CuO2平面外非磁性雜質對銅氧化物高溫超導體物理性質影響的理論研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,關于銅氧化物高溫超導材料物理性質受到雜質影響的研究,逐漸成為高溫超導機理研究的熱點之一。本文對銅氧化物高溫超導材料中摻入的位于CuO2平面外的單個非磁性雜質和CuO2平面內的兩個非磁性雜質對系統電子局域態(tài)密度及相關物理性質的影響進行了較為系統地研究。方法是從t-J-U模型出發(fā),利用Gutzwiller平均場近似和Bogoliubov-deGennes(BdG)理論。
　　 在第二章里我們首先介紹了可以有效描述CuO2平面

2、內基本物理過程的理論模型,并介紹了可以較好地處理電子強關聯體系問題的Gutzwiller近似理論以及研究非均勻系統的BdG方程。
　　 在第三章里我們應用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了位于CuO2平面外的單個非磁性雜質對銅氧化物高溫超導材料電子局域態(tài)密度的影響:從t-J-U模型出發(fā)討論了在不同摻雜濃度時位于CuO2平面外的單個非磁性雜質對系統電子局域態(tài)密度的影響。結果我們發(fā)現,在遠離雜質點處電子局域態(tài)密度呈現出典

3、型的非對稱性,在雜質點附近平面外的非磁性雜質使超導能隙變小,但是并沒有明顯破壞超導。而在雜質點附近由于平面外的雜質勢沒有被有效屏蔽而導致CuO2平面內電子的分布在納米尺度上存在著明顯的不均勻性。
　　 在第四章我們應用Gutzwiller近似理論和BdG方程討論了位于CuO2平面內的兩個非磁性雜質對系統電子局域態(tài)密度及相關物理性質的影響。我們發(fā)現,在遠離雜質點的位置,電子局域態(tài)密度和電子分布等物理量依然保持均勻系統時的結果;當摻

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