

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、太陽能資源分布廣泛并可無償獲取,使光伏發(fā)電成為新型能源的重要發(fā)展方向之一。因其發(fā)電組件具備建設(shè)周期短、安全可靠、布置靈活等優(yōu)點(diǎn)得到了人們的青睞。硅作為光伏發(fā)電主要的基礎(chǔ)材料,已占據(jù)市場90%以上的份額。冶金法提純多晶硅具備投產(chǎn)建設(shè)速度快、提純工藝流程短、成本較化學(xué)法低等優(yōu)點(diǎn),近年來發(fā)展迅速,受到國內(nèi)外的廣泛重視。
定向凝固是冶金法的核心。與中小型提純相比,大型定向凝固的生產(chǎn)效率高,綜合成本較低,但固液界面較難維持水平,晶粒不易
2、保持垂直方向上的整齊排列,凝固和退火過程中裂錠的概率也較大,對溫度場構(gòu)建、設(shè)備用材、控制策略均提出了更高的要求。本文針對提純體積達(dá)1000mm×1000mm×450mm硅錠的定向凝固提純過程展開研究,提出一種適用于大型定向凝固的環(huán)形加熱和非均勻散熱方法,構(gòu)建非均勻溫度場,在保持界面水平的前提下加強(qiáng)自然對流,提高提純效率,同時降低熱應(yīng)力。該方法不僅可以降低設(shè)備造價和提純成本,還能減少加熱元件對硅熔體的污染。本文以固液界面、硅溫度場、流動場
3、、熱應(yīng)力、凝固速率變化規(guī)律為研究對象,闡述該溫度場的原理,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證對提純多晶硅的效用。具體內(nèi)容如下:
定向凝固過程中,固液界面的形態(tài)對多晶硅晶粒尺寸和排列情況有直接的影響。水平上升的固液界面,不僅能提高雜質(zhì)元素提純效率,還能增加少數(shù)載流子壽命和電阻率,提高光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率。通過數(shù)學(xué)建模求得界面形態(tài)的通用表達(dá)式,提出非均勻溫度場定向凝固的理論基礎(chǔ),證明界面形態(tài)主要受坩堝側(cè)壁熱交換情況影響。通過實(shí)驗(yàn)研究不同熱交換情況下
4、的固液界面形態(tài)和硅錠質(zhì)量指標(biāo)。實(shí)驗(yàn)表明,水平界面的晶粒尺寸最大,微凸界面的雜質(zhì)含量最低。
加熱元件環(huán)形布置形成的溫度場可加強(qiáng)自然對流,使富集在固液界面上的雜質(zhì)加速擴(kuò)散至液相表面,提高提純效率并保持界面水平。通過建立溫度場和流動場的數(shù)學(xué)模型,獲得解析表達(dá)式,并采用數(shù)值研究驗(yàn)證和補(bǔ)充理論推導(dǎo)結(jié)果,闡述環(huán)形加熱的原理,同時提出加熱控制方法。
降低熱應(yīng)力是提高硅錠質(zhì)量的直接手段。定向凝固和退火過程中如出現(xiàn)過大的熱應(yīng)力,將導(dǎo)致
5、多晶硅缺陷增加,降低少數(shù)載流子壽命。通過研究凝固過程中硅錠熱應(yīng)力分布和變化情況,提出一種非均勻散熱方法用以疏散熱應(yīng)力。相對于固相底部均勻散熱的常規(guī)做法,該方法可降低平均應(yīng)力約30%,并可采用較高的凝固速率進(jìn)行晶體生長。另外,還通過理論推導(dǎo)求得退火過程的通用表達(dá)式和函數(shù)圖像。
以大型定向凝固設(shè)備作為實(shí)驗(yàn)平臺,構(gòu)建非均勻溫度場,采用理論研究獲得的溫度場控制規(guī)律為基礎(chǔ)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。所獲硅錠尺寸為1000mm×1000mm×450mm,晶
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 多晶硅提純與冷坩堝定向凝固過程的溫度場和應(yīng)力場研究.pdf
- 利用定向凝固法提純多晶硅錠的研究.pdf
- 多晶硅真空定向凝固制備硅錠的熱場模擬與提純研究.pdf
- 多晶硅定向凝固提純中Fe雜質(zhì)分布與傳輸機(jī)制的研究.pdf
- 定向凝固多晶硅錠位錯特性研究.pdf
- 多晶硅濕法提純與定向生長模擬研究.pdf
- 多場耦合下定向凝固法制備多晶硅的數(shù)值模擬.pdf
- 多晶硅還原爐流場、溫度場數(shù)值模擬及能耗分析.pdf
- 采用Si-Cu合金定向凝固法提純太陽能級多晶硅的工藝研究.pdf
- 流態(tài)化多晶硅還原過程的模擬與溫度場分析.pdf
- 多晶硅鑄錠爐溫度場可視化分析及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化.pdf
- 合金法提純多晶硅的研究.pdf
- 太陽能級多晶硅定向凝固過程的數(shù)值模擬.pdf
- 太陽能級多晶硅冶金法提純研究.pdf
- 表面溫度場的分布對酸制絨多晶硅表面結(jié)構(gòu)的影響.pdf
- 電子束提純多晶硅的工藝研究.pdf
- 多晶硅電磁冷坩堝連續(xù)熔化與定向凝固技術(shù)基礎(chǔ)研究.pdf
- 多晶硅提純設(shè)備DPS650的殼體設(shè)計分析.pdf
- 多晶硅定向凝固過程中金屬雜質(zhì)的分凝及去除研究.pdf
- 大晶粒太陽能級多晶硅的冷坩堝定向凝固及性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論