提高橢偏測(cè)量中薄膜參數(shù)精度的研究.pdf

1、隨著薄膜材料和技術(shù)的不斷發(fā)展,準(zhǔn)確而快速地測(cè)量薄膜的光學(xué)常數(shù)和厚度受到了人們的廣泛關(guān)注和重視.但對(duì)某些吸收性很強(qiáng)或厚度極薄的樣品,采用普通的測(cè)試方法無(wú)法實(shí)現(xiàn),而橢偏術(shù)恰能彌補(bǔ)此不足,且還具有較多的誘人優(yōu)點(diǎn)故備受青睞.特別在納米技術(shù)迅速發(fā)展的今天,這種能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)薄膜技術(shù)的橢偏術(shù)在眾多的領(lǐng)域中更是扮演著舉足輕重的作用.有效避開(kāi)偽解,尋找到真值,提高薄膜參數(shù)的精度一直是具有非破壞性和高靈敏度的橢偏測(cè)量術(shù)的難點(diǎn),解決此問(wèn)題具有十分重要的科

2、學(xué)應(yīng)用價(jià)值.該論文依據(jù)橢偏測(cè)量法的求解過(guò)程,主要針對(duì)模型的有效選取、數(shù)值優(yōu)化反演算法的選擇和橢偏參數(shù)測(cè)量精度的提高三方面,分別進(jìn)行了分析和討論,其目的是通過(guò)對(duì)它們的分析從而進(jìn)行有效的選擇,以達(dá)到經(jīng)過(guò)各個(gè)部分的改進(jìn)最終提高求解結(jié)果中薄膜參數(shù)值的精度.論文首先系統(tǒng)討論了模型有效選取的重要性、選取辦法以及應(yīng)注意的橢偏參數(shù)靈敏區(qū)域和入射角的選擇:其次,基于前人研究模擬退火算法的基礎(chǔ)上,針對(duì)其不足之處提出了采用兩種不同的測(cè)量誤差的方法并進(jìn)行了研究