InGaAsSb半導(dǎo)體激光器歐姆接觸的研究.pdf

1、本文主要研究了InGaAsSb半導(dǎo)體激光器的歐姆接觸特性。在對(duì)課題的研究背景、國(guó)內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹的基礎(chǔ)上，闡述了半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)和Ⅲ-Ⅴ族材料的性質(zhì)，并詳述了InGaAsSb半導(dǎo)體激光器的主要用途、優(yōu)勢(shì)以及目前的研究進(jìn)展。分析了金屬與半導(dǎo)體整流接觸及歐姆接觸的相關(guān)原理，設(shè)計(jì)了一種GaSb基半導(dǎo)體材料歐姆接觸的金屬化結(jié)構(gòu)。論文詳細(xì)討論了n型GaSb的歐姆接觸形成機(jī)理，以及形成歐姆接觸的過程中遇到的元素原子間互擴(kuò)散所引起的可靠性問

2、題，提出在勢(shì)壘層和接觸層中加入擴(kuò)散阻擋層，并用掃描隧道顯微鏡和X射線能譜儀對(duì)擴(kuò)散阻擋效果進(jìn)行了測(cè)試和分析。
　　在實(shí)驗(yàn)方面，分別對(duì)擴(kuò)散阻擋層厚度、退火溫度對(duì)歐姆接觸影響進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，研究了樣品金屬化后樣品表面形態(tài)及各層原子間的擴(kuò)散情況，重點(diǎn)分析了擴(kuò)散阻擋層Mo對(duì)樣品表面形態(tài)變化及各層元素原子間擴(kuò)散影響。
　　在以上的工作中，我們初步看到，擴(kuò)散阻擋層的添加，對(duì)歐姆接觸有著一定的改善作用。本項(xiàng)研究為提高InGaAsSb半導(dǎo)體激光器