半導(dǎo)體激光器歐姆接觸工藝的研究.pdf

1、分類號(hào)：UDC：密級(jí)：豆公匠編號(hào)：——半導(dǎo)體激光器歐姆接觸工藝的研究StudyonOhmicContactofSemiconductorLasersProcess學(xué)位授予單位及代碼：籃壹毽王太堂(!：壘i題≥學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：光堂≤鯉鰉Q2≥摘要本論文主要針對(duì)GaAs基材料歐姆接觸的形成原理、工藝制備及測(cè)量方法進(jìn)行了研究。在對(duì)論文題目的研究背景、國(guó)內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹的基礎(chǔ)上，闡述了ⅢV族材料及砷化物材料的性質(zhì)以及歐姆接觸的相關(guān)理

2、論。從理論與工藝制備兩方面分別分析了對(duì)歐姆接觸性能好壞的影響因素，并同時(shí)針對(duì)r1GaAs和pGaAs進(jìn)行了歐姆接觸的工藝優(yōu)化及分析。對(duì)11GaAs采用了Ni／AuGe／Ni／Au=5／100／35／300rim的金屬化結(jié)構(gòu)，對(duì)PGaAs采用了T卯t／Au=30／50／150nm的金屬化結(jié)構(gòu)。論文詳細(xì)討論了快速熱退火工藝對(duì)歐姆接觸的影響，通過矩形傳輸線模型法對(duì)不同條件下的實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了測(cè)量并通過計(jì)算得到比接觸電阻率值。首先對(duì)測(cè)量值與實(shí)際值

3、間的誤差進(jìn)行了分析，利用測(cè)量結(jié)果繪制成的曲線分析了快速熱退火對(duì)GaAs材料歐姆接觸的電學(xué)特性和物理化學(xué)變化過程。然后利用掃描電鏡測(cè)量了不同條件下合金后表面的形態(tài)變化，并針對(duì)其變化進(jìn)行了細(xì)致的分析。采用優(yōu)化后的工藝參數(shù)制各了波長(zhǎng)為808rim的半導(dǎo)體激光器器件，器件的串聯(lián)電阻為O12Q，在最大工作電流為4A的情況下，輸出功率為3W。本論文的研究為降低GaAs基半導(dǎo)體激光器的串聯(lián)電阻和提高器件的輸出功率提供了理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)依據(jù)，并對(duì)其它Ga