B-,S-→πK衰變過程與微擾QCD高階修正.pdf

1、B介子弱衰變作為驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)模型、檢驗(yàn)QCD、尋找CP破壞機(jī)制和探索新物理的重要場所，已經(jīng)引起越來越多物理學(xué)家的重視。理論上，由于強(qiáng)相互作用的非微擾效應(yīng)的存在，使得強(qiáng)子矩陣元的計(jì)算成為一大難點(diǎn)。盡管長期以來人們提出了許多因子化方法，如樸素因子化方法，推廣因子化方法，QCD因子化方法，微擾QCD(PQCD)方法及軟共線有效理論(SCET)等，但都僅僅能部分解釋試驗(yàn)數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)方面，現(xiàn)在有KEK和Bar Bar兩個(gè)B介子工廠，尤其是能量更高的LH

2、C強(qiáng)子對撞機(jī)即將投入運(yùn)行，不僅可以產(chǎn)生大約1012個(gè)Bud事件，而且還能夠提供大量的Bs、Bc介子對的產(chǎn)生和衰變事例。這就迫切要求理論方面提高計(jì)算的精確度。本文利用基于橫向動(dòng)量kT因子化的微擾QCD方法，在考慮次領(lǐng)頭階貢獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，對Bs→πK衰變道進(jìn)行了具體研究。不僅計(jì)算了領(lǐng)頭階貢獻(xiàn)的結(jié)果，而且還計(jì)算了包括頂角修正、夸克圈修正和企鵝圖修正在內(nèi)的次領(lǐng)頭階貢獻(xiàn)的結(jié)果，并將所得結(jié)果與QCD因子化方案的理論預(yù)言及最新的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較，同時(shí)

3、對各種不確定因素進(jìn)行了分析和討論。主要結(jié)論如下： ●從衰變分支比來看，微擾QCD因子化方法的理論預(yù)言比實(shí)驗(yàn)值大，但與QCD因子化方法的理論預(yù)言一致； ●從CP破壞來看，除Bs→π0(-K)0的直接CP破壞參量和QCDF結(jié)果有量級差異外，其他結(jié)果的微擾QCD因理論預(yù)言與QCD因子化方法的理論預(yù)言在誤差范圍內(nèi)是一致的； ●微擾QCD理論預(yù)言存在很大的不確定因素，理論計(jì)算的誤差比較大，主要來自于B介子的形狀參數(shù)和弱相角