基于模型的OPC技術(shù)的評估和驗證.pdf

1、當(dāng)集成電路制造工藝發(fā)展到O.13微米及以下技術(shù)節(jié)點，使用現(xiàn)有曝光設(shè)備(248nm和193nm)，由于日益明顯的光學(xué)l臨近效應(yīng)，集成電路工藝制造已經(jīng)無法制造出滿足電路功能要求的產(chǎn)品。在波長更小的光刻系統(tǒng)出現(xiàn)前，為了能利用現(xiàn)有設(shè)備解決集成電路的可制造性問題，工業(yè)界提出了對掩膜版進(jìn)行失真補償(光學(xué)臨近效應(yīng)修正)和在掩模上加相位轉(zhuǎn)移膜(移相掩膜)等的掩膜校正方法。這些校正方法的基本目的都是為了在已有的生產(chǎn)工藝設(shè)備基礎(chǔ)上制造出更小的特征尺寸，以使

2、晶片上得到的圖形和設(shè)計的版圖相一致。 然而，隨著掩膜版的成本在整個生產(chǎn)中所占比重越來越大，對于光學(xué)臨近效應(yīng)的模型可適性評估以及光學(xué)臨近效應(yīng)修正后的整個版圖可制造性的檢驗在當(dāng)前的集成電路生產(chǎn)流程中并沒有引起足夠的重視，從而導(dǎo)致生產(chǎn)出來的掩膜版因為模型或修正的不足而報廢。在建立好的模型對芯片版圖進(jìn)行修正前，由于模型建立過程中的復(fù)雜性和近似處理等不可避免的會導(dǎo)致模型只具有特定條件下的可用性。另外目前使用的光學(xué)臨近校正方法還是基于邊的修

3、正方式，這就使得修正結(jié)果很大程度受到切段方法的限制，同時在版圖設(shè)計中，設(shè)計者還沒有很好的考慮設(shè)計對制造的友好性問題，這使得版圖中的一些圖形由于周圍條件的限制，無法充分進(jìn)行光學(xué)臨近校正，從而使得版圖設(shè)計即使進(jìn)行了校正處理，還存在大量光刻故障的可能性。因此，為了提高成品率，對修正后的版圖進(jìn)行可制造性驗證就是非常必要的工作。 由于目前基于模型的光學(xué)臨近效應(yīng)修正大量被業(yè)界采用，因此本文主要針對模型的建立和可用性以及修正后版圖可制造性的驗

4、證和設(shè)計。本文主要包括兩部分，第一部分主要介紹了光學(xué)臨近效應(yīng)的原理，光刻模擬算法和模型的分類和影響因素，并且在此基礎(chǔ)上分析對于模型可用性評估時需要研究的幾個方面以及如何有效的通過流程來實現(xiàn)。第二部分在第一部分對于模型評估完成的基礎(chǔ)上，針對傳統(tǒng)方法使用基于邊的修正后版圖檢驗的局限性的問題，介紹了一種基于格點的模擬檢驗方法，用這種方法對版圖進(jìn)行檢查，可以充分找到來自于校正時配方或者是版圖設(shè)計中的缺陷，并給出修改的建議，使得修改后的版圖滿足可