GaN基Ⅲ族氮化物外延生長(zhǎng)及相關(guān)器件的研究.pdf

1、自2000年以來，以氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)為主的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及相關(guān)電子器件得到了快速發(fā)展。這些Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料因?yàn)樗邆涞耐怀龅奈锢?、化學(xué)性能而被普遍應(yīng)用于光、聲、電等器件領(lǐng)域。
　　在Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電器件中，GaN基發(fā)光二極管(LED)的廣泛應(yīng)用，開創(chuàng)了半導(dǎo)體照明的新紀(jì)元。在電力電子器件方面，Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料以強(qiáng)擊穿電場(chǎng)、高電子遷移速率及高飽和漂移速度等優(yōu)勢(shì)，使基于此材料體系

2、的電力電子器件各項(xiàng)參數(shù)性能優(yōu)異。在微波器件領(lǐng)域，GaN材料的高電子遷移率晶體管(HEMTs)已經(jīng)應(yīng)用于雷達(dá)和民用通信。此外，AlN壓電單晶具有色散小、導(dǎo)熱性好、熱穩(wěn)定性高、熱膨脹系數(shù)低、抗酸堿腐蝕能力強(qiáng)和高頻段聲損耗低等優(yōu)點(diǎn)。尤其是在無機(jī)非鐵電的壓電體系中，AlN由于極高的聲表面波(SAWs)傳輸速率及較好的壓電性能，被廣泛用于高頻的SAWs器件和聲體波(BAWs)器件。
　?、笞宓餂]有可用的體塊單晶襯底，GaN的單晶薄膜材料

3、只能在如碳化硅(SiC)、藍(lán)寶石(Al2O3)和硅(Si)等其他襯底上進(jìn)行異質(zhì)外延生長(zhǎng)。SiC與GaN的晶格失配和熱失配度均比較小，在其上外延的GaN、AlN等單晶薄膜缺陷少、應(yīng)力低。此外由于高熱導(dǎo)率、高擊穿強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，SiC襯底在大功率LED、HEMTs等方面的應(yīng)用上具有更大優(yōu)勢(shì)。使用SiC襯底的不利因素是襯底昂貴，導(dǎo)致器件制備成本過高。Si襯底的優(yōu)勢(shì)是生長(zhǎng)及加工工藝成熟，且價(jià)格低廉，電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率相對(duì)較高。在Si襯底上通過外延工藝生

4、長(zhǎng)高質(zhì)量的GaN等Ⅲ族氮化物更加困難，且對(duì)于LED而言，Si對(duì)光有較高的吸收系數(shù)。Al2O3相比SiC襯底而言，與GaN材料的晶格失配和熱失配均較大，但是通過生長(zhǎng)壓力、溫度以及生長(zhǎng)過程中載氣的選擇等條件的控制，可以生長(zhǎng)出高結(jié)晶質(zhì)量的GaN薄膜。透明度好、價(jià)格便宜的Al2O3材料是當(dāng)前商業(yè)化GaN基LED最常用的襯底。
　　本論文通過Vecco和Aixtron公司生產(chǎn)的MOCVD系統(tǒng)，研究了在Al2O3和 SiC襯底上Ⅲ族氮化物材料

5、的外延生長(zhǎng)機(jī)理。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)出高質(zhì)量、高性能的Ⅲ族氮化物外延結(jié)構(gòu)。對(duì)GaN基LED外延的生長(zhǎng)工藝以及芯片的物理性質(zhì)進(jìn)行了研究。理論探索了HEMTs結(jié)構(gòu)中2DEG與SAWs之間的相互耦合作用。
　　同時(shí)通過COMSOL有限元分柝手段對(duì)AlN基高頻段SAWs器件的特性做了細(xì)致的分析，并模擬出壓電材料體系的SAWs與聲子晶體(PnCs)相結(jié)合的帶隙可調(diào)的聲濾波器。
　　本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下:
　　1

6、、GaN基LED結(jié)構(gòu)的外延工藝以及其芯片I-V特性的測(cè)量。
　　利用MOCVD方法在c軸取向的Al2O3襯底上外延了GaN基LED結(jié)構(gòu)，分析了底層非摻雜的GaN層的厚度和n型層的生長(zhǎng)速度與整片外延層表面內(nèi)應(yīng)力及波長(zhǎng)均勻性之間的關(guān)系。采用拉曼(Raman)散射譜對(duì)外延層表面的應(yīng)力進(jìn)行了測(cè)量。研究發(fā)現(xiàn)，底層非摻GaN層厚度的減薄以及n型GaN層生長(zhǎng)速率的降低，均導(dǎo)致Raman高階E2聲子模式峰位發(fā)生藍(lán)移，即外延層中的壓應(yīng)力得到適當(dāng)?shù)尼?/p>

7、放。利用光致發(fā)光(PL)光譜對(duì)LED外延片波長(zhǎng)均勻性進(jìn)行了表征。測(cè)試表明，LED結(jié)構(gòu)的主波長(zhǎng)、峰值波長(zhǎng)以及色度的均勻性均隨著底層非摻GaN層厚度的減薄以及n型GaN層生長(zhǎng)速率的降低變得越來越好，同時(shí)PL譜半峰寬進(jìn)一步的變窄。即通過外延工藝的調(diào)整，Al2O3襯底上生長(zhǎng)的GaN基LED結(jié)構(gòu)不僅結(jié)晶質(zhì)量得到提升，同時(shí)通過降低外延層面內(nèi)應(yīng)力，整個(gè)外延片發(fā)光波長(zhǎng)的均勻性也進(jìn)一步得到優(yōu)化。通過優(yōu)化外延生長(zhǎng)工藝，生長(zhǎng)出了應(yīng)力小、波長(zhǎng)均勻性佳的GaN基

8、LED外延結(jié)構(gòu)。
　　傳統(tǒng)的MOCVD外延GaN基LED工藝生長(zhǎng)時(shí)間長(zhǎng)，致使成本居高不下。本文采用山東大學(xué)GaN課題組提供的Al2O3襯底上HVPE工藝生長(zhǎng)的GaN薄膜作為L(zhǎng)ED外延的新型襯底(HVPE-GaN)，進(jìn)行了GaN基LED外延結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。利用顯微鏡、PL譜儀、電致發(fā)光(EL)光譜儀分別對(duì)新型襯底上外延的GaN基LED結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。對(duì)相應(yīng)LED芯片的光學(xué)和電學(xué)參數(shù)進(jìn)行了測(cè)試與分析。利用新型HVPE-GaN襯底進(jìn)行LED

9、外延時(shí)不再需要非摻GaN緩沖層，有效地降低了MOCVD的工作時(shí)間，縮減了GaN基LED制備的成本。
　　采用微納加工工藝將GaN基LED外延片制備成了LED芯片，通過對(duì)芯片的I-V特性的測(cè)試，研究并分析了外延LED結(jié)構(gòu)中的低溫p型GaN層生長(zhǎng)條件（生長(zhǎng)溫度、In流量、Mg流量）與芯片性能之間的關(guān)系，并對(duì)芯片的靜電壓承受極限進(jìn)行了測(cè)試，證明了所制備的LED芯片抗靜電能力可達(dá)4000V以上。同時(shí)，對(duì)部分損壞的LED芯片的失效機(jī)理做了進(jìn)

10、一步的分析。
　　2、生長(zhǎng)條件對(duì)HEMTs外延結(jié)構(gòu)性能的影響，理論計(jì)算SAWs與2DEG之間的相互作用。
　　利用MOCVD工藝在Al2O3襯底上生長(zhǎng)了AlGaN/GaN HEMTs結(jié)構(gòu)，研究了生長(zhǎng)壓力與載氣(H2和N2)對(duì)AlGaN勢(shì)壘層表面質(zhì)量及AlGaN/GaN HEMTs溝道中2DEG遷移率的影響。采用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡-能級(jí)色散譜(SEM-EDS)表征了外延層的結(jié)晶質(zhì)量。結(jié)果表明:隨著反應(yīng)室壓力

11、從50torr提高到100torr，外延層表面生長(zhǎng)臺(tái)階變得更加清晰、規(guī)整，且臺(tái)階變寬，高度變低;生長(zhǎng)壓力進(jìn)一步升高至200torr,表面形貌開始變差。同時(shí)發(fā)現(xiàn)在外延生長(zhǎng)AlGaN勢(shì)壘層時(shí)，適量的通入H2會(huì)提高AlGaN層的結(jié)晶質(zhì)量。純N2環(huán)境下生長(zhǎng)的AlGaN勢(shì)壘層表面，生長(zhǎng)臺(tái)階附近可見一些島狀結(jié)構(gòu)。H2引入后島狀結(jié)構(gòu)明顯變少，甚至消失。利用Hall效應(yīng)測(cè)試儀測(cè)量了不同條件下AlGaN/GaNHEMTs溝道中的2DEG遷移率。在反應(yīng)室壓

12、力100torr、H2流量占總載氣(H2+N2)流量59％時(shí)，2DEG的遷移率達(dá)到1545cm2/V·s。
　　通過構(gòu)建模型與理論計(jì)算，研究分析了SAWs與2DEG之間的相互作用，通過調(diào)節(jié)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中2DEG的載流子濃度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SAWs在該結(jié)構(gòu)中傳輸能量的調(diào)控。
　　3、SiC襯底上GaN及AlN的外延生長(zhǎng)
　　研究了在4H-SiC襯底上外延的不同厚度的GaN層內(nèi)壓應(yīng)力的變化，并對(duì)其結(jié)晶質(zhì)量進(jìn)行了評(píng)估。

13、系統(tǒng)地研究了在4H-SiC襯底上MOCVD技術(shù)外延GaN薄膜的二維生長(zhǎng)的臨界厚度。通過控制GaN薄膜的生長(zhǎng)時(shí)間得到高結(jié)晶質(zhì)量、低表面粗糙度的GaN層。生長(zhǎng)工藝優(yōu)化后，獲得了600nm厚無裂紋的GaN薄膜，高分辨X-射線衍射儀(HRXRD)測(cè)得其(002)面的搖擺曲線半峰寬(FWHM)最低為279.6arcsec。上述高質(zhì)量GaN薄膜為異質(zhì)外延提供了優(yōu)質(zhì)的緩沖層。
　　在6H-SiC襯底上利用MOCVD技術(shù)外延生長(zhǎng)了AlN單晶薄膜。

14、利用HRXRD及AFM等測(cè)試手段，對(duì)MOCVD和磁控濺射兩種工藝在相同晶型SiC襯底上生長(zhǎng)的AlN薄膜進(jìn)行了質(zhì)量對(duì)比。HRXRD測(cè)試結(jié)果表明:MOCVD外延的AlN薄膜的(006)面衍射峰強(qiáng)度高于磁控濺射樣品的強(qiáng)度，說明MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)的AlN薄膜的c軸取向性更好，而磁控濺射生長(zhǎng)的AlN的取向性相對(duì)較弱。在SiC上生長(zhǎng)的AlN薄膜，晶格失配使其受到壓應(yīng)力，熱失配則會(huì)使其受張應(yīng)力的作用。兩種工藝生長(zhǎng)的AlN薄膜，襯底峰位與薄膜實(shí)際峰間距

15、均比理論峰間距大，即AlN薄膜受到來自襯底的壓應(yīng)力。這說明上述得到的兩種AlN薄膜所受到的應(yīng)力均為晶格失配占主導(dǎo)。AFM測(cè)試發(fā)現(xiàn)，MOCVD和磁控濺射兩種工藝生長(zhǎng)的AlN薄膜的表面粗糙度均方根分別為2.42nm和0.244nm。MOCVD工藝生長(zhǎng)的AlN薄膜的表面呈小丘狀。而磁控濺射的AlN薄膜表面各小島間呈現(xiàn)逐漸合并的趨勢(shì)，且可見少許生長(zhǎng)臺(tái)階。即磁控濺射的AlN要比MOCVD外延的AlN單晶薄膜表面更加平整。
　　4、基于AlN

16、/SiC的SAWs濾波器及SAWs-PnCs濾波器的模擬研究
　　在LiNbO3單晶基底上通過微納加工手段，制備了能夠激發(fā)SAWs的叉指換能器(IDTs)。通過網(wǎng)絡(luò)分析儀以及COMSOL有限元分析方法分別測(cè)試和模擬了SAWs的傳輸特性。并在AlN/6H-SiC壓電薄膜上模擬了SAWs的傳輸特性，對(duì)SAWs的傳輸模式進(jìn)行了分析。
　　采用三維有限元分析(3D-FEM)方法，從理論上計(jì)算了壓電基底(LiNbO3，GaN and