半導體異質(zhì)結中極化子回旋共振及其壓力效應.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用Larsen等人改進的微擾方法,考慮實際異質(zhì)結勢,計及體縱光學聲子、兩支界面光學聲子的影響,從理論上討論磁場下半導體異質(zhì)結中極化子朗道能級的基態(tài)和第一激發(fā)態(tài)的能量,獲得極化子行為對外磁場的依賴關系,并分弱、強磁場和回旋共振三種情況討論極化子回旋質(zhì)量及其壓力效應。對Ⅲ—Ⅴ族GaAs/AlAs半導體異質(zhì)結的計算結果顯示:在弱場極限,盡管體縱光學聲子對極化子回旋質(zhì)量的影響更為重要,但高頻支光學聲子的貢獻是不容忽略的;隨著磁場的增加,兩

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