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文檔簡介
1、近年來,多晶硅市場迅速增長,亟需研發(fā)低成本、無污染和工藝穩(wěn)定的多晶硅制備方法。利用冶金法技術可以有效地去除硅中金屬雜質、B和P等雜質,獲得高質量的多晶硅材料。定向凝固技術作為冶金法的工藝環(huán)節(jié)之一,可以將金屬雜質富集到鑄錠頂部。鑄錠中下部多晶硅的雜質含量低,形成提純區(qū)。提高提純區(qū)多晶硅的純度和產(chǎn)量,降低其生產(chǎn)成本已成為工業(yè)條件下多晶硅定向凝固過程中重點解決的問題。
本課題研究了在工業(yè)條件下多晶硅定向凝固過程中,通過控制晶體生長,
2、真空環(huán)境和溫度梯度,調控雜質的分凝和去除,提高雜質的去除效率,得到純度較高的晶硅材料。以冶金法提純得到的多晶硅硅料作為原料,利用雜質分凝耦合籽晶誘導技術,制備出了高光電轉換效率的冶金法多晶硅鑄錠。
不同晶粒形貌生長會導致金屬雜質呈現(xiàn)不同的分凝行為,利用柱狀晶生長得到了純度較高的冶金級多晶硅。主族雜質B和Al不受晶粒形貌限制,具有穩(wěn)定的分凝效果。擴散系數(shù)較小的間隙雜質Fe、Ti、Cu和Ni分凝行為受晶體形貌的影響,不規(guī)則晶粒生長
3、時,雜質在硅熔體中的擴散受糊狀區(qū)影響,富集在固液界面處并通過“短路擴散”促進雜質向固相的反擴散,導致有效分凝系數(shù)升高;柱狀晶粒生長時,固液界面是穩(wěn)定平面,金屬雜質快速向熔體傳輸,降低固液界面前沿雜質的含量,從而降低雜質的有效分凝系數(shù)。多晶硅定向凝固過程中,熔體金屬雜質含量增加,導致固液界面前沿出現(xiàn)成分過冷,影響晶體生長的形貌。凝固過程中,提高固液界面前沿的溫度梯度,避免出現(xiàn)成分過冷,抑制糊狀區(qū)的形成,能夠有效地降低雜質的有效分凝系數(shù)。<
4、br> 通過調整環(huán)境溫度梯度實現(xiàn)了固液界面前沿溫度梯度的調整控制雜質分凝,控制溫度梯度得到了純度較高的冶金級多晶硅。通過提高環(huán)境溫度梯度,加速了硅熔體的流動,促進了固液前沿雜質的傳輸,從而降低了雜質擴散層厚度,將Fe、Cu、Ni和Ti四種雜質的擴散層厚度分別降低至3.35 mm,1.21 mm,1.85 mm和5.81 mm。將提純區(qū)多晶硅的雜質含量從2.69 ppmw降低到0.96 ppmw,雜質含量降低了64.3%,同時凝固時間縮
5、短了21.4%。多晶硅定向凝固后期,進一步提高溫度梯度,將柱狀晶的生長高度提高至95.2%,從而將提純區(qū)多晶硅的比例提高至90.0%,其雜質含量低于2.90 ppmw,有效降低了工業(yè)條件下的生產(chǎn)成本。采用逆向凝固的技術,實現(xiàn)固液分離切斷了多晶硅定向凝固過程中雜質的反擴散途徑,將提純區(qū)多晶硅的比例提高至97.3%。創(chuàng)造性提出泉涌技術,實現(xiàn)鑄造法提純冶金級多晶硅時固液分離,切斷了富集區(qū)金屬雜質的反擴散途徑。
探究了揮發(fā)性金屬雜質“
6、氣液固三相一體”去除模型,解析了金屬雜質在多晶硅定向凝固過程中需要經(jīng)歷固液分凝-液相傳輸-氣相揮發(fā)的動態(tài)去除過程,利用真空揮發(fā)得到了純度較高的冶金級多晶硅。在工業(yè)條件下,去除了揮發(fā)性金屬雜質Na、Al、Ca、Mg等。多晶硅在低真空(0.6 atm)條件下定向凝固時,原始含量約為1038.22 ppmw和17.10ppmw的Na和Mg雜質分別被去除到0.10 ppmw和0.06 ppmw。糊狀區(qū)抑制Na和Mg雜質的揮發(fā)去除,需要提高溫度梯
7、度抑制糊狀區(qū)的形成,促進雜質在硅熔體的傳輸,提高雜質去除效率。利用雜質分凝,提純區(qū)域多晶硅Al雜質含量從494.5 ppmw被降低至2.85 ppmw。多晶硅在真空(0.1 Pa)條件下定向凝固過程中,Al和Ca雜質的含量從340ppmw和190 ppmw分別降低至1.67 ppmw和1.85 ppmw。多晶硅定向凝固過程中協(xié)同調控雜質的分凝和雜質揮發(fā),Al和Ca雜質的有效分凝系數(shù)分別為keff=1.21×10-3和keff=5.69×
8、10-3,提純區(qū)域多晶硅的Al和Ca的雜質含量分別為0.60 ppmw和1.75 ppmw,突破了平衡分凝系數(shù)去除的極限,得到了更好的分凝效果。
冶金法多晶硅作為原料制備了多晶硅鑄錠,通過雜質分凝協(xié)同籽晶誘導技術得到了光電轉換效率為18.65%的高效鑄錠。通過平襯底形核和凹角形核方式誘導形核提高了晶體形核率,控制晶體生長,其中(100)晶面占比超過30%,鑄錠底部、中部和頂部的晶粒的尺寸分別為3.47 mm,6.64 mm和1
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