電子型高溫超導體單晶生長和低溫物性及新型超導體MgB-,2-和MgCNi-,3-的研究.pdf

1、中國科學技術(shù)大學博士學位論文電子型高溫超導體單晶生長和低溫物性及新型超導體MgB和MgCNi的研究姓名：李世燕申請學位級別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導教師：陳仙輝2002.4.1中國科學技術(shù)大學博士學位論文論文摘要第四章合成了具有很好單相性的堿金屬替代Mgj_xAxB2(A沙著Li的摻入，晶格常數(shù)a和c都減小。對于Na替代，a和c有所增加，在較高Na含量時隨Na摻入而減小。其中晶格常數(shù)=Li和Na)樣品。在低的Na含量時a隨Li和Na含量

2、的變化可以用兩種效應的綜合作用來解釋:一種是離子尺寸效應，另一種則歸因于空穴摻雜導致的平面內(nèi)禍合的增強。Mg.xLixB:中c軸的收縮趨勢與理論結(jié)果相一致相對于純MgB2樣品，L‘和N的摻入者仔使T。略有降低擠第五章制備了新型超導體MgCNi3的多晶樣品，測量了電阻率、上臨界磁場、霍爾效應、熱電勢、熱導和磁阻等一系列的物理性質(zhì)。履現(xiàn)在:0K以上的電阻率p(T)可以用電一聲子散射的BlochGriineisen公式來擬合，在T=50K處p

3、(T)的曲率發(fā)生改變，溫度低于50K時滿足p(T)一T“n1.7。通過測量不同磁場下的電阻率一溫度曲線獲得了上臨界磁場Hc:一T相圖，H2(0)約為15.0T，超導電子關(guān)聯(lián)長度i(0)約為47.$。負的Halll系數(shù)RH和負的熱電勢s共同表明在MgCNi3中負的載流子對輸運性質(zhì)的貢獻占主導地位，RH的溫度行為與兩能帶模型一致，而熱電勢隨溫度的變化可以用電一聲子重正化效應以及自旋漲落來解釋。熱導率K(T)在8K左右有一個小的但是非常清楚的