xiàn),影響電力電子系統(tǒng)可靠性的最主要組成部分之一就是功率器件,所以關于功率器件可靠性的研究課題已經(jīng)成為研究的重點和熱點。目前,國內外多以基于模型的仿真分析方法

2、進行失效研究和狀態(tài)監(jiān)測。本課題則以典型IGBT功率模塊為研究對象,通過實驗從模塊結構、溫度特性、器件端部外特性以及狀態(tài)監(jiān)測方面進行研究,具體內容如下:
 ?、籴槍Φ湫虸GBT功率模塊,從機械結構和物理結構入手,重點以熱損傷理論分析模塊的失效機理,主要包括:焊料層損傷失效機理和鍵合線故障失效機理?;谑C理的分析,進一步探究IGBT功率模塊的鍵合線故障,包括故障原因、故障特征、故障影響和鍵合線狀態(tài)監(jiān)測。
 ?、跍囟仁窃斐涉I合

3、線脫落故障的主要原因,也是鍵合線故障后最明顯的故障特征,因此本研究通過對比實驗,全面分析溫度、穩(wěn)態(tài)熱阻抗與鍵合線狀態(tài)的關系。
  ③通過監(jiān)測IGBT功率模塊的鍵合線狀態(tài)可以有效提高電力電子系統(tǒng)的可靠性,因此論文重點抓住鍵合線故障對模塊內部寄生電容Cge和Cgc的影響,研究得出器件端部外特性Vge與鍵合線狀態(tài)的關系,最后提出基于溫度和Vge的鍵合線狀態(tài)監(jiān)測方案。
  研究表明:芯片表面結溫和芯片中心對應于底板的溫度均與鍵合線脫

4、落根數(shù)落呈線性關系;鍵合線脫落故障不會造成模塊的層結構損傷而使芯片到底板的穩(wěn)態(tài)熱阻抗增大。本文所提出的基于溫度和Vge的鍵合線狀態(tài)監(jiān)測方案盡管精確度仍需提高,但是該方案無需拆封IGBT模塊、電路結構簡單、安全性高、成本低,具有較高的工程適用性。
  本文在理論和實驗兩個方面都做了研究,尤其是通過大量對比實驗得出的鍵合線故障特征對于后續(xù)實現(xiàn)系統(tǒng)的故障診斷和狀態(tài)監(jiān)測具有重要的參考價值,同時所用到的實驗原理和研究方法對于研究其他功率器件

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