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文檔簡介
1、本論文利用Gaussian98程序，采用密度泛函理論B3LYP方法，在6-311G**基組下，研究了SinNm的穩(wěn)定構型及PCl3/H2在硅襯底表面上反應機理。 第一部分用Si4原子簇模擬硅襯底，探討了PCl3/H2在硅襯底表面上的反應機理。在硅襯底上PCl3首先發(fā)生解離吸附，然后吸附產物與H2經四步驟多通道反應，最終得到了PSi4原子簇。全參數(shù)優(yōu)化反應勢能面上各駐點的幾何構型，然后通過對各過渡態(tài)唯一虛頻振動模式分析和內稟反應坐
2、標(IRC)計算確認過渡態(tài)，給出了反應的主反應通道。 第二部分全面系統(tǒng)地對SinNm體系的微觀穩(wěn)定構型進行了理論研究。探討SinNm原子簇的可能存在穩(wěn)定構型和各穩(wěn)定構型之間Si-N化學鍵鍵長以及各種構型相對穩(wěn)定性的變化規(guī)律。分析得出：[1]當物質中氮原子數(shù)目m=1，2，3個時，硅原子數(shù)目從1變化至3時，各物質最穩(wěn)定構型為線性或平面結構；當?shù)訑?shù)目m=4時，硅原子數(shù)目從1變化至3時，各物質最穩(wěn)定構型都為三維立體結構。[2]同種物
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