簡介：分類號密級UDC學(xué)號桂林電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文題目題目基于018基于018ΜMCMOS工藝的24GHZ全集成線性MCMOS工藝的24GHZ全集成線性功率放大器研究與設(shè)計(jì)功率放大器研究與設(shè)計(jì)（英文）（英文）RESEARCHOFA24GHZFULLYINTEGRATEDLINEARPOWERAMPLIFIERIN018ΜMCMOSTECHNOLOGY研究生姓名張吉左指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)段吉海（教授）申請學(xué)科門類工學(xué)碩士學(xué)科、?？?、專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)提交論文日期2011年4月論文答辯日期2011年6月2011年6月16日摘要I摘要近年來，無線通信市場的高速發(fā)展促使高性能無線收發(fā)設(shè)備向高集成度、低成本、小體積和多元化方向發(fā)展。隨著CMOS工藝的發(fā)展，功率放大器已經(jīng)被成功的實(shí)現(xiàn)了全集成。在射頻發(fā)信系統(tǒng)中，功率放大器通常是最后一級功能模塊。在信號發(fā)射到空中之前，功率放大器進(jìn)行信號放大，使信號功率達(dá)到要求的水平，然后發(fā)射出去。功率放大器是無線收發(fā)系統(tǒng)關(guān)鍵模塊，利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)全集成功率放大器面臨諸多挑戰(zhàn)，包括低的本征增益、大的晶體管寄生電容和電阻以及缺乏高品質(zhì)的集成無源器件。一個(gè)主要制約高性能功率放大器的因素是低的擊穿電壓，它使功率放大器工作在大電流、低阻抗的狀態(tài)下，而這種狀態(tài)下的功率放大器對寄生損耗很敏感。在射頻功率放大器應(yīng)用中，一般采用兩級結(jié)構(gòu)的功率放大器，第一級采用共源共柵結(jié)構(gòu)以提高增益，第二級采用共源級結(jié)構(gòu)以增加輸出電壓擺幅。功率放大器的偏置電壓由帶隙基準(zhǔn)提供。本論文采用SMIC018ΜMRFCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)適用于IEEE80211B標(biāo)準(zhǔn)的無線局域網(wǎng)射頻前端的全集成線性功率放大器。該設(shè)計(jì)采用了負(fù)載線匹配和穩(wěn)定性技術(shù)。CADENCESPECTRERF仿真結(jié)果表明，輸入功率為0DBM時(shí)，功率增益為20DB；輸入輸出匹配良好，S11為20DB，S22為27DB，輸出1DB壓縮點(diǎn)為250911DBM，輸出OIP3三階截點(diǎn)31DBM。該功率放大器的偏置電壓由帶隙基準(zhǔn)源提供，帶隙基準(zhǔn)輸出電壓2V和15V。帶隙基準(zhǔn)源中的運(yùn)算放大器的增益為6776DB，相位裕度等于61o。該功率放大器符合IEEE80211B標(biāo)準(zhǔn)的無線局域網(wǎng)的設(shè)計(jì)要求。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞CMOS；功率放大器；帶隙基準(zhǔn)．

簡介：北京郵電大學(xué)碩士學(xué)位論文基于流媒體技術(shù)的智能終端的研究姓名于文淵申請學(xué)位級別碩士專業(yè)電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師李紹勝20070305THERESEARCHABOUTMOBILETERMINALMEDIAPLAYERABSTRACTTHISDISSERTATIONDISPLAYSTHERESEARCHANDDESIGNOFTERMINALMEDIAPLAYERBASEDONSTREAMMEDIATECHNOLOGY．THISMEDIASYSTEMINTEGRATESEMBEDDEDPROCESSORLIED．LINUXCOREANDDOMESTICMINIGUI．THEMEDIAPLAYERCOMBINESTHEFUNCTIONSOFAUDIO／VIDEOMEDIAPLAYER,ENTERTAINMENTSPLATFORMANDMMS．ITCANACCESSTOVODSERVICE,WEBSITEBROWSERANDPLAYINGAUDIO／VIDEOMEDIAFILES．NISSYSTEMCALLSMOOTHLYTRANSFERANDPLAYVIDEOFILEFROMVIDEOSERVELITCANALSOBEAMONITORBYSENDINGMMSPICTURESOFONE’SFAMILYTOTHEMOBILEPHONEHOLDER．INCHAPTER1，ACOMPREHENSIVEDESCRIPTIONABOUTTHESIGNIFICANCEANDCONTENTOFTHERESEARCHISGIYEN．THECURRENTRESEARCHSTATUSOFMOBILEMULTIMEDIAPLAYERANDSTREAMMEDIATECHNOLOGYISDESCRIBED．INCHAPTER2，ADESCFIPTIONABOUTTHETECHNIQUESRELATEDTOTHEMEDIAPLAYERISGIVEN．THESETECHNOLOGIESINCLUDERTP,EMBEDDEDPROCESSORSYSTEMANDWIRELESSETHEMET．INCHAPTER3．THEHARDWARESYSTEMDESIGNISDISCUSSED．THESYSTEMSTRUCTURE，DESIGNOFHARDWAREANDSERVERISMAINLYDESCRIBED．INCHAPTER4，ADISCUSSIONABOUTIMPORTANTBLOCKHARDWAREDESIGNISGIVEN，INCLUDINGTHEGUI，MEDIAPLAYER,GSM／GPRSBLOCK,VIDEODIGITALIZE，REMOTECONTROLANDVIDEOFORMATTRANSFORM．INCHAPTER5，THETESTRESULTOFTHESYSTEMPERFORMANCEISPRESENTEDINDETAIL．INCHAPTER6．THEACHIEVEMENTANDIMPROVEMENTISCONCLUDED．THEPROSPECTOFFURTHERRESEARCHISALSOPROPOSED．KEYWORDSTREAMMEDIA,MOBILETERMINAL，EMBEDDEDPROCESSOR,HOMEENTERTAINMENT，VIDEOTRANSFORMⅡ

簡介：電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA碩士學(xué)位論文MASTERTHESIS論文題目基于基于013ΜM工藝的工藝的SPLITGATEDMOS設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)號20120142103022103024646作者姓名陳哲指導(dǎo)教師任敏DESIGNOFSPLITGATEDMOSWITHCRITICALDIMENSIONOF013ΜMAMASTERTHESISSUBMITTEDTOUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINAMAJORMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICSAUTHORCHENZHESUPERVISORAPMINRENSCHOOLSCHOOLOFMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICS

簡介：蘇州大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所提交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不含為獲得蘇州大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位證書而使用過的材料。對本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人承擔(dān)本聲明的法律責(zé)任。論文作者簽名盔進(jìn)這日期一蘭’二2蘇州大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)聲明本人完全了解蘇州大學(xué)關(guān)于收集、保存和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即學(xué)位論文著作權(quán)歸屬蘇州大學(xué)。本學(xué)位論文電子文檔的內(nèi)容和紙質(zhì)論文的內(nèi)容相一致。蘇州大學(xué)有權(quán)向國家圖書館、中國社科院文獻(xiàn)信息情報(bào)中心、中國科學(xué)技術(shù)信息研究所含萬方數(shù)據(jù)電子出版社、中國學(xué)術(shù)期刊光盤版電子雜志社送交本學(xué)位論文的復(fù)印件和電子文檔，允許論文被查閱和借閱，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文，可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索。涉密論文口本學(xué)位論文屬在年一月解密后適用本規(guī)定。非涉密論文口論文作者簽名查進(jìn)亟EL導(dǎo)師簽名紐日＼

簡介：電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA碩士學(xué)位論文MASTERDISSERTATION（電子科技大學(xué)圖標(biāo)）論文題目基于18VCMOS工藝的12BIT100MSPSADC的時(shí)鐘發(fā)生器設(shè)計(jì)學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師于奇教授作者姓名羅文學(xué)號200921240111獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。簽名日期年月日關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）簽名導(dǎo)師簽名日期年月日

簡介：北京工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文基于06微米工藝的CMOS模擬集成放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)姓名劉彤芳申請學(xué)位級別碩士專業(yè)微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師吳武臣20050501ABSTRACTASTHEFOUNDATIONSTONEOFINFORMATIONINDUSTRY，INTEGRATEDCIRCUITTECHNOLOGYHASBEENKEEPINGOILDEVELOPINGRAPIDLYTHESEYEARS，ANDBECOMESTHEEMPHASISOFHIGHTECH．RECENTLY,THEDEVELOPMENTOFANALOGINTEGRATEDCIRCUITISVERYS訂ONG．INTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIERISALLIMPORTANTBLOCKINANALOGINTEGRATEDCIRCUIT，ANDTHEADVANCEMENTOFCMOSINTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIERHASCOMEOUTINTHEFIELDOFDIGITALANALOGMIXINTEGRATEDCIRCUIT，VLSI，ANDLOWPOWERELECTRONICPRODUCTION．ITISIMPORTANTFORTHEPROGRESSOFSCIENCEANDECONOMYTORESEARCHHIGHPOWEREDCMOSINTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIER．INTHISPAPER,AUNIVERSALSTRUCTURECMOSINTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIERISSIMULATEDUSEDH§PICEBASEDONCSMC0．6MICRONTECHNICSLIBRARY．EXPERIMENTALSIMULATINGRESULT，RECALCULATEPARAMETERSANDIMPROVEDCMOSINTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIERISDESIGNED．GENERALLY,THEPERFORMANCEOFIMPROVEDAMPLIFIERISSAMEWITHORI萄NALAMPLIFIERONTHEWHOLE，F(xiàn)URTHERMORE，POWERISONETLLIRDCOMPAREDWITHUNIMPROVEDAMPLIFIER．THISPAPERISDIVIDEDINTOFIVEPARTS．INTHEFIRSTPART，IN仃ODUCEBACKGROUNDOFSUBJECT，HISTORYANDAPPLICATIONOFINTEGRATEDAMPLIFIER．INTHESECONDPART，ANALYZEPRINCIPLEOFCMOSDIFFERENTIALAMPLIFIERWHICHISTHECOREPARTOFOPERATIONALAMPLIFIER,DIFFERENTIALANDCOMMONCHARACTERISTICS．FINALTHREEPARTSAREEMPHASISOFTHEPAPER．INTHETHIRDPART，ATFIRST，COMPARETHESIMULATINGRESULTBETWEENORIGINALCIRCUITANDIMPROVEDCIRCUITUSINGCSMCTECHNICSLIBR∞J，THEN，RECALCULATEP∞RAMETERSBASEDONTHERELATIONSHIPBETWEENDEVICEPARAMETERANDCIRCUITPERFORMANCE，F(xiàn)INALLY,FINISHTHEDESIGNOFIMPROVEDCMOSINTEGRATEDAMPLIFIER．INTHEFORTHPART，SIMULATEIMPROVEDAMPLIFIERWITHHSPICE，ANALYZECHARACTERISTICSOFIMPROVEDCIRCUITBASEDONSIMULATINGRESULTSANDOPTIMIZETHEIMPROVEDAMPLIFIER．INTHEFIFTHPART，ONTHECONDITIONOFCONSIDERINGMATCH，PARASITICANDRELIABILITY,FINISHDESIGNINGTHEIMPROVEDAMPLIFIERLAYOUT，ANDSUCCEEDINDRC，LVSVERIFICATIONKEYWORDANALOGINTEGRATEDCIRCUIT；CMOSINTEGRATEDOPERATIONALAMPLIFIER；SPICESIMULATION；LAYOUTDESIGN．U

簡介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文基于05ΜMCMOS工藝12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器核心電路設(shè)計(jì)姓名劉剛申請學(xué)位級別碩士專業(yè)軟件工程指導(dǎo)教師李文淵；梁雪20120309ABSTRACTABSTRACTASTHERAPIDDEVELOPMENTOFDIGITALELECTRONICPRODUCTIONFROMCUSTOMERELECTRONICTOSCIENTISCAPPLICATIONFIELD，THEDSPTECHNOLOGYHASBEENRAPIDLYDEVELOPING．THISTRENDISDUETOTHATTHEDIGITALTECHNOLOGYHASSOMEADVANTAGES，SUCHASINSENSITIVITYTOSOURCEVARIETY，EASILYACCOMPLISHMENTANDSOON，WHICHANALOGTECHNOLOGYCAN’TCOMPETEWITH．ASTHELINKBETWEENANALOGWORLDANDDIGITALWORLD．ADC／DACHASBEENAMAINPROBLEMOFTHEDEVELOPMENTOFCOMPUTER,DSP，COMMUNICATIONANDSOON．THEYHAVETHEKEYTOSOLVEMANYPROBLEMSOFSPEEDANDPRECISIONINSIGNALPROCESSING．BASED0NTHIS，THISPAPERPRESENTEDTHEANALYSISDESIGNOFA12BITL00MSPSDACCORECIRCUITS．COMPAREDWITHMANYSTRUCTURESOFDAC，THE“543’’SEGMENTEDARCHITECTUREOFCULTENTSTEERINGDACISADOPTEDFORACHIEVINGHIGHSPEEDHIGHACCURACYOFAPPLICATIONREQUIREMENT．THISDECISIONISBASEDONCOMPROMISEOFSYSTEMPERFORMANCEANDCHIPAREAFROMDESIGNKEYPOINT．THEERRORANALYSISISINTRODUCEDBECAUSETHEYCANWORSENSYSTEMPERFORMANCE．OPTIMIZATIONOFDACCORECIRCUITSANDLAYOUTSISTAKENAIMINGATHIGHSYSTEMPERFORMANCE．DACISDIGITALANALOGMIXEDSIGNALSYSTEM．THEANALOGPARTCIRCUITSARECONSISTEDOFBANDGAPREFERENCEVOLTAGECIRCUIT，REFERENCECURRENTREGULATORANDDIFFERENTIALCURRENTSWITCHLIMITEDRANGECIRCUITS，ETC．NEDIGITALPARTCIRCUITSARECONSISTEDOFTHERMOMETERCODEDDECODER，LATCHUPCIRCUITSANDETC．THEDESIGNOFDACUSESCSMCO．5PMCMOSPROCESSANDCADENCEHSPICEFORCIRCUITSIMULATIONANDLAYOUTREALIZATION．SEVERALTYPICALUNITCIRCUITSOFDACAREDESIGNEDANDTHEIRSIMULATIONRESULTSAREALSOPRESENTED．AHIGHPRECISIONCMOSBANDGAPVOLTAGEREFERENCECIRCUITISDESCRIBED．CADENCESIMULATIONSHOWSTHATTHETEMPERATURECOEFFICIENTIS14PPM／CFROM25℃TO100“3AND83DBPSRRDCWHICHCANMEETTHEDESIGNREQUIREMENTSOFTHEDACCIRCUIT．THISCIRCUITISTAPEOUTAFTERPOST_SIMULATIONPASSED．ANDTHENANALYSISOFTESTISLAUNCHED；TESTRESULTACCOMPLISHESDESIGNGOALS．THEREFERENCECURRENTREGULATORCIRCUITISSTABLEDUETO77DBGAIN62。PHASEMARGINAND82DBPSRRDCWHILETHEOPERATIONAMPLIFIER’SGAINIS81DBANDPHRASEMARGINIS64。．THESIMULATIONSHOWSDIFFERENTIALSWITCH’SSETUPTIMEISABOUT3NS．FITTO100MSPSHIGHSPEEDAPPLICATIONNEED．INTHEPARTOFDIGITALDESIGN，THETHERMOMETERCODEDDECODERISMADESATISFIEDANDTHELATCHCIRCUITISPRESENTEDFORMAKINGSIGNALSYNCHRONIZATION．THECIRCUITDESIGNOFTHECORECIRCUITSANDTHELAYOUTDESIGNOFBANDGAPREFERENCEVOLTAGESOURCECANBEAPPLIEDTOWHOLEDACSYSTEM’SCIRCUITLAYOUTACCOMPLISHMENT．KEYWORDSDIGITALTOANALOGCONVERTER，SEGMENTEDCURRENTSTEERING，BANDGAPREFERENCEVOLTAGESOURCE，DIFFERENTIALCURRENTSWITCHES

簡介：隸劫大粵碩士學(xué)位論文基于O．25岬工藝的低壓POWERMOS設(shè)計(jì)與研究東南大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得東南大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示了謝意。研究生簽名．尊到蘭日期歷壓塑石。；東南大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)聲明東南大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)信息研究所、國家圖書館有權(quán)保留本人所送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子文檔，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文。本人電子文檔的內(nèi)容和紙質(zhì)論文的內(nèi)容相一致。除在保密期內(nèi)的保密論文外，允許論文被查閱和借閱，可以公布包括以電子信息形式刊登論文的全部內(nèi)容或中、英文摘要等部分內(nèi)容。論文的公布包括以電子信息形式刊登授權(quán)東南大學(xué)研究生院辦理。研究生簽名當(dāng)?shù)絃導(dǎo)師簽名塑叢≤02

簡介：密級桂林電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文題目基于基于018ΜMCMOS工藝的高精度帶隙基準(zhǔn)源的工藝的高精度帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計(jì)研究與設(shè)計(jì)（英（英文）文）RESEARCHANDDESIGNOFHIGHPRECISIONBANDGAPREFERENCESOURCEBASEDON018ΜMCMOSTECHNOLOGY研究生學(xué)號1302202021研究生姓名李連輝指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)段吉海教授申請學(xué)位門類工學(xué)碩士學(xué)科、?？?、專業(yè)名稱電子科學(xué)與技術(shù)提交論文日期2016年4月論文答辯日期2016年6月摘要I摘要帶隙基準(zhǔn)電壓源作為集成電路系統(tǒng)芯片內(nèi)部的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高速A/D等高性能模擬芯片之中。之所以能成為芯片內(nèi)部的重要組成部分，是因?yàn)樗軌蛱峁┮粋€(gè)近似穩(wěn)定的輸出電壓，這個(gè)輸出電壓不隨溫度，工藝和電源電壓的改變而變化。在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中，不同種類的基準(zhǔn)源表現(xiàn)出的作用也就有所差異，在對波紋噪聲敏感的DC/DC轉(zhuǎn)換器芯片中，對基準(zhǔn)電壓源的精度要求很高，而在鋰電池充電管理芯片中卻偏重于功耗和低壓方面，在精度保證的前提下如何降低功耗是鋰電池芯片設(shè)計(jì)中最重要的環(huán)節(jié)。本文是基于SMIC018ΜM1P6MCMOS工藝下，采用CADENCE的SPECTRERF仿真工具對電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證的。本文針對電源管理芯片中對基準(zhǔn)源的需求設(shè)計(jì)出三種不同性能的帶隙基準(zhǔn)電壓源。一種為低壓輸出的帶隙基準(zhǔn)電壓源，采用的是一階補(bǔ)償架構(gòu)，在40℃125℃溫度范圍內(nèi)得到溫漂系數(shù)為17PPM/℃的基準(zhǔn)電壓；一種為低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電壓源，核心電路采用了新式的二階曲率補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，并采用共源共柵負(fù)反饋的電流鏡結(jié)構(gòu)提升了輸出的PSRR，在40℃100℃溫度范圍內(nèi)，電路的溫漂系數(shù)僅為18PPM/℃，電壓變化范圍小于03MV，在18～5V的寬電壓范圍內(nèi)均能正常工作，電源抑制比在低頻時(shí)高達(dá)106DB，在1KHZ時(shí)也達(dá)到9676DB；另外一種為超低功耗低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，采用無電阻電路架構(gòu)，并基于分段線性電流模技術(shù)并引入濾波電容，在50℃100℃溫度范圍內(nèi)，溫漂系數(shù)僅為167PPM/℃，在099～3V的電壓范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的基準(zhǔn)輸出，在1KHZ頻率下電源抑制比為7126DB，整個(gè)帶隙基準(zhǔn)源的功耗僅為187NW。關(guān)鍵詞帶隙基準(zhǔn)電壓源；曲率補(bǔ)償；電流模技術(shù)；超低功耗；濾波電容。

簡介：電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA專業(yè)學(xué)位碩士學(xué)位論文MASTERTHESISFORPROFESSIONALDEGREE（電子科技大學(xué)圖標(biāo)）論文題目基于基于018ΜMCMOS工藝的低功耗衛(wèi)星工藝的低功耗衛(wèi)星移動(dòng)通信通信發(fā)射機(jī)芯片設(shè)計(jì)發(fā)射機(jī)芯片設(shè)計(jì)專業(yè)學(xué)位類別工程碩士學(xué)號201222020674201222020674作者姓名鄒盼希鄒盼希指導(dǎo)教師謝小謝小強(qiáng)副教授副教授DESIGNOFLOWPOWERMOBILESATELLITECOMMUNICATIONTRANSMITTERWITH018CMOSPROCESSAMASTERTHESISSUBMITTEDTOUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINAMAJORMASTEROFENGINEERINGAUTHORZOUPANXIADVISORPROFXIEXIAOQIANGSCHOOLSCHOOLOFELECTRONICENGINEERING

簡介：分類號密級UDC編號工程碩士學(xué)位論文低速柴油機(jī)排氣閥控制系統(tǒng)仿真研究碩士研究生胡朝霞指導(dǎo)教師費(fèi)紅姿副教授學(xué)科專業(yè)動(dòng)力機(jī)械及工程學(xué)位級別工程碩士學(xué)位論文主審人劉龍副教授哈爾濱工程大學(xué)2015年12月分類號密級UDC編號工程碩士學(xué)位論文低速柴油機(jī)排氣閥控制系統(tǒng)仿真研究碩士研究生胡朝霞指導(dǎo)教師費(fèi)紅姿副教授企業(yè)導(dǎo)師陳祥軍高級工程師學(xué)位級別工程碩士工程領(lǐng)域動(dòng)力工程所在單位滬東重機(jī)有限公司論文提交日期2015年12月20日論文答辯日期2015年12月30日學(xué)位授予單位哈爾濱工程大學(xué)

簡介：浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文基于018ΜMCMOS工藝射頻MOSFET特性與建模研究姓名岳亞富申請學(xué)位級別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師丁扣寶20070501斯踐大學(xué)頸士學(xué)位論文ABSTRAC專WITHFASTGROWTHINTHERADIOFREQUENCY黼WIRELESSCOMMUNICATIONSMARKET,THEDEMANDFORHIGHPERFORMANCEBUTLOWCOSTRFSOLUTIONSISRISING．COMPARED、塒MTHE’MOSFETMODELSFORBOTHDIGITALANDANALOGAPPLICATIONATLOWFRCQHENCY,COMPACTMODELSFORHFAPPLICATIONSAREMOREDIFFICULTTODEVELOPDUETOTHEADDITIONALREQUIREMENTOFBIASDEPENDENCEANDGEOMETRYSCALINGOFTHEPARASITICCOMPONENTSASWELLASTHEREQUIREMENTSOFACCURATEPREDICATIONOFTHEDISTORTIONANDNOISEBEHAVIOR．HOWEVERTHERFMOSFETMODELINGISSTILLATAPRELIMINARYSTAGECOMPAREDWITHTHEMODELINGWORKFORDIGITALANDLOWFREQUENCYANALOGAPPLICATIONS。EFFORTSFROMBOTHINDUSTRYANDUNIVERSITIESARENEEDEDTOBRINGRFMOSFETMODELS協(xié)AMARA罄LEVELINFILRTHCRIMPROVINGTHERFMODELSINDESCRIBINGTHEACCHARACTERISTICSMOREACCURATELY,ANDINIMPROVINGTHEPREDICTIONOFNOISECHARACTERISTICS,DISTORTIONBEHAVIOR,ANDNQSBEHAVIOR．RFMODELINGOFMOSFETBASEDONO。18PROCMOSPROCESSISDISCUSSED．1．RFTECHNOLOGYATPRESENTISINTRODUCED,INCLUDEDCMASTECHNOLOGY,SIBIPOLARTECHNOLOGYANDSIGETECHNOLOGY．THEPNSSIBIHTYOFCMOSTECHNOLOGYAPPLICATIONINRFINTEGRATECIRCUITISDISCUSSED．ANDTHEPROCESSANDSPECIALDEVICESINTHERFCMOSTECHNOLOGYISINTRODUCED．THECHALLENGEOFDEEPSUBMICRONMETERRFCMOSTECHNOLOGYISINTRODUCED．RFTECHNOLOGYWILLTHEMAINPROCESSONLYTHERFENGINEERSGAVERESOLVEDTHEPROBLEM．2．SEVERALCOMMONMOSFETMODELSARCINTRODUCED．THEACSMALLSIGRLALMODELOFRFMOSFETISDISCUSSED．THE毯酶FREQUENCYPARASITICEFFECTOFMOSFETISEMPHASISON,INCLUDEDGATERESISTANCE，SUBSTRATERESISTANCE，ANDPARASITICCAPACITANCE．ANDTHEOPTIMIZATIONOF蠡ERFMOSFETLAYOUTWILLIMPROVETHEPERFORMANCEOFRFMOSFET,3．THEDEVIEESHAVEBEENMEASUREDANDANALYZEDBOTHINDCANDRFCONDITIONS．ANDTHEBSIM3V3MODELHAVEBEENADOPTEDTOMODELTHEDCCHARACTERISTIC．THESIMULATIONDATAFITSTHEMEASUREMENTDATAWELL．ALSOTHEII

簡介：中文摘要中文摘要電子產(chǎn)品，在電子通訊、微生物、筆記本電腦和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的小型化和便攜式，使得通過采用低電壓、低功耗的芯片設(shè)計(jì)成為目前市場發(fā)展趨勢，運(yùn)算放大器作為模擬電路和數(shù)?；旌想娐返幕A(chǔ)，低電壓、低功耗的設(shè)計(jì)有著廣泛的應(yīng)用，同時(shí)提高運(yùn)算放大器的性能可以改善整個(gè)電路系統(tǒng)的性能。因此，采用低電壓、低功耗的COMS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)是當(dāng)今研究熱點(diǎn)。本文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗運(yùn)算放大電路問題進(jìn)行了研究和分析，汲取目前集成電路設(shè)計(jì)的低電壓、低功耗技術(shù)和先進(jìn)方法，完成了基于O．18URN工藝低電壓、低功耗CMOS運(yùn)算放大器仿真設(shè)計(jì)。對運(yùn)放的各個(gè)組成單元、運(yùn)算放大器的輸入和輸出以及基準(zhǔn)電路的仿真調(diào)試，并給出了設(shè)計(jì)版圖。其主要技術(shù)指標(biāo)是，電壓1．5V，功耗28．85LAW，版圖面積0．0016MM2。關(guān)鍵詞低電壓；低功耗；運(yùn)算放大器；CMOS目錄目．錄中文摘要???????????????????????????????IABSTRACT．．．??．．．．．??．?????????．．???．???????．?????．．??．．．?．?．．．．．．．．．．II第1章緒論?????????????????????????????1¨課題背景和研究意義?????????．?????????????一L1．2國內(nèi)外研究現(xiàn)狀?????????????????????????21．3本課題主要完成的工作??????????????????????41．4本章小結(jié)????????????????????????????5第2章CMOS器件模型與工作特性???????????????????．62．1MOS器件模型與工作特性????????????????????．62．】．1MOS管的一階V／I特性????????????????????62．1．2二級效應(yīng)??????????????????????????92．2MOS管的大信號模型??????????????????????¨2．3MOS管的小信號模型??????????????????????122．4本章小結(jié)???????????????????????????．16第3章低電壓低功耗CMOS運(yùn)放概述?????????????????L73．1集成運(yùn)放概述?????????????????????????．173．1．1運(yùn)算放大器的發(fā)展概況???????????????????一L73．1．2集成運(yùn)放的基本結(jié)構(gòu)????????????????????一L73．1．3CMOS運(yùn)算放大器的優(yōu)點(diǎn)??????????????????一2032運(yùn)放的應(yīng)用???????????????????????????213．2．1基本運(yùn)算電路???????????????????????．．213．2．2信號處理電路???????????????????????一23

簡介：ILLLLLLLLLLLLLLLRLLLLLLLLRLLLLLJLLLLLLLLLLLLLLLL芋HTL孤』世』Ⅱ。，女J．J一十拽盤上NL_女IL塑．學(xué)■_J』業(yè)T業(yè)隸面大瑩工程碩士學(xué)位論文⑥基于O．13PMCMOS和SIGEHBT工藝的壓控振蕩器的研究和設(shè)計(jì)研究生姓名高重刪導(dǎo)師姓名黃凰豎熬援．薹摘高王申請學(xué)位類別王程塑±學(xué)位授予單位塞壺塞堂工程領(lǐng)域名稱皂王皇通信王疆論文答辯I二】刪墊生I旦3目研究方向皇躊與墨縫學(xué)位授予II刖壁生目旦等辯委員會主席墨里熬授砰閱人蹇墮副夔攫夔塞蟄高王2017年3月4日東南大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明IYLLL13II211115LL15LL19LLL1114IIII本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得東南大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我～同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示了謝意。研究生簽名二圣3_址日期堡衛(wèi)I王L東南大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)聲明東南大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)信息研究所、國家圖書館有權(quán)保留本人所送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子文檔，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文。本人電子文檔的內(nèi)容和紙質(zhì)論文的內(nèi)容相一致。除在保密期內(nèi)的保密論文外，允許論文被查閱和借閱，可以公布包括以電子信息形式刊登論文的全部內(nèi)容或中、英文摘要等部分內(nèi)容。論文的公布包括以電子信息形式刊登授權(quán)東南大學(xué)研究生院辦理。研究生簽名{§釁導(dǎo)師簽每鄉(xiāng)紐日期皇業(yè)

簡介：論文題目基于700VSOI工藝平臺的05ΜM標(biāo)準(zhǔn)單元庫的設(shè)計(jì)學(xué)科專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)號201021030111作者姓名范琳指導(dǎo)教師劉布民高工STANDARDCELLLIBRARYDESIGNRESEARCHBASEDON700V05ΜMOFSOITECHNOLOGYPLATFORMAMASTERTHESISSUBMITTEDTOUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINAMAJORMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICSAUTHORLINFANADVISORBUMINLIUSCHOOLMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICS