簡(jiǎn)介：帶隙基準(zhǔn)電壓源是當(dāng)前集成電路中最重要的模塊之一。隨著便攜式電子設(shè)備的迅速發(fā)展，高PSR、高精度和低功耗成了帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究熱點(diǎn)。其中改善PSR有利于減小數(shù)模混合集成電路的相互干擾，提高片上系統(tǒng)的集成度提高精度則可以改善電路的關(guān)鍵性能，減少修調(diào)時(shí)問(wèn)此外，降低電路功耗則始終是便攜式電子設(shè)備關(guān)注的焦點(diǎn)。然而，這三個(gè)性能之間存在著明顯的折衷關(guān)系，這給帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)帶來(lái)了很大的挑戰(zhàn)。本文在保證帶隙基準(zhǔn)電壓源高PSR的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)研究提高精度和降低功耗的技術(shù)。首先從帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本原理出發(fā)，詳細(xì)推導(dǎo)了電源抑制表達(dá)式，接著分析了影響初始精度的各個(gè)因素，最后分析了降低電路功耗的方法。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了兩款帶隙基準(zhǔn)電壓源，分別為高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源和高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源。其中高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源在傳統(tǒng)的一階溫度補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上增加了自適應(yīng)工藝調(diào)節(jié)電路，減小了由工藝角變化引起的輸出電壓誤差，提高了精度，采用預(yù)調(diào)節(jié)電流源技術(shù)，提高了PSR高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源采用了一種新型的一階補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，在保證帶隙基準(zhǔn)電壓源正常工作的同時(shí)去除了冗余結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了低功耗，采用了共源共柵結(jié)構(gòu)，提高了PSR。本文基于CSMC1ΜMBCD700V工藝對(duì)高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了后仿真，精度達(dá)士15％，100HZ處PSR為100DB，1KHZ處為75DB?；贑SMC08ΜMBCD700V工藝對(duì)高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了后仿真，靜態(tài)電流僅為1ΜA，100HZ處PSR為65DB，1KHZ處為48DB。后仿真結(jié)果表明，所設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源具備良好的性能指標(biāo)，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求，目前芯片正在進(jìn)行流片。

簡(jiǎn)介：1553B總線由于其可靠性、低成本、高精度等特性已經(jīng)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代武器系統(tǒng)中而且已成為坦克、軍用船艦、軍用戰(zhàn)斗機(jī)等武器平臺(tái)上電子系統(tǒng)的主要工作支柱。1553B總線是實(shí)時(shí)系統(tǒng)總線主要應(yīng)用于嵌入式芯片上由于采用AMBA作為系統(tǒng)總線SPARC多核SOC芯片在嵌入式領(lǐng)域中越來(lái)越廣的使用使得基于AMBA總線的1553B高可靠模塊的設(shè)計(jì)與研究具有重要意義可以為基于AMBA系統(tǒng)總線的嵌入式芯片開(kāi)拓一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域。本文基于GRLIBIP庫(kù)對(duì)AMBA1553B接口模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)。文章首先深入研究了AMBA總線系統(tǒng)主要對(duì)AMBAAHB和AMBAAPB總線的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了深入分析。在此基礎(chǔ)上對(duì)GRLIBIP庫(kù)的體系結(jié)構(gòu)、開(kāi)發(fā)流程和特點(diǎn)進(jìn)行了分析研究GRLIBIP庫(kù)是一套符合GPL標(biāo)準(zhǔn)的免費(fèi)、開(kāi)源、可復(fù)用的軟IP核庫(kù)具有高度可配置性、可擴(kuò)展性、可移植性和兼容性。其次本文對(duì)1553B總線標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了深入的研究重點(diǎn)對(duì)1553B總線的工作模式、傳輸字格式和信息格式進(jìn)行了深入理解對(duì)和本次設(shè)計(jì)相關(guān)的模塊進(jìn)行了軟IP核的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)主要包括IP核初始化、總線遠(yuǎn)程終端的設(shè)計(jì)、總線控制器的設(shè)計(jì)。最后對(duì)設(shè)計(jì)的1553B相關(guān)模塊結(jié)合GRLIBIP庫(kù)實(shí)現(xiàn)了AMBA1553B總線接口。主要實(shí)現(xiàn)了AMBA與遠(yuǎn)程終端接口的設(shè)計(jì)和AMBA與總線控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。兩個(gè)接口分別通過(guò)AHB接口訪問(wèn)AMBA系統(tǒng)存儲(chǔ)器AMBA系統(tǒng)通過(guò)APB接口對(duì)1553B模塊的寄存器配置實(shí)現(xiàn)了對(duì)1553B總線的控制。文章最后后利用馬爾科夫過(guò)程對(duì)接口的可靠性進(jìn)行了理論分析同時(shí)結(jié)合GRLIBIP庫(kù)對(duì)實(shí)現(xiàn)的接口進(jìn)行了模擬仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了接口設(shè)計(jì)的正確性。

簡(jiǎn)介：自從第一根光子晶體光纖誕生以來(lái)，光子晶體光纖（又稱為微結(jié)構(gòu)光纖）由于具有普通光纖所無(wú)法比擬的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和光學(xué)特性等優(yōu)勢(shì)，引起了產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注，在短短的十幾年內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的研究取得了舉世矚目的成就。隨著新型結(jié)構(gòu)的光子晶體光纖不斷呈現(xiàn)和產(chǎn)品化，制造工藝日益完美，基于光子晶體光纖的傳感技術(shù)研究在國(guó)際上備受關(guān)注。本論文的選題主要來(lái)源于國(guó)家973項(xiàng)目“新型光子晶體光纖的基礎(chǔ)研究”（編號(hào)2010CB327801）中的內(nèi)容。隨著光子晶體光纖應(yīng)用范圍的不斷深入和擴(kuò)展，設(shè)計(jì)新型高性能光子晶體光纖并實(shí)際應(yīng)用成為一項(xiàng)重要的內(nèi)容。本文圍繞新型光子晶體光纖的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和空芯光子晶體光纖氣體傳感研究展開(kāi)，主要內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)歸納如下1設(shè)計(jì)了一種光纖的包層結(jié)構(gòu)是由大小不同的圓形空氣孔按六邊形排列的，纖芯中心沿著X軸引入兩個(gè)橢圓空氣孔的光子晶體光纖。仿真結(jié)構(gòu)表明合理選擇光纖參數(shù)后，在波長(zhǎng)為155ΜM處，該P(yáng)CF的雙折射B10929102，比傳統(tǒng)光纖高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，非線性系數(shù)最大值可達(dá)Γ535W1KM1。2設(shè)計(jì)了一種八邊形光子晶體光纖結(jié)構(gòu)，該光纖在波長(zhǎng)155ΜM處具有高達(dá)B168102的雙折射，同時(shí)具有Γ60W1KM1的高非線性系數(shù)和06DBKM的低損耗，并且得到了反常色散。3設(shè)計(jì)了一種超高雙折射雙零色散的新型光子晶體光纖。模擬結(jié)果表明在波長(zhǎng)155ΜM處，得到了超高雙折射值302102，該光纖的波導(dǎo)色散和總色散都在800NM1600NM波長(zhǎng)范圍內(nèi)出現(xiàn)了雙零色散點(diǎn)。最后研究了溫度對(duì)該光纖雙折射的影響。結(jié)果表明雙折射對(duì)溫度的影響很靈敏，并且雙折射與溫度成線性關(guān)系，這為該光纖做溫度傳感提供了一個(gè)較好的理論基礎(chǔ)。4設(shè)計(jì)了一種液體選擇性填充的一種新型高雙折射光子晶體光纖。研究了光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)和填充液體的折射率對(duì)雙折射特性的影響。仿真結(jié)果表明在很寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)高雙折射，最大雙折射達(dá)到102量級(jí)。5設(shè)計(jì)了一種十字型光子晶體光纖HCPCF，并且在波長(zhǎng)15ΜM167ΜM范圍內(nèi)，對(duì)氣體對(duì)于十字型HCPCF結(jié)構(gòu)的相對(duì)靈敏度的影響進(jìn)行了理論研究，在整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)得到了高于0955的相對(duì)靈敏度。利用HC155001空芯光子晶體光纖作為氣室，設(shè)計(jì)了一種新型光譜吸收型甲烷氣體傳感器。實(shí)驗(yàn)測(cè)量了甲烷氣體在2V3吸收帶的吸收光譜，并與數(shù)據(jù)庫(kù)中有關(guān)數(shù)據(jù)做對(duì)比，取得了較好的結(jié)果。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高功率微波測(cè)量用波導(dǎo)型負(fù)載的研究與設(shè)計(jì).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：隨著科學(xué)技術(shù)的不斷創(chuàng)新發(fā)展，人們對(duì)光學(xué)系統(tǒng)的要求也不斷提高，普通的定焦距鏡頭不能滿足人們同時(shí)對(duì)大區(qū)域物體概觀和對(duì)小區(qū)域物體分辨的需求。變焦鏡頭相比于定焦鏡頭，可以通過(guò)改變焦距來(lái)調(diào)整成像放大倍率，方便的實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)物體的大體及細(xì)節(jié)的觀察。設(shè)計(jì)出高性能變焦系統(tǒng)無(wú)疑是非常具有意義的。目前變焦系統(tǒng)在可見(jiàn)光、近紅外光寬光譜區(qū)域應(yīng)用，長(zhǎng)焦距及高變倍比與系統(tǒng)長(zhǎng)度、體積限制的矛盾，使得高變倍比寬光譜變焦系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在困難。而科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，高精度加工技術(shù)的日趨成熟，使在變焦系統(tǒng)中引入高次非球面以及衍射面元件來(lái)弱化各種設(shè)計(jì)要求之間的沖突，校正系統(tǒng)成像像差成為可能。本文介紹了連續(xù)變焦系統(tǒng)的發(fā)展歷史闡述了變焦系統(tǒng)的基本原理高次非球面元件以及二元衍射面元件的結(jié)構(gòu)原理及像差特性分析了高變倍比寬光譜連續(xù)變焦系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難點(diǎn)所在并提出了一種應(yīng)用高次非球面以及衍射面元件的高變倍比寬光譜連續(xù)變焦鏡頭的設(shè)計(jì)方案完成了其光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及模擬分析同時(shí)分析了該系統(tǒng)的公差，給出了合理的補(bǔ)償加工及組裝產(chǎn)生的累積公差影響，以確保系統(tǒng)在組裝后能達(dá)到理想的設(shè)計(jì)指標(biāo)。本文的創(chuàng)新點(diǎn)有1、相對(duì)于以往的變焦系統(tǒng)而言，本文所設(shè)計(jì)的變焦系統(tǒng)系統(tǒng)擁有可見(jiàn)光及近紅外寬光譜應(yīng)用和高變倍比的優(yōu)勢(shì)。2、本文提出在高變倍比變焦系統(tǒng)設(shè)計(jì)中采用非球面及衍射面元件，單色像差及色差能夠更容易校正。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高儲(chǔ)鋰容量電極的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)與性能.pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：LED照明正在逐漸占據(jù)主流的照明應(yīng)用，對(duì)于LED家用照明應(yīng)用，為減少對(duì)電網(wǎng)的影響，國(guó)際上有相應(yīng)那標(biāo)準(zhǔn)對(duì)其功率因數(shù)和諧波含量做了相關(guān)限制，典型的標(biāo)準(zhǔn)為IEC6100032CLASSC和美國(guó)能源之星關(guān)于照明的標(biāo)準(zhǔn)，因此對(duì)于LED照明系統(tǒng)必須加入相應(yīng)的功率因數(shù)校正。常見(jiàn)的帶功率因數(shù)校正功能的照明系統(tǒng)需要采用兩級(jí)結(jié)構(gòu)，其中第一級(jí)實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正，第二級(jí)實(shí)現(xiàn)直流直流變換來(lái)得到恒定的輸出電流，該類(lèi)系統(tǒng)需要兩個(gè)獨(dú)立的控制環(huán)路，成本較高。目前，單級(jí)式的功率因數(shù)校正電路逐漸在低成本應(yīng)用中越來(lái)越受到關(guān)注，單級(jí)電路即把功率因數(shù)校正電路和直流直流變換電路合二為一。原邊反饋指的是利用原邊繞組或者輔助繞組來(lái)檢測(cè)輸出特性的一種反饋方式，其不需要像傳統(tǒng)反饋方式一樣對(duì)輸出進(jìn)行采樣后通過(guò)光耦等器件反饋回原邊，大大減低了系統(tǒng)成本，同時(shí)提高了系統(tǒng)可靠性。原邊反饋的另一大優(yōu)勢(shì)是可以通過(guò)該方式對(duì)芯片供電，以節(jié)省在原邊啟動(dòng)電阻上引起的功率損耗。本論文針對(duì)室內(nèi)LED照明研究并設(shè)計(jì)一款寬電壓輸入范圍的單級(jí)反激式原邊反饋帶功率因數(shù)校正功能的LED驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需高壓電解電容，大大節(jié)省了系統(tǒng)元件數(shù)量和成本，只需極少量的器件即可實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)和高精度電流控制。系統(tǒng)采用固定關(guān)斷時(shí)間控制模式，簡(jiǎn)化環(huán)路補(bǔ)償。芯片采用CSMC05UM60VBCD工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。系統(tǒng)采用7顆1W高亮LED做為負(fù)載，前仿真結(jié)果顯示輸出電流的精度達(dá)到±5％以內(nèi)，PF在所有CNER條件下大于09，諧波總含量小于20％。同時(shí)芯片對(duì)量產(chǎn)測(cè)試設(shè)計(jì)了獨(dú)立的接口電路，在最少的激勵(lì)條件下，可實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片關(guān)鍵項(xiàng)的準(zhǔn)確測(cè)試，節(jié)省測(cè)試成本。最后完成了芯片的版圖設(shè)計(jì)，整體面積為16UM17UM，預(yù)采用SOP8封裝。芯片目前等待流片。

簡(jiǎn)介：高速線材的軋后控制冷卻工藝，與軋后自然冷卻相比，不僅可以提高冷卻速度，減少氧化損耗，而且可以保證產(chǎn)品質(zhì)量，因此得到廣泛應(yīng)用。在控制冷卻過(guò)程中，吐絲溫度是關(guān)鍵的工藝參數(shù)，對(duì)產(chǎn)品性能有重要影響。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)吐絲溫度控制模型進(jìn)行了大量的研究。從最初的半解析半經(jīng)驗(yàn)公式，到現(xiàn)在的有限差分計(jì)算應(yīng)用到在線控制模型中去，吐絲溫度控制精度不斷提高。首鋼高線建于1987年，其水冷段的控制方式較落后，吐絲溫度控制精度較差，造成產(chǎn)品性能不穩(wěn)定等一系列問(wèn)題，已經(jīng)不能滿足實(shí)際生產(chǎn)需要。本論文來(lái)源于首鋼高線廠“軋后水冷系統(tǒng)改造”項(xiàng)目，目標(biāo)是通過(guò)此次升級(jí)改造，提高軋后水冷段的自動(dòng)控制水平，改善吐絲溫度控制精度，實(shí)現(xiàn)全長(zhǎng)平均溫度與目標(biāo)溫度偏差±15℃達(dá)到2Σ水平。本文在對(duì)國(guó)內(nèi)外高線控制冷卻系統(tǒng)研究的基礎(chǔ)上，使用有限差分法建立了高速線材精軋后水冷段傳熱數(shù)學(xué)模型，針對(duì)不同鋼種確定了不同的換熱系數(shù)。根據(jù)首鋼高線生產(chǎn)線情況設(shè)計(jì)了軋后冷卻控制系統(tǒng)，設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)了水冷二級(jí)系統(tǒng)功能模塊。對(duì)軋后冷卻系統(tǒng)進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試，通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)模型參數(shù)進(jìn)行自適應(yīng)計(jì)算，提高模型預(yù)報(bào)精度。本文開(kāi)發(fā)的高線軋后水冷控制系統(tǒng)目前運(yùn)行穩(wěn)定，精度達(dá)到了設(shè)計(jì)目標(biāo)。

簡(jiǎn)介：在工業(yè)自動(dòng)化檢測(cè)、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測(cè)量?jī)x器儀表等諸多工業(yè)控制與測(cè)量工作中需要解決的一個(gè)共性問(wèn)題就是工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)模擬信號(hào)采集時(shí)的抗干擾問(wèn)題。事實(shí)證明采用光電耦合隔離放大器是行之有效的方法之一。由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、抗干擾能力強(qiáng)所以被廣泛應(yīng)用。然而長(zhǎng)期以來(lái)模擬量光電隔離一直是數(shù)據(jù)采集和測(cè)控電路中的一個(gè)比較棘手的問(wèn)題主要因?yàn)槭瞧胀ü怆婑詈掀骷话憔€性范圍都很窄且溫度系數(shù)較大元件參數(shù)分散。因此線性度是光隔離放大器的一個(gè)重要參數(shù)它表示光隔離放大器的信號(hào)傳輸精度。本文對(duì)國(guó)內(nèi)外光電耦合隔離放大電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn)。在吸收國(guó)內(nèi)外先進(jìn)光電子與微電子集成技術(shù)的基礎(chǔ)上為滿足工業(yè)模擬信號(hào)采集對(duì)線性度和速度日益增長(zhǎng)的要求設(shè)計(jì)了一種新型的BICMOS光電耦合隔離放大器。文中根據(jù)要求設(shè)計(jì)了高發(fā)射效率且能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的硅發(fā)光二極管光發(fā)射器；設(shè)計(jì)了高速并能與標(biāo)準(zhǔn)BICMOS工藝兼容的PIN雪崩光電二極管光接收器；同時(shí)還根據(jù)光電耦合效率和速度的不同要求設(shè)計(jì)了相應(yīng)的CMOS輸入放大電路和BICMOS輸出放大電路。論文還針對(duì)光電子與微電子工藝技術(shù)的不同特點(diǎn)對(duì)整個(gè)光發(fā)射器電路的線性度、響應(yīng)速度、抗干擾能力等性能指標(biāo)作出了改進(jìn)。根據(jù)所設(shè)計(jì)的光發(fā)射器和光接收器的結(jié)構(gòu)、工藝特點(diǎn)分別進(jìn)行了電路建模與分析通過(guò)PSPICE80軟件對(duì)它們組成的光電耦合器進(jìn)行了數(shù)值模擬。采用標(biāo)準(zhǔn)的臺(tái)積電TSMC035ΜMBICMOS工藝模型用PSPICE80軟件對(duì)所設(shè)計(jì)的BICMOS光電耦合隔離放大器的整體電路進(jìn)行了仿真試驗(yàn)。結(jié)果表明在5V的電源電壓下所設(shè)計(jì)的BICMOS光電耦合隔離放大器增益線性度達(dá)到55105±3DB帶寬達(dá)85MHZ靜態(tài)功耗為613MW而時(shí)延只有568NS實(shí)現(xiàn)了預(yù)期的設(shè)計(jì)要求。

簡(jiǎn)介：低壓差線性穩(wěn)壓器LDO具有電路簡(jiǎn)單、功耗低、輸出噪聲小、電源抑制比PSRR高等優(yōu)點(diǎn)，成為電源管理芯片重要部分，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。隨著SOC芯片的快速發(fā)展，無(wú)片外電容LDO成為新型穩(wěn)壓器研究熱點(diǎn)。本文設(shè)計(jì)一款適合于SOC集成的片外電容LDO芯片，使其具有環(huán)路穩(wěn)定性好和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快的特點(diǎn)，在集成電子等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文對(duì)傳統(tǒng)LDO和無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性進(jìn)行分析。針對(duì)芯片面積小的要求，采用一階RC補(bǔ)償和極點(diǎn)分裂法滿足系統(tǒng)穩(wěn)定性要求電阻采用工作在線性區(qū)的MOS管代替，降低芯片面積。仿真結(jié)果表明，相位裕度最差為645°，最好為83°，保證系統(tǒng)在整個(gè)工作范圍的穩(wěn)定性。系統(tǒng)對(duì)電源噪聲抑制能力較好，在低頻和1KHZ時(shí)，系統(tǒng)電源抑制比最差分別為5882DB和56DB。對(duì)電路加入前饋通路，提高系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)特性。在1ΜS內(nèi)，電壓由3V變?yōu)?V，向上輸出過(guò)沖最大為116MV，向下過(guò)沖最大310MV，負(fù)載電流從0變化到50MA，向上、向下過(guò)沖均小于300MV。系統(tǒng)寬電壓輸入范圍26V55V，溫度范圍40℃150℃，可提供50MA最大負(fù)載電流。在最差情況下，壓差僅為96MV。在電源電壓為3V時(shí)，靜態(tài)電流最大約57ΜA。為提高整體電路的可靠性，加入過(guò)溫保護(hù)電路。當(dāng)溫度升高到140℃時(shí)，過(guò)溫保護(hù)電路啟動(dòng)，具有20℃的典型遲滯范圍。整個(gè)系統(tǒng)采用06ΜM標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)，并利用CADENCE軟件的SPECTRE仿真器進(jìn)行仿真工作。仿真結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。

簡(jiǎn)介：隨著國(guó)家節(jié)能減排政策的出臺(tái)節(jié)約能源和資源越來(lái)越受到人們的重視。本文所研究的馬克特低碳高鉻鑄鋼襯板也因其良好的機(jī)械性能和耐磨性同時(shí)節(jié)約大量金屬合金元素節(jié)約資源并降低生產(chǎn)成本得到推廣應(yīng)用。文章主要針對(duì)生產(chǎn)廠家在使用消失模技術(shù)生產(chǎn)襯板時(shí)遇到的縮孔、縮松等問(wèn)題設(shè)計(jì)一套保溫冒口有效地解決生產(chǎn)中的實(shí)際問(wèn)題提高襯板的質(zhì)量。熱處理幾乎是每個(gè)襯板到實(shí)際使用中間必不可少的一步它是改善襯板組織性能的最直接的方式。文章通過(guò)設(shè)計(jì)不同的熱處理工藝并通過(guò)對(duì)熱處理后襯板試樣的組織分析、力學(xué)性能和耐磨性的綜合比較找出適合馬克特襯板的熱處理工藝使其達(dá)到良好硬度和韌性組合獲得優(yōu)良的耐磨性能。通過(guò)實(shí)驗(yàn)及分析可以得出試樣在在960℃保溫15小時(shí)爐冷到670℃并保溫一個(gè)小時(shí)后再升溫到900℃保溫2小時(shí)油淬260280℃回火出爐空冷這個(gè)熱處理方案下能獲得很好的強(qiáng)韌性配合此時(shí)其硬度為596HRC沖擊韌性為85JCM2相對(duì)磨損性為13106。通過(guò)生產(chǎn)和工業(yè)性試驗(yàn)也證實(shí)了設(shè)計(jì)的冒口及熱處理工藝的合理性。

簡(jiǎn)介：日益突出的霧霾等環(huán)境問(wèn)題，驅(qū)使著節(jié)能減排和綠色能源等環(huán)境保護(hù)事業(yè)的快速發(fā)展。LED作為一種綠色環(huán)保的新型半導(dǎo)體固態(tài)照明光源，以其發(fā)光效率高、低碳健康、安全節(jié)能、綠色環(huán)保和可靠耐用等優(yōu)點(diǎn)受到各界關(guān)注，促使LED相關(guān)產(chǎn)業(yè)在近幾年來(lái)成為發(fā)展的重點(diǎn)。由于LED照明同其他電氣照明一樣是一種非阻性負(fù)載，因而需要對(duì)其進(jìn)行功率因數(shù)校正，限制諧波電流，減小諧波對(duì)電網(wǎng)的“污染”，這也對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源芯片的設(shè)計(jì)提出了更高的要求。本文首先介紹了功率因數(shù)與總諧波失真，并對(duì)有源功率因數(shù)校正技術(shù)中的基本導(dǎo)通模式與控制方式進(jìn)行了概述與分析。其次，基于單周期控制策略提出了改進(jìn)的固定關(guān)斷時(shí)間控制的ACDCLED驅(qū)動(dòng)電路。芯片工作在斷續(xù)導(dǎo)通模式下以減小繞組與整機(jī)體積單周期控制策略采用非常簡(jiǎn)單的控制器實(shí)現(xiàn)，且電壓環(huán)路中不必引入乘法器，適合構(gòu)建一個(gè)低成本、高性能的高功率因數(shù)驅(qū)動(dòng)電路固定關(guān)斷時(shí)間控制方式保證系統(tǒng)在低功率場(chǎng)合中，滿足較佳輕載與滿載效能的同時(shí)亦盡可能的減少了系統(tǒng)體積，降低了整機(jī)成本。但本策略會(huì)導(dǎo)致輸入電壓零交越附近產(chǎn)生電感電流失真，導(dǎo)致輸入電流的總諧波失真增大，降低了功率因數(shù)。為避免零交越失真現(xiàn)象，本文設(shè)計(jì)的控制電路中加入了零交越補(bǔ)償技術(shù)，以降低總諧波失真，提高功率因數(shù)。本文對(duì)加入零交越補(bǔ)償技術(shù)的固定關(guān)斷時(shí)間控制的LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行建模，使用SIMPLIS軟件對(duì)改進(jìn)的電路模型進(jìn)行了有效性驗(yàn)證，并對(duì)控制電路補(bǔ)償模塊進(jìn)行了參數(shù)選取與優(yōu)化，并分析討論了主要參數(shù)對(duì)輸入電流的影響。在此基礎(chǔ)上，本文采用HHNEC05ΜM5V40VHVCMOS工藝對(duì)芯片進(jìn)行了MOS級(jí)電路設(shè)計(jì)，使用CADENCESPECTRE進(jìn)行了仿真驗(yàn)證，最后繪制了版圖并流片，芯片版圖尺寸為1950ΜM2730ΜM。通過(guò)對(duì)原型電路進(jìn)行測(cè)試，交流輸入電壓在85V～265V范圍內(nèi)，輸出功率在7～12W時(shí)，整個(gè)系統(tǒng)的功率因數(shù)達(dá)098以上，最高達(dá)到09992，總諧波失真度典型值為1011％，最小值僅為467％，滿足了設(shè)計(jì)指標(biāo)。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高可靠路由器主板驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：云計(jì)算（CLOUDCOMPUTE）是IT技術(shù)發(fā)展的最新趨勢(shì)，正受到業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。它是伴隨著分布式處理、并行處理以及網(wǎng)格計(jì)算這些技術(shù)的不斷發(fā)展，而新興的一種共享基礎(chǔ)架構(gòu)的方法。云計(jì)算能夠?qū)崿F(xiàn)自我維護(hù)并能對(duì)龐大的虛擬資源進(jìn)行管理，進(jìn)而對(duì)外提供各種IT服務(wù)。與傳統(tǒng)的IT服務(wù)相比，云計(jì)算提供的是一種按需申請(qǐng)的服務(wù)，用戶用多少服務(wù)付多少費(fèi)用。這種新興的服務(wù)方式不但大大的降低了使用門(mén)檻，同時(shí)也節(jié)省了開(kāi)銷(xiāo)。鑒于云計(jì)算相對(duì)于傳統(tǒng)IT服務(wù)的巨大優(yōu)勢(shì)，云計(jì)算已擁有了巨大的市場(chǎng)，GOOGLE、IBM、MICROSOFT、AMAZON、SUN、HP等國(guó)際大公司已紛紛涉足云計(jì)算領(lǐng)域。與此同時(shí)，云計(jì)算也在通信、金融、教育等要求大規(guī)模并行處理的領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用，比如由中國(guó)移動(dòng)研究院開(kāi)發(fā)的PDM數(shù)據(jù)挖掘系統(tǒng)和HUGETABLE。本文主要工作包括對(duì)云平臺(tái)上高可用數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)進(jìn)行了需求分析，并設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)了一個(gè)采用共享存儲(chǔ)方案，在一個(gè)基于OPENSTACK的私有云平臺(tái)上部署和運(yùn)行的高可用云數(shù)據(jù)庫(kù)。本文通過(guò)調(diào)用自動(dòng)化運(yùn)維工具SALTSTACK實(shí)現(xiàn)對(duì)云數(shù)據(jù)庫(kù)服務(wù)器的相關(guān)操作，以MYSQL數(shù)據(jù)庫(kù)為例，采用C和PYTHON分別在云平臺(tái)端和SALTSTACK服務(wù)器底層實(shí)現(xiàn)了云數(shù)據(jù)庫(kù)相關(guān)功能，包括底層添加物理服務(wù)器池、創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)例、數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)例的備份與恢復(fù)等，并對(duì)上述功能進(jìn)行簡(jiǎn)單的測(cè)試。此外，本文還介紹了云數(shù)據(jù)庫(kù)相關(guān)技術(shù)、云平臺(tái)的體系結(jié)構(gòu)和云平臺(tái)的組網(wǎng)邏輯與安裝部署。

簡(jiǎn)介：ROID是GOOGLE公司在2007年11月05日向外界宣布的基于LINUX內(nèi)核的智能手機(jī)操作系統(tǒng)，由于LINUX內(nèi)核遵循開(kāi)源協(xié)議，因此它是首個(gè)開(kāi)源手機(jī)操作系統(tǒng)。該智能手機(jī)系統(tǒng)由LINUX內(nèi)核、ROID運(yùn)行時(shí)、應(yīng)用程序框架和應(yīng)用軟件組成。目前，伴隨移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，ROID已經(jīng)成為最流行的智能手機(jī)操作系統(tǒng)之一，各大OEM產(chǎn)商紛紛進(jìn)入ROID手持設(shè)備聯(lián)盟，爭(zhēng)搶移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的制高點(diǎn)。由于ROID是建立在LINUX內(nèi)核基礎(chǔ)之上，在某些方面不是非常適合移動(dòng)設(shè)備的需求，比如LINUX內(nèi)核的休眠喚醒功能不能盡可能地讓系統(tǒng)進(jìn)入休眠狀態(tài)，還有它的CPU動(dòng)態(tài)調(diào)頻策略過(guò)多的讓CPU運(yùn)行在最高頻率上，加上手機(jī)又受到電池容量的限制，勢(shì)必要尋求一些解決方案，彌合LINUX內(nèi)核作為手機(jī)設(shè)備的軟件核心的一些不足。本文的主旨是面對(duì)移動(dòng)設(shè)備電池供電的限制，在ROID智能手機(jī)操作系統(tǒng)上做出一些設(shè)計(jì)和優(yōu)化，來(lái)緩解移動(dòng)設(shè)備待機(jī)時(shí)間普遍偏短的情況。主要的工作是設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)基于ROID的休眠喚醒機(jī)制，保證手機(jī)最大限度地節(jié)省電池電量其次是設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一種新的CPU動(dòng)態(tài)調(diào)頻策略管理器，取名MOBILE，在滿足系統(tǒng)響應(yīng)速度外，盡可能能的使CPU運(yùn)行在適當(dāng)?shù)念l率上，最后基于新的CPU動(dòng)態(tài)調(diào)頻策略和LCD背光，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了基于使用場(chǎng)景的電源管理方案。經(jīng)過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證，本文達(dá)到了需求目標(biāo)，降低了智能手機(jī)的功耗。