VOx-TiO2納米管復(fù)合陣列的制備及其超電容性能.pdf_第1頁(yè)
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1、作為新型儲(chǔ)能器件的超級(jí)電容器，因其具有大的能量密度、長(zhǎng)的循環(huán)使用壽命、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)，成為近年來(lái)科研領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。本文以TiO2納米管陣列為基底，對(duì)其進(jìn)行碳改性處理，提高TiO2納米管陣列的導(dǎo)電性能;再將釩氧化物負(fù)載到C-TiO2納米管陣列中制備超級(jí)電容器電極材料。本文主要研究成果如下:
　　(1)利用陽(yáng)極氧化過(guò)程中乙二醇為碳源，在Ar氣氣氛中退火處理，實(shí)現(xiàn)了對(duì)TiO2納米管陣列的改性，有效提高了Ti02納米管陣列的導(dǎo)電性能

2、;系統(tǒng)研究了退火溫度對(duì)TiO2納米管陣列的超電容性能的影響。
　　(2)米用水浴沉積的方法制備了VO2/C-TiO2納米管復(fù)合陣列，研究了水浴沉積時(shí)間與復(fù)合陣列的超電容性能的關(guān)系。水浴沉積3h制備的VO2/C-TiO2納米管復(fù)合陣列的性能最好，在1 Ag-1的恒電流充放電下得到316 F g-1的比電容且經(jīng)過(guò)1000圈循環(huán)測(cè)試后比電容保持82％。
　　(3)采用循環(huán)伏安電沉積方法，成功制備出V2O5/C-TiO2納米管復(fù)合陣

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