分子印跡傳感膜的制備及其應(yīng)用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、分子印跡敏感膜是一種兼具分子印跡技術(shù)與膜分離技術(shù)優(yōu)點的新興技術(shù),近年來已成為分子印跡技術(shù)領(lǐng)域研究的熱點之一。它作為一種分子印跡技術(shù),具有分子印跡聚合物(Molecularly imprinted polymer:MIP)材料的分子特異識別能力,同時比一般生物材料更穩(wěn)定,抗惡劣環(huán)境能力更強(qiáng),在傳感器領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。本文采用三種成膜方法制備了分子印跡薄膜并用作白光反射干涉檢測系統(tǒng)(Reflectometry Interference

2、 Spectroscopy:RIPS)的敏感介質(zhì),通過RIfS檢測膜厚變化,研究膜厚變化同濃度之間的對應(yīng)關(guān)系,建立了無標(biāo)記光學(xué)傳感系統(tǒng),主要研究內(nèi)容如下:
   應(yīng)用薄膜干涉的光學(xué)理論建立了用RIfS測量單層和雙層膜光學(xué)厚度的物理模型;編寫了采用阻尼最小二乘法對干涉譜進(jìn)行全光譜擬合的計算程序,采用該程序?qū)M合參數(shù)的處理可以直接得到單層膜或者雙層膜的光學(xué)厚度。
   采用本體聚合法制備了氯霉素分子印跡聚合物,通過紫外和紅外

3、分析討論了單體與溶劑的選擇以及模板與單體的合適比例,在此基礎(chǔ)上采用直接成膜法在載玻片上制備了氯霉素(CAP)分子印跡敏感膜,結(jié)果表明基于RIfS光譜檢測的印跡膜厚變化與模板分子的濃度存在線性關(guān)系,可以用于開發(fā)新的氯霉素檢測技術(shù)。
   引入聚苯乙烯(PS)來控制預(yù)聚合體系的黏度,采用聚苯乙烯混合聚合體系成膜法在鍍有五氧化二鉭增強(qiáng)層的載玻片上制備了氯霉素分子印跡薄膜。通過對RIfS干涉譜圖的全光譜擬合分析得到薄膜光學(xué)厚度,驗證了所

4、得薄膜的穩(wěn)定性。同時基于RItS光譜檢測的印跡膜光學(xué)厚度變化△與樣品濃度呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系。
   以氯霉素(CAP)為模板,采用沉淀聚合法制備了納米尺寸的CAP印跡微球。通過結(jié)合實驗及Scatchard分析法研究了MIPs微球的結(jié)合性能,得到了表觀最大結(jié)合常數(shù)Qmax和結(jié)合位點的平衡離解常數(shù)Kd。在此基礎(chǔ)上將納米球與聚苯乙烯(PS)甲苯溶液混合旋涂制備印跡敏感膜,RIfS檢測得到印跡膜光學(xué)厚度變化△與樣品濃度之間的線性關(guān)系。該

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