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文檔簡介
1、功率器件的核心問題是功耗問題。高壓器件決定功耗的因素是器件的耐壓和比導(dǎo)通電阻。常規(guī)超薄SOI器件能夠改善器件耐壓和比導(dǎo)通電阻的關(guān)系，但是其存在很嚴(yán)重的熱點問題，會影響器件的可靠性。本文就此提出了兩種新型超薄SOI功率器件。
1、本文提出一種積累型超薄SOI（Silicon On Insulator）LDMOS（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）器件結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在
2、漂移區(qū)表面添加了一個PNP場板，該場板分別于漏端和柵端電氣相連。反向阻斷時，場板輔助耗盡漂移區(qū)，提高漂移區(qū)濃度；正向?qū)〞r，器件漂移區(qū)表面形成電子積累層，降低比導(dǎo)通電阻。電子積累層不僅降低了電阻，而且還消除了器件表面的熱點問題。仿真結(jié)果表明，在保持相近耐壓時，器件的比導(dǎo)通電阻降低為五分之一，為21.1mΩ·cm2；相同功率下，器件表面最高溫度降低了71K。最后，根據(jù)實際提供了兩種工藝實現(xiàn)方法。
2、本文提出一種具有背部刻蝕的積
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