氧化石墨烯-三氯化鐵復合改性沸石的制備及其吸附性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩98頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,引起我國飲用水水源微污染程度日益加深。傳統(tǒng)的水處理工藝能力有限,強化常規(guī)工藝日益受到人們的青睞。過濾是傳統(tǒng)水處理技術的最后一道屏障。以改性濾料替換傳統(tǒng)濾料對微污染水質進行強化過濾,能顯著提高常規(guī)工藝的微污染水處理效果。因此,研發(fā)一種新型改性濾料是本文的主要研究內容。
  以天然沸石(ROZ)為載體濾料,以氧化石墨烯(GO)和氯化鐵(FeCl3)為改性劑,改變FeCl3與ROZ的投加比、GO與FeCl3改性沸石

2、的投加比、煅燒溫度、煅燒時間等參數(shù),以改性劑負載量和負載率及腐殖酸去除率為評價指標,制備GO-FeCl3復合改性沸石(Composite Modified Natural Zeolite coated with Graphene Oxide and Ferric Chloride,GOFMZ),探討GOFMZ的最佳制備條件及其對腐殖酸(HA)、Cu2+和甲基橙(MO)的吸附特性。
  試驗結果表明,GOFMZ的最佳制備條件為:第一

3、階(FeCl3對ROZ改性):FeCl3(2mol?L-1)/ROZ的投加比C1=0.125ml?g-1,煅燒溫度T1=290℃,煅燒時間t1=2.5h;第二階段(GO對FeCl3改性沸石進行表面改性):GO與FeCl3改性沸石的投加比C2=10ug?g-1,煅燒溫度T2=190℃,煅燒時間t2=1.5h。
  在最佳制備工藝條件下,GOFMZ表面改性劑負載率和負載量分別為95.38%和958.39ug?g-1,GOFMZ和ROZ

4、對HA去除率分別為97.01%和16.2%(是ROZ的5.9倍),證明FeCl3和GO對沸石的復合改性效果顯著。
  GOFMZ比ROZ表面結構復雜,并且比表面積明顯增大,比表面積達11.7852m2·g-1(是ROZ的2.785倍);GOFMZ表面元素占總質量百分比分別為:C∶17.604%、O∶44.881%、Al∶5.485%、Si∶27.392%、Fe∶4.637%,其中,GOFMZ表面C、Fe元素分別來源于GO和FeCl

5、3改性劑,增加了GOFMZ表面的正電性和吸附活性位點。GOFMZ在1619cm-1處和1724cm-1處出現(xiàn)了和GO一致的官能團(C=C、C=O)峰值,在2θ=10.5°處出現(xiàn)與GO標準圖譜一致的強度峰。
  在酸性和堿性條件下,GOFMZ對HA和Cu2+的去除率均低于80%。在pH=7條件下,HA濃度在2mg/L~25mg/L范圍內,GOFMZ對HA去除率皆在70%以上;Cu2+濃度在2mg/L~10mg/L范圍內,GOFMZ對

6、Cu2+去除率皆在80%以上;其中,HA和Cu2+濃度分別為2mg/L時,HA和Cu2+的去除率分別達到97.5%和88.5%。
  GOFMZ對HA、Cu2+和MO的吸附過程均能用Langmuir和Freundlich吸附等溫吸附特征方程進行描述,其相關系數(shù)分別為:R2Freundlich(0.9766)>R2Langmuir(0.9494)、R2Freundich(0.9133)

7、eundich(0.9405)  GOFMZ對HA、Cu2+和MO的吸附速率方程均符合準二級動力學吸附方程,分別為:y=16.385x+124.35、

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論