面向相變存儲(chǔ)器測(cè)試的精密電流源設(shè)計(jì).pdf

1、相變存儲(chǔ)器是以相變材料為存儲(chǔ)介質(zhì)的新型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,它利用電脈沖產(chǎn)生的焦耳熱使相變材料產(chǎn)生較大阻值差異的可逆相變實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ),因此脈沖電流源是相變存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)的關(guān)鍵器件,本文采用兩種方案對(duì)用于相變存儲(chǔ)器測(cè)試的精密脈沖電流源進(jìn)行研究設(shè)計(jì)。
　　本文根據(jù)相變存儲(chǔ)器的工作原理以及其對(duì)測(cè)試用脈沖電流源的要求,采用模塊化設(shè)計(jì)思想,利用現(xiàn)有集成度高的成熟芯片設(shè)計(jì)了用于相變存儲(chǔ)器測(cè)試的超寬帶精密電流源。納秒級(jí)窄脈沖產(chǎn)生電路采用數(shù)字

2、電路方法,利用CPLD芯片作為脈沖產(chǎn)生電路的邏輯控制單元,在精密可編程延遲芯片 DS1020的作用下產(chǎn)生脈沖寬度步進(jìn)可調(diào)的納秒級(jí)窄脈沖,脈沖幅值控制電路是由 D/A轉(zhuǎn)換芯片產(chǎn)生的模擬電壓控制,最后電流驅(qū)動(dòng)部分采用激光二極管驅(qū)動(dòng)芯片 EL6257實(shí)現(xiàn),脈沖電流的幅值和寬度可以通過上位機(jī)設(shè)置。
　　本文針對(duì)相變存儲(chǔ)器高速低功耗測(cè)試的需要,對(duì)一種基于 MOS管的低功耗精密電流鏡進(jìn)行了研究分析,并利用Pspice仿真軟件,建立仿真模型,基

3、于 TSMC0.18μm CMOS,BSIM3,Level49工藝對(duì)此電流鏡的性能進(jìn)行仿真驗(yàn)證,仿真結(jié)果表明此電路輸出電流精確度高穩(wěn)定性好,并且可以達(dá)到很寬的帶寬,適合用作相變存儲(chǔ)器測(cè)試的激勵(lì)脈沖源。
　　同時(shí)本文針對(duì)脈沖電流源的具體應(yīng)用,介紹了相變存儲(chǔ)單元瞬態(tài)電流的測(cè)量方法,并根據(jù)測(cè)量電路等效電路模型分析影響測(cè)量的因素,最終實(shí)現(xiàn)了相變存儲(chǔ)單元瞬態(tài)電流,R-I特性曲線的精確測(cè)量。
　　研究結(jié)果表明,本論文研究設(shè)計(jì)的精密電流源