簡(jiǎn)介：2010．6并SUPERVISEDBYPROF．MENGQIAOANDSENIORENGINEERZHUSUSHENGSCHOOLOFINTEGRATEDCIRCUITSSOUTHEASTUNIVERSITYJUNE．2010

簡(jiǎn)介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文基于035ΜMSIGEBICMOS工藝的35GHZ功率放大器的設(shè)計(jì)與測(cè)試姓名范海鵑申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)軟件工程（IC）指導(dǎo)教師王志功莊昆杰20061201ABSTRACTINTHERECENTTENYEARS，THERAPIDANDWIDEDEVELOPMENTOFWIRELESSCOMMUNICATIONSISACCELERATINGTHEINFORMATIONIZEDPROGRESSOFSOCIETY．ACCORDINGTOTHEREQUIREMENTSOFTHEMARKET,AWIRELESSCOMMUNICATIONSYSTEMSHOULDBEHIGHINTEGRATED，MINIMIZED，ANDMUHIFUNCTIONAL．THEPOWERAMPLIFIERPAISTHEKEYPARTWITHHIGHERPROFITWHILEITISALSOTHEMOSTINDICATEANDHIGHERCOSTPANOFTHOSERFSUBSYSTEMS．THISTHESISHASREALIZEDADESIGNOFPOWERAMPLIFIERBASEDOUAMS0．35PROSIGEBICMOSPROCESSTECHNOLOGY．THEPOWERAMPLIFIERHASATHREESTAGECONFIGURATIONANDITEXHIBITS25DBPOWERGAIN’30DBMLINEAROUTPUTPOWERATPL∞，ANDPAEIS25％AT3．5GHZCENTERFREQUENCY．INTHEFIRSTHALFPARTOFTHISP印盯’THEMAJORCONTENTSAREINTRODUCED．111EFIRSTCHAPTERMTRODUCESTHEBACKGROUNDOFTBED囂IGN．N幢SECONDCHAPTERINTRODUCESTHEGENERALDESIGNSCHEME,THERELATEDTECHNOLOGY,THEKEYCIRCUITS，ANDTHEME∞UⅫN∞TASPECTS．BASEDOILADS。THECOMPLETECIRCUITCONFIGURATION,CONCRETEDESIGNPROCEDUREANDTHEPRESIMULATIONRESULTSAREINTRODUCED越吐MDCHAPTER．THEFOURTHCHAPTERDESCRIBESTHELAYOUTOFTHEPOWERAMPLIFIEREMDTHEPOSTSIMULATIONRESULTSANDGIVESTHECOMPARATIVEANALYSIS．11艟SECONDHALFPARTOFTHEPAPEREMPHASIZESTHEMEASUREMENTOFTHEREALIZEDCHIPANDTHEANALYSISOFTHERESULTS．THEFIFTHCHAPTERGIVESTHEREASONOFADOPTINGTHESCHEMEOFONPCBTESTANDTHEPRINCIPLESOFTHETEST．THETESTRESULTSSHOWTHATAROUNDLGNZ,THECBJPEXHIBITS20DBPOWERGAILL’ANDTHEP1∞OF20DBM．THEPAPERALSOANALYSESTHEMAINREASONSOFTHEDIFFERETKEBETWEENTHESIMULATIONANDTESTRESULTS．THEPARASITICPARAMETERSOFSIGEHBT犯RESPONSIBLEFORTHEDIFFERENCE．111ELASTCHAPTERCONCLUDESTHEMAINWORKOFTHISPAPERANDGIVESSOMEADVICESOFHOWTODESIGNAHIGHPERFORMANCEPOWERAMPLIFIER．KEYWORDSRFICPOWERAMPLIFIERICOESIGNJILGICTESTINGⅡ

簡(jiǎn)介：928山東理工大學(xué)山東理工大學(xué)山東理工大學(xué)山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文變電站智能化改造若干關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用變電站智能化改造若干關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用RESEARCHRESEARCHRESEARCHRESEARCHANDANDANDANDAPPLICATIONAPPLICATIONAPPLICATIONAPPLICATIONONONONONSEVERALSEVERALSEVERALSEVERALKEYKEYKEYKEYTECHNIQUESTECHNIQUESTECHNIQUESTECHNIQUESOFOFOFOFINTELLIGENTINTELLIGENTINTELLIGENTINTELLIGENTINNOVATIONINNOVATIONINNOVATIONINNOVATIONABOUTABOUTABOUTABOUTSUBSTATIONSUBSTATIONSUBSTATIONSUBSTATION研究生馮業(yè)鋒指導(dǎo)教師咸日常申請(qǐng)學(xué)位門(mén)類(lèi)級(jí)別工程碩士學(xué)科專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)電氣工程研究方向電力系統(tǒng)控制與運(yùn)行電力系統(tǒng)控制與運(yùn)行論文完成日期2012201220122012年4444月20202020日單位代碼10433學(xué)號(hào)Z1010339分類(lèi)號(hào)TM63密級(jí)山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要I摘摘摘摘要要要要近幾年來(lái)，我國(guó)提出了建設(shè)堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)的電網(wǎng)發(fā)展模式。智能變電站的建設(shè)是智能電網(wǎng)的重要組成部分，變電站的智能化是電網(wǎng)智能化的基礎(chǔ)。實(shí)現(xiàn)變電站智能化主要由兩部分組成，一是建設(shè)智能化變電站，二是通過(guò)變電站的智能化改造把已經(jīng)運(yùn)行的常規(guī)變電站改造成為智能變電站。本文以淄博市110KV李家變電站智能化改造工程為研究背景，分析變電站智能化改造的關(guān)鍵技術(shù)，從實(shí)際工程出發(fā)研究分析了非常規(guī)互感器、過(guò)程總線、智能斷路器和變壓器、在線監(jiān)測(cè)與狀態(tài)檢修、以及輔助系統(tǒng)智能化等變電站智能化改造中若干關(guān)鍵技術(shù)，取得以下成果根據(jù)建設(shè)智能化變電站的技術(shù)要求和規(guī)范規(guī)定，分析研究了110KV變電站智能化改造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，即OCT/OPT、智能化的斷路器、變壓器、變電站設(shè)備信息的共享以及主要設(shè)備的在線監(jiān)測(cè)。分析了變電站智能化改造應(yīng)遵循的原則，重點(diǎn)研究常規(guī)變電站智能化改造，改變以往不合理的主接線方式，把變電站信息發(fā)布劃分為三層兩網(wǎng)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)信息共享。探討電子式互式感器的工作原理，通過(guò)比較分析電子式互感器和常規(guī)互感器優(yōu)缺點(diǎn)，結(jié)合常規(guī)互感器的配置方式，從整體方案出發(fā)，以實(shí)施的110KV李家變電站為例，提出了互感器配置原則110KV側(cè)采用光互感器，35KV和10KV側(cè)仍然采用常規(guī)互感器，各種采樣方式并存，優(yōu)化了智能化改造方案。分析智能變電站在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的框架，重點(diǎn)針對(duì)智能變壓器的在線監(jiān)測(cè)。根據(jù)實(shí)際需求和兼顧技術(shù)發(fā)展，提出了變電站在線監(jiān)測(cè)方案探討應(yīng)用了變壓器油中溶解氣體的在線監(jiān)測(cè)技術(shù)；GIS和PASS開(kāi)關(guān)中SF6氣體壓力、密度、微水以及局部放電在線監(jiān)測(cè)技術(shù)；避雷器泄漏電流、動(dòng)作次數(shù)的在線監(jiān)測(cè)技術(shù)。關(guān)鍵詞智能變電站；非常規(guī)互感器；智能一次設(shè)備；在線監(jiān)測(cè)。

簡(jiǎn)介：DESIGNOFTHEALLDIGITALPHASELOCKEDLOOP烈O．189MCMOSTECHNOLOGYATHESISSUBMITTEDTOSOUTHEASTUNIVERSITYFORTHEACADEMICDEGREEOFMASTEROFENGINEERINGBYMAXIAOSU；RVISEDBYBYPROFESSORCHENYINGMEIANDSENIORENFFDINGGUO．．HUAENLORENGINEERIJUONUA●SCHOOLOFINTEGRATEDCIRCUITSSOUTHEASTUNIVERSITYMARCH2016摘要摘要鎖相環(huán)路己在很多領(lǐng)域中得到了極其廣泛的應(yīng)用，例如模擬和數(shù)字通信領(lǐng)域以及無(wú)線電電子學(xué)等領(lǐng)域，尤其是在數(shù)字通信中的調(diào)制解調(diào)和相位同步中通常用到各式各樣的鎖相環(huán)。在集成化的今天，全數(shù)字鎖相環(huán)與傳統(tǒng)的鎖相環(huán)相比，具有可移植性強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)、可編程、易集成、可測(cè)性好等優(yōu)勢(shì)。因此研究一種頻率穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)和同步性能好的鎖相環(huán)具有非常重要的意義。本論文采用TSMCO．189MCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一款全數(shù)字鎖相環(huán)A11DIGITALPHASELOCKEDLOOP，ADPLL，該鎖相環(huán)可為系統(tǒng)芯片SYSTEM?ONACHIP，SOC系統(tǒng)提供高質(zhì)量時(shí)鐘。它主要由四個(gè)模塊組成，分別是鑒相器，控制器，數(shù)控振蕩器以及可編程分頻器。這里的參考時(shí)鐘由SOC提供，一般為幾十兆赫茲。數(shù)控振蕩器的輸出頻率經(jīng)過(guò)可編程分頻器的分頻后得到分頻時(shí)鐘。分頻系數(shù)Ⅳ即為參考時(shí)鐘的倍頻系數(shù)，即當(dāng)ADPLL頻率鎖定后，分頻時(shí)鐘與參考時(shí)鐘的頻率一致，此時(shí)振蕩器輸出頻率為參考時(shí)鐘頻率的Ⅳ倍，因此可以通過(guò)改變分頻系數(shù)從而得到不同的頻率的時(shí)鐘輸出。電路設(shè)計(jì)中，鑒相器采用全定制差分對(duì)結(jié)構(gòu)且?guī)缀趿闼绤^(qū)，高精度數(shù)控振蕩器并采用環(huán)形結(jié)構(gòu)。采用三階鎖定算法以進(jìn)行頻率的鎖定和抖動(dòng)的減小。三階鎖定算法即通過(guò)二分搜索法進(jìn)行頻率的初步鎖定，然后通過(guò)均值搜索法進(jìn)行初步的鎖相，最后通過(guò)抑制濾波窗以減小抖動(dòng)。后仿真結(jié)果表明，該鎖相環(huán)輸出時(shí)鐘范圍為168MHZ～516MHZ，當(dāng)參考時(shí)鐘頻率為20MHZ，可編程分頻比為101時(shí)，輸出頻率為200MHZ，鎖定時(shí)間為27．79S，峰峰值抖動(dòng)為254PS，平均功耗為2．9MW，芯片面積為O．18MM2，邏輯功能正確，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。關(guān)鍵詞全數(shù)字鎖相環(huán)，數(shù)控振蕩器，數(shù)字濾波器，鎖定算法，抖動(dòng)減小

簡(jiǎn)介：分類(lèi)號(hào)???．．．．??．UDC???????密級(jí)?一公?玨?一Z秀聲夕擎碩士研究生學(xué)位論文基于0．181TMCMOS工藝的8BIT插值結(jié)構(gòu)閃存式模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)申請(qǐng)人學(xué)號(hào)培養(yǎng)單位學(xué)科專(zhuān)業(yè)研究方向指導(dǎo)教師完成日期李良御2131267電子工程學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)集成電路設(shè)計(jì)邱成軍教授2016年3月25日黑龍江大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTNOWUNDERTHEBACKGROUNDOFINFORMATIONAGE，THEIMPORTANCEOFADCISBECOMINGINCREASINGLY．ITSBECOMINGMOREANDMOREDEMANDINGTOTHEREQUIREMENTOFCONVERTINGSPEED，POWER,ANDAREA．THESEPROPERTIESDETERMINETHEPERFORMANCEOFTHESIGNALPROCESSINGSYSTEM，ANDALSOINDIRECTLYDETERMINESTHEDEVELOPMENTOFTHEADCTECHNOLOGYLEVEL．THEINTERPOLATIONSTRUCTUREFLASHADCGETMOREANDMOREATTENTIONOFPEOPLEWITHITSCHARACTERISTICSOFHIGHSPEED，LOWPOWERDISSIPATION，SMALLAREA．THISPAPERDESIGNA8BIT1GHZINTERPOLATIONSTRUCTUREFLASHADCBYTSMC0．18P．MCMOSTECHNOLOGYCOMBINEDWITHCADENCEPLATFORM．ITMAINLYINCLUDESBANDGAPVOLTAGEREFERENCE，THEPARTIALPRESSURERESISTANCENETWORK，PREAMPLIFIER,INTERPOLATIONSTRUCTURE，HIGHSPEEDLATCHCOMPARATOR,BUBBLESELIMINATECIRCUIT，ENCODER．AMONGTHEM，THEBANDGAPVOLTAGEREFERENCESOURCEUSETHEPTATCURRENTGENERATEDSTRUCTURE．WITHINTHERANGEOF一50。C80。CTEMPERATURESIMULATION，ITCONCLUDEDTHATTHETEMPERATUREDRIFTCOEFFICIENTIS8．3PPM／。C．USINGOPENLOOPPOSITIVEFEEDBACKSTRUCTUREASITSPREAMPLIFIER．BYTHESIMULATION，WEGOTTHEGAINIS38．4DB，THEUNITGAINBANDWIDTHIS743MHZ．THEDYNAMICLATCHCOMPARATORISMADEOFTHELATCHSTRUCTUREANDTHEOFFSETDIFFERENCESTRUCTURE．BY5GHZCLOCKFREQUENCY，ITNOTONLYACHIEVEDTHEFUNCTIONOFCOMPAREATHIGHLEVEL，ALSOREACHED21PSRESPONSETIME．THERESISTANCEINTERPOLATIONSTRUCTURE，INCREASEDTHENUMBEROFPASSINGZERO，SAVEDNEARLYTHREEQUARTERSOFTHEPREAMPLIFIER,REDUCETHEPOWERCONSUMPTIONANDALSOSAVETHEAREA．BYTHESIMULATIONOFTHEADC，WEGOTITSPARAMETERSASFOLLOWPOWERSUPPLYVOLTAGEIS1．8V；THEINPUTSIGNALIS20MHZSINEWAVE；STATICCHARACTERISTICS1NLIS0．35LSB，DNLIS0．2LSB；DYNAMICCHARACTERISTICSSNRIS44．3DB，SNDRIS41．6DB，SFDRIS54．35DB．ENOBIS7．1BIT．THEPOWERDISSIPATIONIS234MW．THEWHOLELAYOUTAREAIS2．36MM2。ANDITPASSEDDRCANDLVSVERIFICATION．KEYWORDSINTERPOLATION；FLASH；HIGHSPEED；ADC

簡(jiǎn)介：天津大學(xué)碩士學(xué)位論文基于018ΜMCMOS工藝電荷泵鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)姓名原義棟申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師姚素英20070601ABSTRACTBASEDONSMICO．18PMSTANDARDCMOSPROCESS，ACHARGEPUMPPHASELOCKEDLOOPWITHWIDEOUTPUTFREQUENCYRANGE，LOWPHASENOISEANDCANBEINTEGRATEDINSOCSYSTEMHASBEENDESIGNED．THEPLLISFOCUSEDONCLOCKFREQUENCYMUL邱LYINGFROMTHEREFERENCEFREQUENCYRANGE10MHZ50MHZTOOUTPUTFREQUENCYRANGE260MHZ400MIIZ,WHICHMEETSTHEREQUIREMENTOFCLOCKSIGNALINMOSTHIGHSPEEDINTEGRATEDCIRCUITS．THEWHOLEDESIGNWASCARRIEDOUTUSINGTHETOPDOWNMETHOD，F(xiàn)LOWINGTHROUGHFROMSYSTEMLEVELTOCIRCUITLEVEL，ANDTOTHECHIPLEVEL．FIRSTLY，THESYSTEMLEVELMODELWASESTABLISHEDUSINGVERILOGAHIGHGRADELANGUAGEANDMATLABTOOL，ANDTHESYSTEMLOOPPARAMETERSWEREOPTIMIZEDONTHEBASISOFMATHEMATICMODELANALYZINGANDBEHAVIORLEVELSIMULATINGRESULTS；ACCORDINGTOTHESPECIFICATIONANDGUIDELINEBROUGHTFORWARDFOREGOING，THEPLLTRANSISTORLEVELCIRCUITWASDESIGNEDANDSIMULATEDINDETAIL．AIMINGTOELIMINATINGTHENONIDEALEFFECTSUCHASDEADZONE，CURRENTMISMATCHINGANDCHARGESHARINGINCIRCUIT，SPECIALCONSIDERATIONWASTAKENINTOACCOUNTUNDERTHEGUIDANCEOFANALOGCIRCUITDESIGNANDPHASELOCKINGTHEORY．AFTERTHELAYOUTDESIGNANDVERIFICATION，THEDESIGNWASTAPEDOUTANDTESTED．THERESULTSSHOWTHATTHECHIPSATISFIESTHEFUNCTIONREQIREMENTANDCANWORKONTHERAILS．INTHEEND,FURTHERRESEARCHWASCONDUCTED．THEIMPROVEMENTINRESPECTTOOUTPUTFREQUENCYRANGEANDNOISECHARACTERISTICWASACCOMPLISHEDBYMEANSOFRINGVCODELAYCELLRECONFIGURATIONANDLOOPBANDWIDTHOPTIMIZATION．THEOUTPUTFREQUENCYRANGEACHIEVES797．1MHZ1．272GHZWHILETHEPHASENOISEREDUCEDTOLESSTHAN．100DB／HZ．THECONTENTOFTHEDISSERTATIONCANBEUSEDASGUIDANCETOTHEDESIGNOFPHASELOCKEDLOOPASWELLASOTHERNONLINEARSYSTEMS，ALSOTHEMETHODANDTHEACHIEVEMENTAREOFSIGNIFICANTVALUEBOTHINTHEORYANDAPPLICATION．KEYWORDSCHARGEPUMPPHASELOCKEDLOOP，VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR,PHASENOISE，CMOSPROCESS

簡(jiǎn)介：電子科技大學(xué)UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA碩士學(xué)位論文MASTERDISSERTATION（電子科技大學(xué)圖標(biāo)）論文題目基于018ΜMCMOS工藝12BIT100MSPS流水線ADC設(shè)計(jì)學(xué)科專(zhuān)業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師王向展副教授作者姓名陳必江學(xué)號(hào)200921030147獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。簽名日期年月日論文使用授權(quán)本學(xué)位論文作者完全了解電子科技大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)電子科技大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。（保密的學(xué)位論文在解密后應(yīng)遵守此規(guī)定）簽名導(dǎo)師簽名日期年月日

簡(jiǎn)介：碩士學(xué)位論文基于O．18UMCMOS工藝的KA波段LMV設(shè)計(jì)DESIGNOFTHEKABANDLMVBASEDONO．18UMCMOSTECHNOLOGY作者祁艷杰導(dǎo)師劉章發(fā)北京交通大學(xué)2014年2月中圖分類(lèi)號(hào)TN432UDC621．3學(xué)校代碼10004密級(jí)公開(kāi)北京交通大學(xué)碩士學(xué)位論文基于O．18URNCMOS工藝的KA波段LMV設(shè)計(jì)DESIGNOFTHEKABANDLMVBASEDONO．18UMCMOSTECHNOLOGY作者姓名祁艷杰學(xué)號(hào)11120034導(dǎo)師姓名劉章發(fā)職稱(chēng)教授學(xué)位類(lèi)別工學(xué)學(xué)位級(jí)別碩士學(xué)科專(zhuān)業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向射頻集成電路北京交通大學(xué)北尿父越大字2014年2月I

簡(jiǎn)介：題（中、英文）（中、英文）目基于基于013ΜMCMOS工藝的工藝的10GB/S高速光接收機(jī)設(shè)計(jì)高速光接收機(jī)設(shè)計(jì)DESIGNOF10GB/SOPTICALRECEIVERBASEDON013ΜMCMOSTECHNOLOGY作者姓名作者姓名成濤成濤賈護(hù)軍賈護(hù)軍副教授副教授工學(xué)工學(xué)提交論文日期提交論文日期二〇一四年一月〇一四年一月微電子與固體電子學(xué)微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師姓名、職稱(chēng)指導(dǎo)教師姓名、職稱(chēng)學(xué)科門(mén)類(lèi)學(xué)科門(mén)類(lèi)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)代號(hào)代號(hào)分類(lèi)號(hào)分類(lèi)號(hào)學(xué)號(hào)學(xué)號(hào)密級(jí)密級(jí)10701TN4公開(kāi)公開(kāi)1111122759西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文創(chuàng)新性聲明學(xué)位論文創(chuàng)新性聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說(shuō)明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切相關(guān)責(zé)任。本人簽名日期西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文工作成果時(shí)署名單位仍然為西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。（保密的論文在解密后遵守此規(guī)定）本學(xué)位論文屬于保密在年解密后適用本授權(quán)書(shū)。本人簽名日期導(dǎo)師簽名日期

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簡(jiǎn)介：FORTHEDEGREEOFMASTEROFENGINEERINGBYLINB0SUPERVISORSASSOCIATEPROF．ZHAOHUININGPROF．SHILIANGJUNE，2007ABSTRACTASANIMPORTANTINSTALLATIONOF0111“URBANLIFE，STREETFURNITUREISATTRACTINGMOREANDMOREATTENTIONINRECENTYEARS．YETSELDOMDOWECLOSELYASSOCIATESTREETFURNITURE、訪MOTHERLARGESCALEURBANCOMPONENTSSUCHASURBANCONSTRUCTIONS，WHICHRESULTSINTHELOOSELINKORDEPENDENCEBETWEENSTREETFURNITUREANDTHEOVERALLENVIRONMENTOFTHECITY．TOSUMUP，THERELACKSTHESYSTEMATICRESEARCHONSTREETFURNITURE．INVIEWOFTHISSITUATION，WETHINKITISNECESSARYANDGREATSIGNIFICANCEFORMAKINGASYSTEMATICSTUDYONURBANSTREETFURNITUREDESIGN．COMPOSEDOFSEVENCHAPTERS，THISDISSERTATIONSMAINIDEACONCLUDESTHISTHESISFIRSTELABORATESTHEMAGNIFICENCEOFTHESUBJECTINQUESTION，ANDTHENSPECIFIESTHEOBJECT，THESCOPEANDTHEMETHODSOFTHESTUDY,THUSTOENTERTHEPLANNEDVIEWPOINTANDTARGET，ANDESTABLISHAREASONABLEOVERALLFRAMEOFTHEESSAYTHESECONDCHAPTERANALYZESDOMESTICANDINTERNATIONALTHEORIESANDPRACTICESOFSTREETFURNITURE，ANDCONCLUDESTHATONLYBYINTEGRATINGTHEADVANCEDSTREETFUMITUREDESIGNINGTHEORIESFROMOFFSHORE、析TLLTHEDOMESTICACTUALSITUATIONSCANWEACHIEVELLIGHQUALITYSTREETFURNITUREWHICHCOMPLIES謝T11OURLIFEDEMANDS．ALSOITSUMMARIZESTHEIMPORTANTFACTORSTHATINFLUENCETHEDESIGNINGOFSTREETFURNITURE，ANDPROVIDESREASONABLEBASISFORTHEPROPOSALOFDESIGNINGMETHODSANDPRINCIPLES．BESIDES，STARTINGFROMTHECORELMIONBETWEENURBANSTREETFURNITUREANDURBANENVIRONMENTANDCITIZENS，THEESSAYANALYZEDTHEDESIGNINGPRINCIPLESOFSTREETFURNITURE，ANDCONCLUDESTHATVARIOUSDESIGNINGPRINCIPLESOFSTREETFUMITURECANBECATEGORIZEDUNDERONESUBJECTHUMANORIENTATION．THEFIFTHCHAPTERMAKESSCIENTIFICANALYSISABOUTTHEMETHODSANDPROCEDURESOFSTREETFURNITUREDESIGNING．SCIENTIFICALLYREASONABLEDESIGNINGOFSTREETFURNITUREREQUIRESCORRESPONDEDORGANIZATION，COORDINATIONANDMANAGEMENT．THESIXTHCHAPTERALSOMAKESANALYSISANDPRELIMINARYSTUDYOFTHEORGANIZATIONANDMANAGEMENTOFIL

簡(jiǎn)介：均勻化工藝對(duì)AL12MN合金再結(jié)晶行為的影響重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文（專(zhuān)業(yè)學(xué)位）學(xué)生姓名尚里曼指導(dǎo)教師陳興品教授學(xué)位類(lèi)別工程碩士（材料工程領(lǐng)域）重慶大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院二O一五年五月重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要I摘要ALMN合金由于具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)電性等優(yōu)點(diǎn)，其箔材被廣泛應(yīng)用于車(chē)輛用鋰離子電池正極集流體材料。這種箔材主要是通過(guò)鑄造均勻化處理熱軋冷軋中間退火鋁箔軋制工藝生產(chǎn)的，鋁箔經(jīng)過(guò)中間退火后的再結(jié)晶組織對(duì)箔材的表面形貌有顯著影響，因此合理控制退火過(guò)程中的晶粒組織對(duì)改善箔材的性能有重要意義。ALMN合金經(jīng)過(guò)不同的均勻化處理，固溶體中的MN含量會(huì)有明顯差異，這將顯著影響中間退火過(guò)程形成的再結(jié)晶晶粒形貌取向。本文重點(diǎn)研究了不同均勻化制度對(duì)ALMN合金中間退火過(guò)程中的再結(jié)晶行為的影響。①初步研究了AL12MN合金經(jīng)雙級(jí)均勻化620℃/10H440℃/12H與單級(jí)均勻化620℃/8H工藝處理后對(duì)隨后的再結(jié)晶過(guò)程的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明經(jīng)過(guò)雙級(jí)均勻化處理的合金的再結(jié)晶溫度比經(jīng)單級(jí)均勻化處理的明顯降低；單級(jí)均勻化處理析出的第二相對(duì)晶界遷移有較強(qiáng)的釘扎作用，再結(jié)晶后晶粒形貌與雙級(jí)均勻化處理樣品有很大差異。②為了進(jìn)一步研究析出與再結(jié)晶的相互作用機(jī)制，在雙級(jí)與單級(jí)均勻化工藝的基礎(chǔ)上，又增加了兩種不同的均勻化工藝（440℃/12H620℃/10H、440℃/12H）以及未經(jīng)均勻化處理的樣品作為對(duì)照，主要研究不同均勻化制度對(duì)再結(jié)晶退火后晶粒的組織、織構(gòu)的影響。研究表明當(dāng)析出發(fā)生在再結(jié)晶之前，析出的第二相尺寸很小，并且優(yōu)先析出在大角度晶界處，對(duì)晶粒產(chǎn)生很大的釘扎作用，導(dǎo)致再結(jié)晶晶粒沿軋向伸長(zhǎng)；當(dāng)再結(jié)晶先于析出發(fā)生時(shí)，析出的第二相尺寸較大（1ΜM以上），由于粒子促進(jìn)形核（PSN）機(jī)制的作用，促進(jìn)再結(jié)晶晶粒的形核與長(zhǎng)大，最后得到了均勻的再結(jié)晶晶粒。③經(jīng)620℃/10H與440℃/12H均勻化處理的試樣隨著退火時(shí)間的延長(zhǎng)或溫度的升高，顯示出不同的再結(jié)晶動(dòng)力學(xué)及織構(gòu)演變規(guī)律。關(guān)鍵詞ALMN合金，均勻化，再結(jié)晶，析出，動(dòng)力學(xué)

簡(jiǎn)介：四川瀘州分水油紙傘穿工工藝研究重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文（學(xué)術(shù)學(xué)位）學(xué)生姓名張璇指導(dǎo)教師戚序教授專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)學(xué)學(xué)科門(mén)類(lèi)藝術(shù)學(xué)重慶大學(xué)藝術(shù)學(xué)院二O一五年四月重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要I摘要“四川瀘州分水油紙傘制作技藝”于2008年被列入國(guó)家級(jí)非物質(zhì)文化遺產(chǎn)名錄。分水油紙傘的制作工藝歷史悠久，尤以穿工工藝最具獨(dú)特性。穿工工藝作為一種傳統(tǒng)造物藝術(shù)的文化符號(hào)，其功用價(jià)值隨時(shí)代變遷而轉(zhuǎn)換。這種價(jià)值觀念的轉(zhuǎn)型是與社會(huì)發(fā)展相適應(yīng)，對(duì)新時(shí)代主體訴求的回應(yīng)。縱觀目前對(duì)于分水油紙傘穿工工藝的研究尚未發(fā)現(xiàn)。尤其是以藝術(shù)學(xué)為主要學(xué)科平臺(tái)，關(guān)注分水油紙傘穿工設(shè)計(jì)綜合價(jià)值的命題實(shí)屬研究創(chuàng)新之處。筆者認(rèn)為手工藝的價(jià)值主要體現(xiàn)在造物設(shè)計(jì)的整體“過(guò)程”之中。手工藝的價(jià)值不僅表現(xiàn)在其工藝本身，而在以手藝的方式表現(xiàn)出的生活智慧、道德意識(shí)和生活習(xí)俗等人文內(nèi)涵。這種人文內(nèi)涵密切關(guān)聯(lián)著一個(gè)地區(qū)長(zhǎng)期以來(lái)形成的文化品格，正是我國(guó)文化多樣性的重要基礎(chǔ)。對(duì)傳統(tǒng)手工藝的獨(dú)特性分析在很大程度上也體現(xiàn)著我們的民族性。因此，對(duì)“過(guò)程”的關(guān)注將成為本文研究的基點(diǎn)。首先，對(duì)分水油紙傘穿工設(shè)計(jì)中的材料、工具、結(jié)構(gòu)、工藝等進(jìn)行較為詳實(shí)的梳理。以此提出其造物藝術(shù)的特征。其次，以分水油紙傘穿工設(shè)計(jì)現(xiàn)狀調(diào)查為基礎(chǔ)，從“價(jià)值論”的研究視角對(duì)新時(shí)代語(yǔ)境下，這門(mén)傳統(tǒng)手工藝的造物設(shè)計(jì)邏輯進(jìn)行分析，對(duì)其價(jià)值轉(zhuǎn)換的動(dòng)因及傳統(tǒng)民間工藝造物設(shè)計(jì)理念、審美寓意予以探求。關(guān)照分水油紙傘的綜合價(jià)值，解析其歷史價(jià)值、藝術(shù)價(jià)值、人文價(jià)值、生態(tài)價(jià)值。旨在加強(qiáng)對(duì)文化轉(zhuǎn)型的自主能力，取得決定適應(yīng)新環(huán)境、新時(shí)代的文化選擇的自主地位。最后，引伸提煉出穿工工藝“現(xiàn)代性”設(shè)計(jì)思考，拓展出具有現(xiàn)實(shí)意義的詮釋空間。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞分水油紙傘，穿工工藝，價(jià)值轉(zhuǎn)型，現(xiàn)代詮釋

簡(jiǎn)介：湖南大學(xué)碩士學(xué)位論文噴射成形AL85FE13V17SI/SICP板材軋制工藝及組織性能的研究姓名尹顯覺(jué)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)材料加工工程指導(dǎo)教師陳剛20070415噴射成形AL85FE13V17SI/SICP板材的軋制工藝及組織性能的研究IIIABSTRACTHEATRESISTANT8009ALUMINUMALLOYPREFORMSWITHCOMPOSITIONOFAL85FE13V17SIWTREINFORCEDWITH15VOLSICPARTICULATESWASPREPAREDBYMUTILAYERSPRAYDEPOSITIONTECHNIQUE8009/SICSHEETSWEREPREPAREDFROMTHEHOTPRESSEDORHOTEXTRUDEDPERFORMSFOLLOWEDBYHOTROLLING,THEPREPARATIONPROCESSINGOFTHESHEETSWEREINVESTIGATIONTHEMICROSTRUCTURESANDMECHANILPROPERTIESOFTHESHEETSWEREEXAMINEDTHEPHASECOMPONENTOFTHEMATRIX,THEREGULARITIESOFTHEMICROSTRUCTURALEVOLUTIONANDDENSITYOFTHEPREFORMSWITHTEMPERATUREWEREINVESTIGATEDASWELLASTHEHOTWORKINGCHARACTEROFTHECOMPSITETODETERMINETHEMICROSTRUCTURE,CRACKING,REGULARITY,MAINCOMPONENT,ANDTHESECONDPHASEMORPHOLOGYINTHEASPREPAREDMATERIAL,OPTICALMICROSCOPYOM,SCANNINGELECTRONMICROSCOPYSEM,TRANSMISSIONELECTRONMICROSCOPYTEMANDXRAYAREUSEDRESPECTIVELYTHEEXPERIMENTALRESULTSSHOWTHATTHEPHASESINTHECOMPOSITESAREΑSIC,ΑALANDAL13FE,V3SITHEDISPERSIONSECONDPHASEPARTICULATESUNIFORMLYDISTRIBUTEALLOVERTHEMATERIALWITHFINEGRAINSFROMTHESEMRESULTS,THEMAINTENSILEFRACTUREMODEOFTHEASROLLEDAFTEREXTRUSIONANDASROLLEDAFTERHOTROLLINGATROOMTEMPERATUREWEREINTERGRANULARFRACTUREANDSECTORIALCLEAVAGEFRACTUREAFTERHOTROLLINGRESPECTIVELYTHECOMPOSITESHEETSWEREPREPAREDBYDIFFERENTHOTWORKINGPROCESSINGANDTHEMECHANICALPROPERTIESATROOMTEMPERATUREANDELEVATEDTEMPERATUREWEREINVESTIGATEDTHEMECHANICALPROPERTIESOFAL85FE13V17SIALLOYWERECOMPAREDWITHTHOSEOFTHECOMPOSITESTHEEXPERIMENTALRESULTSSHOWTHATTHEHOTCOMPACTEDCOMPOSITESPREFORMFOLLOWEDBYHOTROLLINGEXHIBITEDEXCELLENTMECHANICALPROPERTIESTHEAVERGEULTRASTRENGTHANDELONGATIONPERCENTAGEOFTHECOMPOSITESCANREACHEDUPTO540MPAAND79ATROOMTEMPERATURE,272MPAAND50AT315℃,163MPAAND50AT400℃RESPECTIVELY,WHICHAREHIGHERTHANTHATOFTHEALFEVSIALLOYARE466MPAAND48ATROOMTEMPERATURE,234MPAAND36AT315℃,145MPAAND54AT400℃RESPECTIVELYTHEINCREASINGINMECHANICALPROPERTIESATTRIBUTEDTOTHESDDITIONOFTHEADDITIONOFSICPARTICLESUNDERDIFFERENTANNEALINGTEMPERATURECONDITION,THECOMPOSITESHEETEXHIBITHIGHERTHERMOSTABILITYTHANTHEALFEVSIALLOY,WHICHCANBECONTRIBUTEDTOTHEADDITIONOFSICPARTICLE

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文臺(tái)階覆蓋工藝中06ΜM接觸孔刻蝕形貌對(duì)ALSICU的填充效果的影響碩士研究生高菁如學(xué)號(hào)1082102038導(dǎo)師朱亦鳴副教授副導(dǎo)師黃建秋申請(qǐng)學(xué)位工程碩士學(xué)科集成電路所在單位微電子學(xué)院答辯日期2010年6月授予學(xué)位單位上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文I臺(tái)階覆蓋工藝中06ΜM接觸孔刻蝕形貌對(duì)ALSICU的填充效果的影響摘要本論文基于硅基CMOS工藝中直徑為06ΜM，高寬比大于1的接觸孔，研究其形貌與金屬填充（物理濺射工藝）效果的關(guān)系，并得出最優(yōu)填充效果下的接觸孔形貌。在各向同性和各向異性刻蝕菜單建立的過(guò)程中研究了相關(guān)工藝參數(shù)對(duì)于刻蝕形貌的影響，并確立了基準(zhǔn)接觸孔形貌（各向同性與各向異性刻蝕比例為11的酒杯形貌）。為了解決各向同性與各向異性部分的銜接尖角嚴(yán)重降低金屬臺(tái)階覆蓋率的問(wèn)題，進(jìn)行了降低尖角高度、減小尖角尖銳度和倒角三種實(shí)驗(yàn)來(lái)優(yōu)化孔的形貌。最后結(jié)合SEM下的臺(tái)階覆蓋情況和接觸孔電阻值，確定了通過(guò)對(duì)基準(zhǔn)接觸孔形貌進(jìn)行物理轟擊倒角的最優(yōu)方法。關(guān)鍵詞06ΜM接觸孔，酒杯形貌，金屬填充，倒角