基于TSV的NoC高性能互連結構設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、當傳統(tǒng)的2D平面上的摩爾定律遇到瓶頸時,具有高速、高集成度、多功能、微型化的3D集成技術的出現(xiàn)使得摩爾定律得到了延續(xù)和發(fā)展。作為包括3D NoC(Network-on-Chip)在內的眾多3D集成電路垂直互連結構的TSV(Through Silicon Via),它的性能在很大程度上決定整個3D器件的性能。因此對其傳輸特性和相應的低功耗技術的研究就具有重要的意義。
　　本文總結了TSV及3D NoC最新的國內外發(fā)展現(xiàn)狀,在此基礎之

2、上,在HFSS仿真環(huán)境下,證實了TSV的插入損耗與其材料和結構參數有關,得出了兩者關系的五條結論,并對其原因進行了理論分析,從理論和實驗上都證明了TSV的插入損耗與TSV本身的參數有確定的關系。利用TSV的靜態(tài)解析模型,得到了不同幾何參數下的電學參數,并選定特定尺寸并得到其電阻RTSV為134.0mΩ,電容CTSV為82fF,電感 LTSV為14pH,基于以上參數得到了 TSV等效電路模型。最后在Cadence Spectre仿真環(huán)境下

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