基于SOI工藝的高壓LED驅動設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，隨著經濟的快速發(fā)展，能源短缺現象日益嚴重。而傳統光源對電源的利用率不高，很大一部分電能都轉化為熱能浪費掉了。LED照明技術的出現和成熟，很好地緩解了這一問題，其高效率、低污染的優(yōu)點，使得其很適合作為下一代照明技術。但目前市面上的LED驅動芯片，鮮有耐高壓的型號。
　　 本文將SOI(Silicon-on-Insulator)技術應用到LED驅動的設計中，設計了一款基于SOI工藝的高壓LED驅動芯片。設計時首先提出了該驅動

2、的系統框圖，介紹其工作原理，再對各內部模塊進行了詳細的介紹。該LED驅動輸入電壓范圍為40V至625V，采用峰值電流模式控制，并提供線性與PWM(Pulse Width Modulation)兩種調光方式，根據不同應用，外接的LED燈可達十幾至上百個不等。設計采用X-FAB1μm高壓SOI BCD工藝，可同時集成Bipolar、CMOS和DMOS器件。其內部可集成漏源耐壓達650V，柵端耐壓為20V的N型LDMOS，為實現超高壓設計提供

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