二維拋物量子點中激子——聲子系統(tǒng)聲子壓縮態(tài)的研究.pdf

1、在過去的幾十年中，對低維材料物理研究變成一個活躍領域。隨著微加工和納米技術的發(fā)展，人們已經可以制造出量子點.由于量子點應用前景非常廣泛，這就使得對量子點的研究成為現(xiàn)代物理中的熱點之一。
　　 在本文的第一章里，首先我們對激子進行了介紹。其中主要介紹了它的概念和它的物理性質。然后，我們對極性半導體中量子點的研究背景和現(xiàn)狀進行了介紹，其中我們重點關注量子點內激子研究所取得的成果。最后我們對本文所要研究的工作進行了闡述。
　　

2、 在論文的第二章里，首先構造出本文所要研究的存在磁場的情況下的二維拋物量子點模型。在第二部分中，得出對應的哈密頓量并對其進行展開和化簡。第三部分我們對相應的哈密頓量進行PPL變換。第四部分，我們對哈密頓量中對聲子相關的部分進行壓縮變換處理，并且用求平均值的方法對激子的基態(tài)能量進行求解。
　　 第五部分，我們以典型的極性半導體材料GaAs為例，其對應的材料參數被數值計算中采用。最后我們獲得了有益的數據。結果表明，量子點內的激子—聲

3、子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨量子點的束縛頻率的增加而降低。而隨著量子點中磁場強度的增大，量子點中內激子—聲子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨之升高。同樣，而隨著系統(tǒng)相互作用強度的增大，量子點中內激子—聲子系統(tǒng)的基態(tài)能量隨之降低。第六部分，我們給出了激發(fā)態(tài)波函數和對應的能量表達式，但由于篇幅的限制沒有做具體的計算。
　　 本文的最后一章，我們總結了本論文所研究的主要內容，并對得到的結果進行了討論與分析。同時，我們也討論了文章還存在的一些不足，并作出了對未來