電子隧穿與二維電子氣輸運研究.pdf

1、本文首先研究了量子力學中處理粒子隧穿勢壘問題的基本方法，發(fā)現(xiàn)在極少數(shù)情況下，簡單勢壘的量子隧穿的幾率可以被嚴格求解。但大部分情況下的實際勢壘是無規(guī)則、甚至是任意的，其幾率是無法嚴格求解的，于是采用轉矩陣法數(shù)值求解研究了粒子隧穿勢壘問題，得出了很好的結果，并且將數(shù)值求解結果與嚴格求解結果進行比較，發(fā)現(xiàn)采用轉矩陣法數(shù)值求解的方法是一種精確度很高的近似數(shù)值計算方法，與精確解非常吻合。以上對量子隧穿勢壘的問題有了基本的理解。 然后采用轉

2、矩陣數(shù)值求解方法研究了二維電子氣2DEG通過微觀磁勢壘結構的輸運性質。由于微觀納米半導體結構中的電子輸運性質存在潛在的應用價值，近年來受到廣泛的關注和研究。建立了一種反對稱磁壘納米結構，在研究2DEG通過此磁勢壘結構的輸運性質時，考慮了電子的自旋與磁勢壘結構中的磁場的相互作用，得出電子隧穿勢壘的自旋極化效應的結果。此結果表明，當考慮電子自旋與非均勻磁場的相互作用時，這種磁壘納米結構具有很強的電子自旋極化效應。同時，研究了電子通過反對稱雙