

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、近年來(lái),光伏產(chǎn)業(yè)在世界范圍內(nèi)得到了飛速的發(fā)展,帶動(dòng)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅需求量的持續(xù)增長(zhǎng)。具有環(huán)保、成本低等特點(diǎn)的冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅技術(shù),在世界范圍內(nèi)得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,將為光伏產(chǎn)業(yè)未來(lái)的持續(xù)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。冶金法是利用硅中不同雜質(zhì)的特性,依據(jù)不同的理論基礎(chǔ)(如飽和蒸汽壓原理、分凝效應(yīng)及氧化性差異等),采用不同的技術(shù)路線(如電子束熔煉、定向凝固、合金化等)依次去除硅中的雜質(zhì)元素。電子束熔煉作為冶金法體系中的重要組成部分,能夠有效地除硅中
2、的揮發(fā)性雜質(zhì),目前,關(guān)于電子束熔煉太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的研究已經(jīng)取得了許多具有指導(dǎo)性意義的結(jié)論,但對(duì)電子束提純太陽(yáng)能級(jí)多晶硅過(guò)程中的能耗、硅損失率等與提純過(guò)程相關(guān)聯(lián)的問(wèn)題尚無(wú)系統(tǒng)的研究,同時(shí)電子束熔煉太陽(yáng)能級(jí)多晶硅尚存在熔煉方法單一、無(wú)法去除非揮發(fā)性雜質(zhì)等問(wèn)題。
本文通過(guò)電子束熔煉太陽(yáng)能級(jí)多晶硅模型的建立,分析熔煉過(guò)程中的熱力學(xué)與動(dòng)力學(xué),硅損失率與雜質(zhì)元素?fù)]發(fā)去除率具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系ln(1-ωi)=[(ki-ksi)/ksi]·l
3、n(1-η)。除P過(guò)程中,熔煉功率對(duì)Si的揮發(fā)損失率基本無(wú)影響,主要取決于P的去除率大小,而除Al過(guò)程中,Si的揮發(fā)損失量隨熔煉功率及Al去除率的增加均增加。在達(dá)到相同除P目的的條件下,熔煉過(guò)程總能耗隨著熔煉功率的增大而減小,而在除Al過(guò)程中,在相同Al去除率條件下,熔煉過(guò)程總能耗隨著熔煉功率的增大而增加。熔煉過(guò)程中,P、Al的去除同時(shí)進(jìn)行,低功率(9kW)條件下,P的去除過(guò)程較慢,所需熔煉時(shí)間較長(zhǎng),成為熔煉過(guò)程的限制環(huán)節(jié),而在高熔煉功
4、率(15kW、21kW)條件下,Al的去除過(guò)程成為整個(gè)熔煉過(guò)程的限制環(huán)節(jié),熔煉功率的增加對(duì)P去除的有利影響大于對(duì)Al的影響。
同時(shí),本文在18kW條件下進(jìn)行電子束指數(shù)降束誘導(dǎo)定向凝固實(shí)驗(yàn),具有分凝效應(yīng)的Fe元素,在降束65min條件下,F(xiàn)e去除率90%以上的區(qū)域達(dá)到86%,而具有揮發(fā)及分凝效應(yīng)的Al元素去除率在90%以上的區(qū)域達(dá)到92%。電子束誘導(dǎo)定向凝固過(guò)程中,隨著降束速度減小,固液邊界層厚度逐漸增加,最終達(dá)到擴(kuò)散平衡狀態(tài)。
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 電子束熔煉去除硅中氧、碳及其化合物的研究.pdf
- 電子束熔煉法提純鎢過(guò)程中雜質(zhì)的去除工藝及其機(jī)理研究.pdf
- 多晶硅定向凝固過(guò)程中金屬雜質(zhì)的分凝及去除研究.pdf
- 電子束熔煉提純多晶硅中熱量傳輸和能量利用的研究.pdf
- 電子束熔煉提純金屬鎳的研究.pdf
- 難熔金屬鉬晶體的電子束懸浮區(qū)熔定向凝固工藝研究.pdf
- 單晶高溫合金ЖC36電子束區(qū)熔定向凝固.pdf
- 電子束焊接的凝固缺陷預(yù)測(cè).pdf
- TC4合金的電子束冷床熔煉研究.pdf
- TC4鈦合金電子束冷床熔煉技術(shù)研究.pdf
- 多晶硅定向凝固提純中Fe雜質(zhì)分布與傳輸機(jī)制的研究.pdf
- 電子束掃描鋁硅合金熔池內(nèi)熔體行為及凝固特性的研究.pdf
- 電子束焊接熔池凝固組織模擬的探索.pdf
- 電子束冷床爐熔煉純鈦鑄錠的工藝研究.pdf
- 電子束提純多晶硅的工藝研究.pdf
- 電子束轟擊熔煉爐控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 多晶硅薄膜電子束法制備的研究.pdf
- 電子束液態(tài)曝光技術(shù)的研究.pdf
- 光學(xué)鍍膜設(shè)備中電子束技術(shù)的應(yīng)用與開(kāi)發(fā)研究.pdf
- 真空電子束熔煉爐電子槍偏轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)與仿真.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論