相變隨機存儲器電特性測試方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、作為目前最有可能取代FLASH 成為存儲器市場上下一代主流產(chǎn)品的相變隨機存儲器，在近段時間獲得了迅猛的發(fā)展。相比其他市場上的主流存儲器，相變存儲器有著非易失性、快擦寫速度、高可靠性、低功耗、長壽命、與CMOS工藝兼容等優(yōu)點。
　　 然而，在相變存儲器飛速發(fā)展的同時，相變存儲器的相關(guān)測試技術(shù)也面臨了巨大的挑戰(zhàn)，適用于相變存儲器特性的測試系統(tǒng)和測試方法也隨之成為焦點?；谶@一點，本文研制了一套相變存儲器電特性測試系統(tǒng)來測試相變存儲器

2、的相關(guān)電特性，該系統(tǒng)由皮秒脈沖發(fā)生器、半導(dǎo)體特性測試儀、微控探針臺、射頻/直流探針、射頻電纜以及6G 示波器組成。
　　 相變存儲器的寫入、擦除、讀出操作可以通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生不同幅度和寬度的激勵脈沖來實現(xiàn)。本文基于相變存儲器的工作原理，在自主研制的測試平臺的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一系列的相變存儲單元電特性的測試方案，包括I-V/V-I特性測試、重復(fù)性測試、寫脈沖初始條件測試、擦脈沖初始條件測試、穩(wěn)定性測試、疲勞特性測試，高速相變存儲器

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