基于光刻模型的OPC切分研究.pdf

1、隨著集成電路的工藝發(fā)展到超深亞微米階段，集成電路的復雜度越來越高，特征尺寸也變得越來越小，目前最先進的工藝已經達到了22nm。在光刻機使用的光源波長（通常為193nm）遠大于版圖上的特征尺寸時，在硅片上制造出的圖形會發(fā)生明顯的畸變。工業(yè)界使用各種分辨率增強技術(Resolution Enhancement Technology, RET)來應對這一挑戰(zhàn)。光學鄰近校正技術(Optical Proximity Correction, OPC

2、)是一種在目前的集成電路芯片生產過程中被廣泛應用，同時必不可少的技術。在光學鄰近校正的過程中，對集成電路版圖中多邊形采取的切分方案是光學鄰近校正技術應用中的一個關鍵，它對光學鄰近校正的結果有直接而重大的影響。目前，光學鄰近校正配方中的切分方案都是經驗性質的規(guī)則切分。然而這種切分方案在復雜的二維圖形環(huán)境中缺乏全局的適用性，而不完備的切分配方會導致各種制造缺陷。從而，工程師需要耗費大量的時間調試配方，進而影響產品的生產周期。
　　

3、本文研究并首次提出了一種基于光刻模型的切分算法：紋波抑制法。該算法直接以抑制當前仿真圖像上出現的紋波起伏為目標。首先利用光刻模型在指定位置上獲取的空間光強曲線，然后提取出該曲線上的極值點，進而通過對每個極值點分配一定長度的切分片段來獲得新的切分方案，之后再利用格點搜索或者最速下降算法確定算法中關鍵的參數。本文同時又研究了將基于光刻模型的切分算法結合到目前主流的光學鄰近校正流程的問題，提出一種混合的切分方案。最后，通過實驗證實了基于光刻模