一維材料碳化硅納米線的光電特性研究.pdf

1、一維材料以其獨特新穎的物理、化學和生物特性在微納電子器件方面的具有巨大的應用潛力，越來越受到當今納米科技領域的重視。基于低維納米材料構建的納米光電子器件可應用于天文衛(wèi)星的光學遙測、航天探測、醫(yī)藥生物識別等領域。本課題把SiC納米線作為研究對象，結合雙束制備出單根碳化硅納米線場效應管并在惡劣環(huán)境下測試了它的光電性能。
　　本課題采用的SiC納米線是基于“氣-液-固”（V-L-S）生長機制，以前驅(qū)體聚硅碳硅烷（PSCS）系列為制備原料

2、，催化劑采用的是二茂鐵，通過聚合物熱解-化學氣相沉積法（CVD，Chemical Vapor Deposition）在1300℃并保溫3小時，制備了長度在厘米級別的SiC納米線，在氧化鋁等為材質(zhì)的瓷方舟表面制備出大量的絮狀棉花白SiC納米線，通過半導體測試表征設備SEM、XRD、TEM、Raman對其進行了形貌、尺寸、結構、類型進行了表征。結果表明，制備出的SiC納米線長度達到厘米尺寸，直徑在150~200nm左右，屬于弱的n型半導體材

3、料，多數(shù)納米線形成了內(nèi)外兩層“殼-核”同軸電纜結構，外層殼是非晶的SiO2層，核心是β型的SiC晶體，沿著<111>晶向生長，整體納米線生長定向性好，但是微觀上有其他少量的直徑波動型、螺旋型、“Y”、“S”等形貌，SiC納米線結構上存在層錯、位錯及多晶結構和雜質(zhì)等缺陷。
　　本課題利用乙醇超聲分散工藝獲得幾種不同制備時間SiC納米線溶液，使用滴管滴定SiC納米線溶液到金質(zhì)電極表面,結合FIB/SEM等設備制作單根SiC納米線場效應