高溫SOI MOS器件的研究與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文系統的研究了27~300℃溫度范圍內SOI/SIMOX MOS器件的物理特性和電學性能.該論文對SOI MOS器件主要寄生效應-浮體效應的溫度特性作了詳細研究.提出了部分耗盡SOI MOS器件電流翹曲效應(Kink效應)溫度特性的解析模型,根據體源結電壓與溫度的關系,得到不同工作溫度下發(fā)生電流翹曲效應時的漏源電壓.同時還分析了薄膜全耗盡SOI MOS器件寄生雙極晶體管的溫度特性.最后該論文討論了與高溫SOI MOS器件有關的設計考

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