基于界面修飾的有機-無機界面能級排列研究.pdf

1、隨著三星將有源驅(qū)動的有機發(fā)光二極管(AMOLED)平板顯示技術應用于智能手機屏幕、電視屏幕，其具有的高色彩還原度、制造工藝簡單、柔性、可大面積生產(chǎn)等特點促使世界各大顯示廠商（LG、奇晶、TMD、友達）紛紛涌入有機發(fā)光顯示領域。如何在此領域奪得一席之地，關鍵在于擁有生產(chǎn)高效穩(wěn)定的OrganicLighting Emitting Diode(OLED)發(fā)光器件的技術。OLED器件結構一般包括透明導電陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬

2、陰極。其中發(fā)光層一般為摻雜的有機材料，而為了提高器件效率和穩(wěn)定性，空穴和電子傳輸層多采用無機金屬氧化物。因而，有機-無機界面處的電子結構以及電荷傳輸性能的研究就顯得尤為重要。
　　有機-無機界面電子結構和能級排列不僅取決于材料自身的電子結構，界面處的分子取向、基底功函數(shù)、無序性誘導的缺陷態(tài)等效應也對其影響深遠。本文主要從基底功函數(shù)的角度出發(fā)，研究了有機-無機界面能級排列方式，以及其對電荷傳輸性能的影響。
　　首先，研究了不同

3、退火溫度、氧氣氛圍等條件對合成無機過渡金屬氧化物NiOx作為空穴傳輸層材料的影響。結合光電子能譜技術(XPS和UPS)、X射線衍射儀(XRD)以及原子力顯微鏡(AFM)，系統(tǒng)而精煉地給出了不同條件處理下NiOx薄膜的電子結構和形貌結構。
　　隨后，通過引入修飾層的方法對NiOx薄膜進行修飾，得到了很寬范圍功函數(shù)(2.5 eV-6.7 eV)的襯底。并且闡述了修飾層與NiOx基底之間的相互作用，以及修飾后基底電子結構的變化規(guī)律。

4、r>　　接著，在通過在不同修飾后的襯底上沉積有機主體材料，我們利用光電子能譜儀等分析手段研究了該有機-無機界面的能級排列方式，并且分析了電荷在該界面的傳輸機制以及界面勢壘變化規(guī)律。
　　最后將該界面引入電荷傳輸器件和OLED器件中。通過器件的J-V曲線，我們可以看到，經(jīng)過界面修飾的NiOx基底大大減小了器件中的驅(qū)動電壓，提高了器件的效率。
　　此外，我們繼續(xù)研究了有機-無機界面處的分子取向?qū)ζ浣缑婺芗壗Y構以及排列方式的影響。