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文檔簡介
1、采用助熔劑提拉法生長出無宏觀缺陷、光學均勻性好的鐵摻量不同的化學計量比鈮酸鋰晶體,研究總結出了最佳生長工藝參數(shù)。
通過對晶體 X-射線衍射結果的分析,發(fā)現(xiàn)雜質離子的摻入不會改變鈮酸鋰晶體原有的晶格結構,但是晶格常數(shù)會有所變化,并且晶格常數(shù)會隨著摻鐵量的提高逐步增大。通過分析晶體的紅外吸收光譜及紫外—可見吸收光譜,結合相關的缺陷結構模型,研究了摻鐵化學計量比鈮酸鋰晶體中雜質離子的占位機理。
通過二波耦合實驗研究了摻鐵化
2、學計量比鈮酸鋰晶體的光折變性能,結果表明:隨著摻鐵濃度的提高,摻鐵近化學計量比鈮酸鋰晶體的響應時間增加。對于同一個摻鐵化學計量比鈮酸鋰晶體樣品,氧化還原處理對晶體的光折變性能影響明顯,還原態(tài)有較短的寫入時間,而氧化態(tài)有較長的擦除時間。
衍射效率不僅與摻鐵量有關而且與寫入光強有關。低摻雜時衍射效率受摻鐵量的影響為主;而高摻雜時,摻雜濃度和寫入光強同時影響著衍射效率。
利用透射光斑畸變法研究了摻鐵化學計量比鈮酸鋰晶體摻雜
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