寬帶頻率源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，頻率合成技術(shù)也有了很大的進(jìn)步，從最初的直接頻率合成技術(shù)到間接頻率合成技術(shù)再到最新的直接數(shù)字頻率合成技術(shù)。技術(shù)的進(jìn)步同樣使得電子系統(tǒng)對(duì)頻率合成器的指標(biāo)有了越來(lái)越高的要求。作為電子系統(tǒng)的心臟，頻率合成器性能的好壞會(huì)直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能。
　　本文提出了一種2.5GHz-14.6GHz超寬帶低相位噪聲頻率合成器的實(shí)現(xiàn)方法。
　　本文首先介紹了頻率合成技術(shù)的發(fā)展歷程，并介紹了每個(gè)發(fā)展階段中重要的頻率合成技術(shù)

2、的特點(diǎn)以及頻率合成器的關(guān)鍵指標(biāo)，然后介紹了2.5GHz-14.6GHz超寬帶頻率合成器的需求指標(biāo)，通過(guò)指標(biāo)分析了實(shí)現(xiàn)此頻率合成器需要用到的關(guān)鍵技術(shù)以及方法。
　　通過(guò)分析，最終選定使用PLL+DDS的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)頻率合成器，通過(guò)對(duì)鎖相環(huán)系統(tǒng)的分析，將鎖相環(huán)系統(tǒng)分解成鑒相器、預(yù)分頻器、小數(shù)分頻器、振蕩器等幾個(gè)部分，其中頻率步進(jìn)主要由小數(shù)分頻器決定；雜散主要由鑒相器和小數(shù)分頻器決定；各部分對(duì)相位噪聲都有一定影響。通過(guò)對(duì)每部分的分析，對(duì)每一

3、部分都給出了一兩種可選方案。
　　本文隨后對(duì)分析中所提到的每部分的方案進(jìn)行了設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，在設(shè)計(jì)過(guò)程中對(duì)備選方案進(jìn)行了最終的確認(rèn)，同時(shí)對(duì)一些分析過(guò)程中沒(méi)有注意到的以及不合理的地方進(jìn)行了補(bǔ)充以及更正。同時(shí)給出了每個(gè)模塊設(shè)計(jì)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題并給出了相應(yīng)的解決方案。然后給出了每部分的原理圖、PCB板圖以及實(shí)物圖。最后給出了屏蔽腔體的設(shè)計(jì)圖。
　　通過(guò)測(cè)試，文章設(shè)計(jì)的頻率源頻率步進(jìn)小于1Hz，非諧波雜散抑制基本滿(mǎn)足-75dBc的要