復合型硅基場發(fā)射陣列陰極研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、場發(fā)射陣列陰極作為一種新型電子源，具有體積小、功耗低、響應速度快、抗輻射、工作溫度范圍寬等優(yōu)點，在眾多領域有著重要的應用前景。但是目前，陰極的發(fā)射電流密度低和發(fā)射穩(wěn)定性差，限制了其在實際器件中的應用。
　　本文在傳統微尖FEA結構基礎上，采用新型的發(fā)射材料和獨特的工藝，對復合型硅基場發(fā)射陣列陰極進行了制備和研究：選用附著力好、熔點高的多晶硅材料作為高阻尖錐基進行沉積；選用逸出功低、熔點高、電導率高、耐離子轟擊、化學性質穩(wěn)定的六硼化

2、鑭作為發(fā)射尖錐材料進行尖錐覆膜，以提高陰極的發(fā)射電流密度和發(fā)射穩(wěn)定性。
　　本文工作主要有：復合型硅基場發(fā)射陣列陰極的工藝研究、動態(tài)測試和結果分析。論文詳細研究了陰極陣列的制備工藝：在 n型硅襯底上，用硅熱氧化工藝制作800 nm的絕緣層；采用磁控濺射法沉積200 nm的Ti-W柵極；使用半導體光刻工藝制作間距6μm，孔徑1μm的空腔陣列，并對腔腹進行化學刻蝕；采用真空熱蒸發(fā)法蒸鍍Al犧牲層，電子束蒸發(fā)法沉積多晶硅尖錐基。通過對犧

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