氧化物磁性半導體的電場調控磁性研究.pdf

1、近年來，信息存儲技術的發(fā)展日新月異。眾多研究人員對具有高密度、高速度、非易失、低能耗等優(yōu)點的新概念隨機存儲器進行了廣泛而深入的探索，并且取得一定成果。其中，磁電耦合效應在阻變存儲器中的實現(xiàn)引起人們的極大興趣，它不僅為阻變存儲器實現(xiàn)多級存儲的發(fā)展提供了動力，同時還為多功能器件的發(fā)展打下良好的基礎。
　　通常阻變存儲器在連續(xù)擦寫過程中由電流引起的焦耳熱效應是不容忽視的，它會使器件的工作溫度升高，器件的高低組態(tài)有可能發(fā)生退化，這對降低能

2、量損耗和延長器件的使用壽命很不利。知道，有電場存在就一定有電壓卻不一定有電流，如果可以在阻變存儲器中實現(xiàn)通過外加電壓產生的電場對其磁性的調控，那將不僅降低能量損耗，延長器件使用壽命，同時為未來研究存儲器件中的磁電耦合效應提供了一個新的思路。
　　本論文主要進行了以下研究:
　　首先，通過外接高壓極化電源在平行極板間產生勻強電場。然后，將制備的薄膜樣品靜置于勻強電場中一段時間，進行磁性測量，最后結合實驗結果討論了外加電場對氧化

3、物磁性半導體的磁性調控。
　　1、利用磁控濺射鍍膜技術分別制備了不同濺射氬氧比和不同襯底的ZnO薄膜樣品，研究電場對ZnO/substrate結構的磁性調控。通過一系列的研究，得出電場對不同生長條件下的ZnO薄膜的磁性調控不同，為尋找理想的樣品制備條件奠定了基礎;同時改進實驗樣品結構，加入頂電極，進一步研究外加電場對阻變存儲器結構的磁性調控。
　　2、利用磁控濺射鍍膜技術分別制備了不同Co摻雜比例、不同生長溫度、不同濺射時間