自組裝硅納米結構及其光學性質的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文研究了采用離子束濺射方法在硅單晶表面獲得量子點陣列的實驗條件，并對其產(chǎn)生的機理做了細致地分析，研究了在束流密度大小為20μA/cm2的低束流密度正入射的Ar+離子束濺射Si(100)單晶表面后，樣品表面的形貌變化，系統(tǒng)研究了Si(100)表面濺射得到量子點尺寸、樣品表面粗糙度和離子束束流密度之間的關系，以及對束流密度分別為20和380μA/cm2的濺射條件下，濺射后樣品表面粗糙度和樣品表面溫度間的變化關系，利用磁控濺射技術，采用Si

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