3C-SiC壓阻式壓力傳感器研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩79頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、碳化硅(SiC)是當前最有潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有熱穩(wěn)定性強、機械強度高、抗腐蝕、抗輻照等特性，且3C-SiC與Si工藝兼容，這使其成為制造高溫壓力傳感器的理想材料。
　　本文致力于研究工作溫度能達到400℃的3C-SiC壓阻式壓力傳感器，主要內(nèi)容包括3C-SiC薄膜的生長以及其力學(xué)性能測試，傳感器芯片結(jié)構(gòu)與工藝的設(shè)計。
　　本文首先用交替引入源外延(ASE)法來生長3C-SiC薄膜，這比常用的兩步CVD法生長溫度低，

2、有助于改善薄膜的性能，可使在此薄膜上制備的傳感器性能更好。
　　采用納米壓痕法測量了3C-SiC薄膜的硬度和楊氏模量，接著用微結(jié)構(gòu)法測量了3C-SiC薄膜的殘余應(yīng)力，其結(jié)果與用拉曼光譜分析法測量的結(jié)果接近。結(jié)果顯示生長在(100)Si上的3C-SiC薄膜比生長在(111)Si上的3C-SiC薄膜的質(zhì)量好，說明生長在(100)Si上的3C-SiC薄膜更利于制備高性能的傳感器。
　　接著對3C-SiC的壓阻效應(yīng)進行了研究，根據(jù)壓

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論