簡介：西安電子科技大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文基于SMLC0．18UMEEPRON工藝的標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計作者吳樂順導(dǎo)師莊奕琪教授學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)中國西安2013年1月西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性或創(chuàng)新性聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切的法律責(zé)任。本人簽名蘭．孟瞳ET期竺21LJ西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。同時本人保證，畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再攥寫的文章一律署名單位為西安電子科技大學(xué)。保密的論文在解密后遵守此規(guī)定本學(xué)位論文屬于保密，在一年解密后適用本授權(quán)書本人簽名蘭五睦。導(dǎo)師簽名日期型叢三ET期三巫5

簡介：西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文基于RFCMOS工藝的2．4GHZ正交頻率合成研究與設(shè)計作者章磊導(dǎo)師莊奕琪教授學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)中國．西安2011年1月?ILL1IILLLLLLLL1ILLIILY2068506RESEARCHANDDESIGNOFA2．4GHZORTHOGONALFREQUENCYSYNTHESIZERBASEDOILRFCMOSTECHNOLOGYADISSERTATIONSUBMITTEDTOXIDIANUNIVERSITYINCANDIDACYFORTHEDEGREEOFMASTERINMICROELECTRONICSANDSOLID．．STATEELECTRONICSBYZHANGLEIXI’ANP．R．CHINAJANUARY2011

簡介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文基于RFID芯片應(yīng)用的013ΜM高密度MIM電容制造工藝研究姓名張平申請學(xué)位級別碩士專業(yè)軟件工程指導(dǎo)教師程秀蘭陸鋒200812183STUDYON13ΜMHIGHDENSITYMIMCAPACITORMANUFACTORYPROCESSFORRFIDCHIPAPPLICATIONABSTRACTRFIDPRODUCTISWIDELYAPPLIEDCONSISTWITHTHESEMICONDUCTORTECHNOLOGYDEVELOPMENTBUTWITHTHERFIDCHIPCRITICALCDSCALINGDOWN,THEMANUFACTORYPROCESSOFRFIDCHIP’SMIMCAPACITORBECAUSETHEKEYPOINTSO,THISPAPERCHOOSE013ΜMHIGHDENSITYMIMCAPACITORMANUFACTORYPROCESSSTUDYFORRFIDCHIPAPPLICATIONASATOPICTOSTARTEXPERIMENTTHEEXPERIMENTMAINLYFOCUSONTHESEVERALMIMINSULATORMATERIALSTUDY,THENCOMBINETHECAPACITORSTRUCTUREDESIGNTOFINDTHEOPTIMIZEMIMCAPACITORMANUFACTORYPROCESSFORRFIDCHIPAPPLICATIONANDALLELECTRICCHARACTERSATISFIEDTHERFIDCHIPREQUESTTHEEXPERIMENTRESULTSHOWEDFIRST,SINANDSIO2,FORTHEIRLOWKCHARACTER,ONLY2FF/?M2DENSITYMIMCAPCANBEACHIEVED,BUTTHESTRUCTURESHOWGOODELECTRICCHARACTERONLEAKAGE,BVD,TCC,VCCSECOND,USEHIGHKAL2O3ANDSIO2COMBINEFILMCANACHIEVEHIGHDENSITYMIMCAP,BUTTCCANDVCCPERFORMANCENEEDFURTHERIMPROVELAST,FORMDESIGNVIEW,ASTACKMIMSTRUCTUREWASAPPLIEDWITHLOWKSIN/SIO2FILMASDIELECTRICCANGET4FF/?M2HIGHDENSITYMIMCAPDEVICE,ANDALLELECTRICCHARACTERMEETTHERFIDCHIPREQUESTKEYWORDSRFID,METALINSULATORMETALCAPACITOR,HIGHKDIELECTRIC,TCC,VCC,ALD

簡介：山東大學(xué)碩士學(xué)位論文基于CBR的數(shù)控車削工藝設(shè)計姓名路坤申請學(xué)位級別碩士專業(yè)機(jī)械制造及其自動化指導(dǎo)教師王兆輝20070515山東大學(xué)碩士學(xué)位論文皇蔓皇_皇_喜皇置_置蔓鼉_寡曼鼉_皇曼置_皇皇曼曼魯_墨曼鼉_墨罾皇___量舞_皇目_一III目ABSTRACTCASEBASEDREASONINGCBRISAPROBLEMSOLVINGAPPROACHOFTHEARTIFICIALINTELLIGENCE，ANDITSESSENCEISTOSOLVEANEWPROBLEMBYUSINGTHESOLUTIONSTOTHEOLDPROBLEMS．THEAPPLICATIONOFCBRINNUMERICALCONTROLTURNINGPROCESSINGFIELDISINVESTIGATED．WHENANEWWORKPIEEEISTOBEMACHINEDBYNUMERICALCONTROLTURNING，THECUTTINGSOLUTIONOFTHESUCCESSFULLYMACHINEDOLDWORKPIECE，SIMILARTOTHENEWONE，CANBERETRIEVEDBYTHEUSEOFCBR，ANDBEREFEREEDTOASTHEPROPOSEDSOLUTIONTOTHENEWWORKPIEEE．ESTABLISHNUMERICALCONTROLTURNINGSYSTEMBYTHEUSEOFCBR，COULDSHORTENTHETIMEOFCAPPANDDECISIONMAKING，COULDMAKEUSEOFPRACTICEEXPERIENCEBETTER．CURRENTLY，RESEARCHOFCAPPSYSTEMOFCBRFASTENONGENERALMACHINING．PAPERAIMATCAPPSYSTEMOFNUMERICALCONTROLTURNINGPROCESSINGUSINGCBR，DEVELOPRESEARCHOFCAPPSYSTEMOFCBR．FIRSTLY．THISPAPERSTUDIESTHEEXPRESSIONANDBUILDINGOFCASESMODELS．ACCORDINGTOTHEREQUIREMENTSOFPROCESSDESIGNOFCBR，THISPAPER’ADOPTINGCHARACTERISTICTECHNIQUES，BUILDSAKINDOFMODELTHATCANSUPPORTCBRTECHNIQUES．SECONDLY，THISPAPERGIVESASEARCHESPROCESSOFGASES．CONSIDERINGTECHNIQUESOFPART，THISPAPERPROVIDEALIKELIHOODDECISIONRULEBASEDONCHARACTERISTICANDPROCESSES．DIRECTION，THISRULEENHANCESTHEVERACITYOFEASEMATCHING，IMPROVESTHEREUSEOFEASESPROCESS，LASTLY，THISPAPERSTUDIESPRELIMINARILYMODIFICATIONOFCASESTHEAUTHORTHINKSTHATADOPTINGCBRTECHNIQUESTODESIGNPROCESSCANRESOLVETHE“KNOWLEDGEBOTTLENECK”PROBLEM．KEYWORDSNUMERICALCONTROLTURNINGPROCESSINGCASEBASEDREASONING；CASEEXPRESSION；CASERETRIEVE．Ⅱ

簡介：碩士學(xué)位論文題目基于基于BSIM3的05ΜM工藝工藝CMOS器件器件建模建模及納米級納米級RF器件器件STI應(yīng)力的研究應(yīng)力的研究研究生余云娟專業(yè)微電子學(xué)與固電子學(xué)指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師李文鈞副教授劉軍副教授完成日期完成日期2012年12月杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文基于BSIM3的05ΜM工藝CMOS器件建模及納米級RF器件STI應(yīng)力的研究研究生生余云娟指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師李文鈞副教授劉軍副教授2012年12月

簡介：杭州電子科技大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)說明原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品或成果。對本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。申請學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切相關(guān)責(zé)任。論文作者簽名剖泵溺日期P1F年3月2多日學(xué)位論文使用授權(quán)說明本人完全了解杭州電子科技大學(xué)關(guān)于保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識產(chǎn)權(quán)單位屬杭州電子科技大學(xué)。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文工作成果時署名單位仍然為杭州電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。保密論文在解密后遵守此規(guī)定論文作者簽名剖嚷涌日期’們7年3月Z／日指導(dǎo)撕簽名盆奸C糾烈吼妒，／年月二鄉(xiāng)日杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文基于BSIM4的SMIC0013UM工藝RFMOSFET建模研究生劉秉濤指導(dǎo)教師余志平教授孫玲玲教授

簡介：浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文基于ASM2的A/O工藝機(jī)理模型及自動控制研究姓名王華豐申請學(xué)位級別碩士專業(yè)控制理論與控制工程指導(dǎo)教師王文海20050301ABSTRACTNOW,THEACTIVATEDSLUDGEPROCESS,AKINDOFWASTEWATERTREATMENTWITHCOMPLICATEDMECHANISM,NONLINEARANDVARYING,HASBEENEXTENSIVELYUTILIZEDINTHEINDUSTRIALANDMUNICIPALWASTEWATERTREATMENTTHISWAYHASMANYDIFFICULTIESINDESIGN,RUNMANAGEMENTANDCONTROLSO,THEMETHODOFACTIVATEDSLUDGEMODELANDREALTIMEMONITORSYSTEMISVERYIMPORTANT,WHICHIMPROVESEFECTOFWASTEWATERTREATMENTANDMANAGEOFMANUFACTURENOWADAYS,THESOCIETYPAYSMOREATTENTIONONENVIRONMENTPROTECTIONASREMOVEOFORGANICMATER,THEREQUESTOFREMOVEOFNITROGENANDPHOSPHORUSISBECOMINGSTRICTERANDSTRICTERSO,BASEDONTHEACTIVATEDSLUDGEPROCESSWITHTHEASM2MODELOFREMOVEOFNITROGENANDPHOSPHORUS,ITIINECESSARYTOCREATEAMODELDEPENDEDONCONCRETEREQUESTOFTECHNOLOGYPROCESSTOADAPTTHEAPPLICATIONNEEDTHEMAINRESEARCHWORKAREASFOLLOWS1,THISPAPERSUMMARIZEDTHEMEANINGINRECYCLINGTHEWASTEWATERANDTHERESEARCHVALUEOFWASTEWATERPROCESSMODELITALSOINTRODUCEDTHEDOMESTICANDINTERNATIONALACTUALITYOFAUTOMATICCONTROLSYSTEM,ANDTHEBASICTACTICOFWASTEWATERPROCESSCONTROL2,THISPAPERINTRODUCEDTHEPRINCIPLEANDPROCESSOFACTIVATEDSLUDGEPROCESS,ANDMAKEDETAILEDINTRODUCEFORITSTYPICALTECHNIQUEA2/OITALSOSIMPLYINTRODUCEDSOMEACTIVATEDSLUDGEPROCESS3、BASEDONTHEDETAILEDINTRODUCTIONOFASM2MODEL,WESIMPLIFIEDTHECOEFFICIENTOFEQUATIONANDDERIVEDTHEGENERALEQUATIONOFSPEEDOFRESPONSEATTHESAMETIME,AIMINGATTHETHEORYOFA2/OTECHNOLOGYPROCESS,THISPAPERPROPOSEDSUPPOSINGANDSIMPLIFIEDTHEEQUATIONSPARAMETERANDDIMENSIONFURTHERMORE,THISPAPERDERIVEDTHEMECHANISMMODELOFA2/OTECHNOLOGYPROCESSANDMADEEMULATIONANDANALYSISTOTHEMODEL4,BASEDONANCONCRETEPROJECT,THISPAPERINTRODUCEDTHEAUTOMATICCONTROLANDMONITORSYSTEMTHEKEYDESCRIPTIONSAREABOUTTHECONFIGURATIONOFPCANDTHECOMPOSINGOFNETWORKKEYWORDWASTEWATERTREATMENT,ACTIVATEDSLUDGEPROCESS,MATHEMATICSMODEL,ASM2,AZ/O,AUTOCONTROL

簡介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文基于05ΜMCMOS工藝的D類功率放大器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)姓名郭菁申請學(xué)位級別碩士專業(yè)集成電路指導(dǎo)教師李智群徐永斌20080410ABSTRACTACLASSDAUDIOPOWERAMPLIFIERISDESIGNEDINTHISTHESIS．COMPAREDWITHTHECONVENTIONALAUDIOPOWERAMPLIFIER,THECLASSDPOWERAMPLIFIERHASITSUNIQUEPERFORMANCEADVANTAGES．ITSHI曲WORKEFFICIENCYANDLOWPOWERREQUIREMENTSMADEITAPPLYTOMOBILEDEVICESMOREANDMOREWIDELY．．THETOPICISBASEDONTHEBASICPRINCIPLEOFTHECLASSDAUDIOPOWERAMPLIFIER,DESIGNINGTHECIRCUIT，MODIFYINGCIRCUITPARAMETERSWHICHCOMBINED謝THHSPICESIMULATIONTOOLS，ANDRESEARCHTHECIRCUITS缸UCTURE．THECLASSDPOWERAMPLIFIERISDESIGNEDSUCCESSFULLY，WHICHBASEDON0．51AMCMOSPROCESS．HSPICESIMULATIONSPROVEDTHATTHECIRCUITCANWORKPROPERLY．THEPOWERISONLYLOMAATTHENORMALWORKINGCONDITIONS．REFERTOSOMECOMMERCIALPRODUCTS’DATASHEET，WESETOURDESIGNTARGETSANDTHISCIRCUITHASSTABLEPERFORMANCEOVERPROCESS，TEMPERATUREANDSUPPLYVOLTAGEVARIATIONS．THESIMULATIONSSHOWEDTHATTHEPERFORMANCEAPPROACHESANDEVENEXCEEDSSOMECOMMERCIALPRODUCTS．INPRESENT,THEDESIGNHASBEENREALIZEDINCSMC’S0．51,TMCMOSPROCESSTHROUGHTHEMPWMODEAPPROACHANDPASTASTRICTTEST．MOSTOFTHETESTRESULTSMEETOURDESIGNTARGETS．INTHEAUDIOAMPLIFICATIONICMARKETWHEREVOLUME，EFFICIENCY,HEATSENSITIVEAREIMPORTANTPARAMETERSISPOTENTIALMARKETOFCLASSD．CMOSPROCESSESHASADVANTAGEOFLOWPOWERANDLOWCOSTINACHIEVINGTHEAUDIOAMPLIFIERBUSINESS．THEEXTENSIVEUSINGOFCLASSDAUDIOAMPLIFIER,WILLGREATLYPROMOTETHEMOBILECOMMUNICATIONSANDPORTABLEAUDIODEVICESDEVELOPMENT．KEYWORDSCLASSD；POWERAMPLIFIER；COMPARATOR；CMOS；LAYOUT；CADENCE

簡介：DESIGNOFK．AI。MANFILTERBASEDONⅦRJLOGHDLADISSE純LTIONSUBMITTEDTOFORTHEACADEMICDEGREEOFM舔TEROFENGME血GBYCUI、觸LEISUPERYISEDBY鋤DLIILZH饑GP噸SCHOOLOFINTE卿EDCIRC血SSOU【MEASTUMVERS塒2012OCTOBER摘要摘要傳統(tǒng)的水銀體溫計可能造成汞污染，還有等待時間長、讀數(shù)不便、并且難以對人體體溫進(jìn)行連續(xù)的監(jiān)測等缺點(diǎn)。相對而言，數(shù)字體溫計有較輕便、體積相對小、使用時測量等待的時間較短，使用起來較為方便，采用了LCD、LED等來顯示所測量的溫度，讀數(shù)比較直觀，并目．對匕次測量溫度有存儲功能等優(yōu)點(diǎn)。故而人們將人體體溫計如何實(shí)現(xiàn)數(shù)字化作為個長久以來不斷努力的目標(biāo)。本文概述了體溫計量數(shù)字化的優(yōu)勢和原理，當(dāng)前體溫計量的主要方法，以及數(shù)字體溫計的功能要求。根據(jù)體溫測量本身的特點(diǎn)，采用了基于線性插值法，并解決了溫度模擬量轉(zhuǎn)化成數(shù)字模擬量的問題，完成了體溫計量系統(tǒng)的設(shè)計，把溫度模擬量轉(zhuǎn)化為敏感振蕩器的頻率，頻率測量的是由規(guī)定時間內(nèi)有幾個脈沖來實(shí)現(xiàn)；采用了脈沖調(diào)節(jié)電路，兩次調(diào)節(jié)脈沖的頻率，實(shí)現(xiàn)了對溫度參數(shù)之間與熱敏電阻的阻值之間的關(guān)系線性化的轉(zhuǎn)化。研究了咖S電路功耗的構(gòu)成及產(chǎn)生的具體原因，講述了如何降低功耗采用的主要方法，然后按照低功耗的相應(yīng)要求設(shè)計了具體的體溫計量電路。體溫計量電路的設(shè)計采用的是無錫上華圓℃1．OIIM№LVQ矗S的工藝際準(zhǔn)。對電路的具體仿真測試是采用了SP咖匝及VERILOG孔等仿真工具軟件，仿真結(jié)果顯示了所設(shè)計體溫計系統(tǒng)電路在32．O℃～42．O℃∽O．O下～108．0下的溫度范圍內(nèi)具有±0．1℃±0．2下的精度，并可提供華氏和攝氏兩種溫度結(jié)果。關(guān)鍵詞數(shù)字體溫計量低功耗系統(tǒng)設(shè)計線性插值法攝氏和華氏

簡介：密級碩士學(xué)位論文（全日制專業(yè)學(xué)位碩士）（全日制專業(yè)學(xué)位碩士）題目基于05ΜMCMOS工藝的直接式胎壓監(jiān)測芯片設(shè)計與實(shí)現(xiàn)（英文（英文）DESIGNANDREALIZATIONOFDIRECTTIREPRESSUREMONITORINGCHIPBASEDON05ΜMCMOSTECHNOLOGY研究生學(xué)號1402304004研究生姓名馮春燕指導(dǎo)教師姓名、職稱指導(dǎo)教師姓名、職稱李琦教授申請學(xué)位類別工程碩士領(lǐng)域集成電路工程論文答辯日期2017年6月摘要I摘要隨著汽車數(shù)量越來越多，由爆胎引起的交通事故越來越頻繁，相應(yīng)地汽車安全行駛問題逐漸成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)TPMSTIREPRESSUREMONITORINGSYSTEM是保證汽車安全行駛的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比國外，我國對TPMS的研究比較晚，目前還沒有自主知識產(chǎn)權(quán)的成果問世。作為TPMS核心器件的輪胎壓力監(jiān)測芯片，其關(guān)鍵技術(shù)也還主要依賴國外巨頭?；诖耍菊n題設(shè)計了一款可應(yīng)用于低頻喚醒機(jī)制TPMS系統(tǒng)中的直接式胎壓監(jiān)測芯片。它采用CSMC05ΜMCMOS工藝研究與設(shè)計，有效工作電壓至少為26V，正常工作時的溫度范圍是35℃～125℃，采用的幀結(jié)構(gòu)為32位，基帶速率標(biāo)稱值為500BPS。直接式胎壓監(jiān)測芯片主要利用3V紐扣電池進(jìn)行供電，通過智能控制、處理輪胎信息得到適合于通信用的數(shù)據(jù)幀信號，實(shí)現(xiàn)對輪胎溫度或壓力等信息的實(shí)時監(jiān)測。電路包括電源管理、AD轉(zhuǎn)換和基帶編幀三大模塊。其中，電源管理模塊采用跳周期調(diào)制方式，保證芯片在跳過的周期內(nèi)無功耗產(chǎn)生；AD轉(zhuǎn)換模塊采用逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)，不僅電路簡單而且分辨率高；基帶編幀模塊以幀為單位，采用歸零碼的編碼形式實(shí)現(xiàn)對數(shù)據(jù)的并串轉(zhuǎn)換。本文對每個模塊中的子電路都進(jìn)行了詳盡的分析，其中比較深入研究的電路包括帶隙基準(zhǔn)源、AD轉(zhuǎn)換模塊和基帶編幀模塊中的子電路。所有電路的設(shè)計都是在CADENCE平臺上實(shí)現(xiàn)，首先利用仿真軟件對每個子電路以及模塊間的級聯(lián)電路進(jìn)行仿真分析，然后根據(jù)工藝手冊進(jìn)行版圖設(shè)計。仿真結(jié)果顯示該芯片滿足設(shè)計指標(biāo)。關(guān)鍵詞TPMS；電源管理；AD轉(zhuǎn)換；基帶編幀

簡介：學(xué)校代號10731學(xué)號133085201174分類號TH16密級公開工程碩士學(xué)位論文基于3D打印技術(shù)制作鑄型中模樣的工藝研究學(xué)位申請人姓名曹雅莉培養(yǎng)單位機(jī)電工程學(xué)院導(dǎo)師姓名及職稱李宗義教授白天萍高級工程師學(xué)科專業(yè)機(jī)械工程研究方向先進(jìn)制造技術(shù)論文提交日期2017年4月20日RESEARCHONTHETECHNOLOGYOFMAKINGTHESHAPEOFTHEMOULDBASEDON3DPRINTINGTECHNOLOGYBYCAOYALIBELANZHOUUNIVERSITYOFTECHNOLOGY2001ATHESISSUBMITTEDINPARTIALSATISFACTIONOFTHEREQUIREMENTSFORTHEDEGREEOFMASTEROFENGINEERINGINMECHANICALENGINEERINGINTHESCHOOLOFMECHANICALSCIENCEANDENGINEERINGLANZHOUUNIVERSITYOFTECHNOLOGYSUPERVISORPROFESSOR,LIZONGYIAPRIL,2017

簡介：Y1219529分類號密級幺盈重慶郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文論文題目基于0．35PM工藝的紅外焦平面陣列CMOS讀出電路設(shè)計英文題目DESIGNOFINFRAREDFOCALPLANEARRAYCMOSREADOUTCIRCUITSBASEDON0．35／JMPROCESS碩士研究生汪建平指導(dǎo)教師熊平研究員學(xué)科專業(yè)徽電子與固體電子學(xué)論文提交日期2007．05．18論文答辯日期2007，06．02論文評覷人劉必晨研究員周平教授答辯委員會主鷹碰垂玉如基￡2007年／_二日重慶郵電大學(xué)碩士論文ABSTRACTINFRAREDFOCALPLANEARRAYIRFPAHASA稍DERANGEOFMILITARY，MEDICAL，INDUSTRIALANDSCIENTIFICAPPLICA虹ONS．INGENERAL，IRFPA啪BEDIVIDEDINTOTWOMAJORPARTS，NAMELYDETECTORARMYANDREADOUTCIRCUITS．ITSWORKPRINCIPLEISSUCHASLOCALCHARGEDIRECTLYPROPORTIONEDTOINCIDENCEINFRAREDRADIATIONWILLPRODUCEINTHEPLACEOFINCIDENCELOCATIONWHENINFRAREDDETECTORSONTHEFPARECEIPTINFRAREDINFORMATION,SUBSEQUENTLY，THECHARGEWILLBEREADOUTTHROUGHSCANNINGFP丸ATMOSTEXTENT,PERFORMANCEOFREADOUTCIRCUITSDETERMINESOPERATIONOFWHOLEIRFPA,WHEREHI曲RESOLUTIONANDHIGHPERFORMANCEREADOUTCIRCUITSISREQUIRED．ATPRESENT,READOUTCIFCUITSMAINLYINCLUDETWOTYPESOFCCDANDCMOS．ANDCMOSREADOUTCIRCULMMARCBECOMINGDEVELOPMENTDIRECTIONBECAUSEOFITSLOWERCOSTANDLOWERPOWERDISSIPATION．THEAUTHORHASREADMANYLATESTCORRESPONDINGMATERIALSATHOMEANDABROAD,ANDHASGOTAGENERALVIEWOFTHESTATEOF瓜FPA．INTHEPROCESSOFCIREULTSDESIGNANDSIMULATION,THESOIHARETOOLSOFCADENCEIC5．0AREUSED,ATTHESAMETIME，CHRTO。35URN2P3MDUALGATEPBULKNWELLSMIXEDMODEPROCESSISAPPLIED．THEKEYTOTHEDESIGNISINTEGRATIONCIRCUITSANDBUFFERCIMILITS．N圯STRUCTUREOFCLRIAISADOPTEDINCELLOFINTEGRATIONCIRCUITS．SINGLEROUTEOUTPMCORRELATEDDOUBLESAMPLINGTECHNIQUEISUTILIZEDFORREDUCINGKTCNOISE．NOTEWORTHINESS，CAPACITANCEOFCDSCIRCUITSANDINTEGRATIONCELLISREPLACEDFORONECAPACITANCEBYWAYOFSPECIALCONTROLSTRUCTUREINTHEINTERESTOFCHIPAREA．THESTRUCTUREOFSOURCEFOLLOWERSISUSEDINBUFFERCKEUL招，WHEREMPUTWANSISTOROFSOURCEFOLLOWERSISDEPLETIONTRANSISTOR．BODYEFFECTCANBEELIMINATCDBECAUSETHEBULKISTRIEDTOTHESOV盯CEOFPMOS．ONTHEWHOLE，THEDESIGNEDCIRCULTSCANREACHTHEAPPOINTEDSPECIFICATION．DISCONTENTEDLY，POSTSIMULATIONDONTMADE,ANDTAPEOUTCANBENOTREALIZED．THEDESIGNEDREADOUTCIRCUITSCANBEAPPLIEDWITHGENERALINFRAREDFOCALPLANE．KEYWORDSIRFPA,CMOS，CTIA,CDS，SHIFTREGISTERⅡ

簡介：分類號學(xué)號M201072093學(xué)校代碼10487密級碩士學(xué)位論文基于基于018ΜMCMOS工藝的高速低工藝的高速低功耗功耗EEPROM關(guān)鍵電路設(shè)計關(guān)鍵電路設(shè)計學(xué)位申請人王巨智學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師鄒雪城教授答辯日期2013121獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除文中已經(jīng)標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文的研究做出貢獻(xiàn)的個人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名日期年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密□，在年解密后適用本授權(quán)書。不保密□。（請在以上方框內(nèi)打“√”）學(xué)位論文作者簽名指導(dǎo)教師簽名日期年月日日期年月日本論文屬于

簡介：電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文MASTERTHESISFORPROFESSIONALDEGREE（電子科技大學(xué)圖標(biāo)）論文題目基于基于054ΜMCMOS工藝工藝的ESD防護(hù)防護(hù)研究研究專業(yè)學(xué)位類別工程碩士程碩士學(xué)號201222030136作者姓名紀(jì)長志紀(jì)長志指導(dǎo)教師劉志偉劉志偉副教授副教授INVESTIGATIONOFESDPROTECTIONBASEDON054ΜMCMOSTECHNOLOGYAMASTERTHESISSUBMITTEDTOUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINAMAJORMASTEROFENGINEERINGAUTHORJICHANGZHIADVISORPROFLIUZHIWEISCHOOLSCHOOLOFMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICS

簡介：天津大學(xué)碩士學(xué)位論文基于018ΜM工藝的UHFRFID應(yīng)答器電源與時鐘電路的研究與設(shè)計姓名鄭軒申請學(xué)位級別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師毛陸虹20080501ABSTRACTRFIDTECHNOLOGYWHOSEIDENTIFICATIONDEPENDSONNON‘CONTACTBIDIRECTIONALDIGITALCOMMUNICATIONBYWIRELESSRFCARRIERISAKINDOFAUTOMATICIDENTIFICATIONTECHNOLOGY．RFIDISARISINGTECHNOLOGYANDITISDEVELOPINGINTOAPRACTICALPHASEDUETOTHEMATUREOFVLSIANDTHEDECREASINGOFRFIDSYSTEMVOLUME．RECENTLY,RFIDISDEVELOPINGFASTASTHEFASTDEVELOPINGOFSEMICONDUCTORTECHNOLOGYANDOTHERRELATIVETECHNOLOGIES．RFIDISBECOMINGAVERYRELIABLETECHNOLOGY．BUTFORUHFRFIDPRODUCTS，THEREISNOQUALIFIEDONEINTHEWHOLECOUNTRY．WEARESTILLUNDERWAY．FURTHERMORE，OURENTERPRISESOFRFIDSYSTEMCOMPLETELYRELYONTHECHIPOFIMPORT．THEYDON’THAVEANYINTELLECTUALPROPERTYRIGHTS．WELACKOFTHECAPABILITYOFDESIGNINGHIGHFREQUENCYANDLOWPOWERCIRCUIT．SOOURDEVELOPINGOFUHFRFIDPRODUCTSISVERYSLOW．AHIGHPERFORMANCECLOCKRECOVERYANDPOWERRECOVERYCIRCUITOFUHFRFIDTRANSPONDERWHICHISCOMPATIBLEWITHISO180006TYPECSTANDARDISPRESENTEDINTHISPAPER．THEPOWERRECOVERYCIRCUITISINCLUDINGRECTIFIER,VOLTAGELIMITER,REGULATOR,VOLTAGEREFERENCEANDSOON．THEOUTPUTVOLTAGEOFPOWERRECOVERYCIRCUITMUSTNEEDASLESSPOWERASPOSSIBLEANDMEETALLOFTHECOMMANDANDCURRENTNEED．THECIRCUITMUSTBESIMPLICITYTODECREASETHEPOWERDISSIPATIONANDWEUSELOWPOWERDESIGNTECHNIQUETOENSURETHEDESIREDWORKINGRANGE．THECLOCKRECOVERYCIRCUITISCOMPOSEDOFALOWPOWERANDHIGHSTABILIZATIONOSCILLATOR．THEPOWERDISSIPATIONOFOSCILLATORISTHEMAINPARTOFTHEPOWERDISSIPATIONOFTHEWHOLEANALOGFRONTEND，SOWENEEDTOOPTIMIZETHEPOWERDESIGN．ATTHESAMETIME，THECLOCKFREQUENCYOFTHEOSCILLATORWITHOUTTRIMMINGISVERYSENSITIVETOTECHNOLOGY，SOWESHOULDPAYATTENTIONTOTHATASWELL．WEAPPLYSMIC0．181AMTECHNOLOGYTOACCOMPLISHOURCIRCUITANDLAYOUTDESIGN．THESIMULATIONRESULTSHOWSTHATTHECHIPWORKSWELLAT915MHZWORKINGFREQUENCYFORALLCONDITIONANDWEMEETTHESPECIFICATIONWELL．THECURRENTOFTHEWHOLEANALOGFRONT．ENDIS1ESSTHAN13釁FORALLCONDITION．KEYWORDSRFIDTAG，LOWPOWERFRONTEND，POWERRECOVERY，CLOCKRECOVERY