簡介：分類號UDC密級學(xué)位論文A1．12．7SI．0．7MG合金MIG焊接工藝和焊后熱處理對接頭組織與性能的影響作者姓名齊振余指導(dǎo)教師何長樹副教授東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院申請學(xué)位級別碩士學(xué)科類別工學(xué)學(xué)科專業(yè)名稱材料學(xué)論文提交日期2012年6月論文答辯日期2012年6月25日學(xué)位授予日期2012年7月答辯委員會主席劉春明教授評閱人趙驤教授宋建宇副教授東北大學(xué)2012年6月獨創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下完成的。論文中取得的研究成果除加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包括本人為獲得其他學(xué)位而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示謝亡已恩O?一簽嘲掀日期占?xì)w，F(xiàn)．J衫學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者和指導(dǎo)教師完全了解東北大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人同意東北大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索、交流。作者和導(dǎo)師同意網(wǎng)上交流的時間為作者獲得學(xué)位后半年口一年口一年半口兩年口學(xué)位敝儲簽?zāi)_B念簽字日期夠．∥，澎鉚簽名彳而侈似簽字日期,H／口L7．6．巧

簡介：分類號UDC密級學(xué)位論文A15．4SI．0．5MG鋁合金焊絲制備工藝及焊接性能研究作者姓名指導(dǎo)教師申請學(xué)位級別學(xué)科專業(yè)名稱論文提交日期學(xué)位授予日期評閱人王冬振何長樹副教授東北大學(xué)材料與冶金學(xué)院碩士學(xué)科類別工學(xué)材料學(xué)2013年6月論文答辯日期2013年6月26日答辯委員會主席王磊教授趙驤教授宋建宇副教授東北大學(xué)2013年6月獨創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下完成的。論文中取得的研究成果除加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包括本人為獲得其他學(xué)位而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名／擄啦日期卅。／，易7．學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者和指導(dǎo)教師完全了解東北大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人同意東北大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索、交流。作者和導(dǎo)師同意網(wǎng)上交流的時間為作者獲得學(xué)位后半年口一年口一年半口兩年√學(xué)位論文作者簽名功振I簽字日期歹所J．‘．々7導(dǎo)師簽名簽字日期貿(mào)Ⅲ‘診侈弓一氣認(rèn)孑

簡介：分類號TN492學(xué)號13063204UDC密級公開工學(xué)碩士學(xué)位論文65NM工藝下工藝下625GBPSSERDES發(fā)送器的設(shè)發(fā)送器的設(shè)計碩士生姓名張旭東學(xué)科領(lǐng)域微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究方向數(shù)?；旌霞呻娐分笇?dǎo)教師郭陽研究員國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院二〇二〇一五年五年十一十一月625GBPSSERDESTRANSMITTERDESIGNBASEDON65NMPROCESSCANDIDATEZHANGXUDONGADVISORGUOYANGADISSERTATIONSUBMITTEDINPARTIALFULFILLMENTOFTHEREQUIREMENTSFORTHEDEGREEOFMASTERINMICROELECTRONICSANDSOLIDSTATEELECTRONICSGRADUATESCHOOLOFNATIONALUNIVERSITYOFDEFENSETECHNOLOGYCHANGSHA，HUNAN，PRCHINA（NOVEMBER，2015）

簡介：分類號UDC密級學(xué)位論文6．5％SI鋼熱加工組織演變規(guī)律及工藝研究作者姓名指導(dǎo)教師任浩銘劉振宇教授劉海濤副教授東北大學(xué)軋制技術(shù)及連軋自動化國家重點實驗室申請學(xué)位級別碩士學(xué)科類別工學(xué)學(xué)科專業(yè)名稱材料加工工程論文提交日期2014年6月論文答辯日期2014年6月學(xué)位授予日期2014年7月答辯委員會主席高秀華教授評閱人趙憲明教授張海渠教授東北大學(xué)2014年6月獨創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下完成的。論文中取得的研究成果除加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包括本人為獲得其他學(xué)位而使用過的材料。與我～同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名彳王詵饞日期加他，．如學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者和指導(dǎo)教師完全了解東北大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人同意東北大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫迸行檢索、交流。作者和導(dǎo)師同意網(wǎng)上交流的時間為作者獲得學(xué)位后半年口一年口一年半口兩年口學(xué)位論文作者簽名證旄魄簽字日期U，Ⅵ‘K、導(dǎo)師簽名／刎簽字日期沙／址∥；，

簡介：⑧婦南辭軾大學(xué)碩士學(xué)位論文3D打印技術(shù)對家具設(shè)計的影響研究學(xué)科專業(yè)藝術(shù)學(xué)理論學(xué)位類型團(tuán)科學(xué)學(xué)位口專業(yè)學(xué)位研究生姓名李英導(dǎo)師姓名、職稱姜松榮教授論文編號湖南師范大學(xué)學(xué)位評足委員會辦公室中文摘要自古以來，家具的設(shè)計制作就與技術(shù)存在著密切聯(lián)系。從原始的打制石器技術(shù)開始，到奴隸社會的金屬冶煉技術(shù)，再到現(xiàn)代的化學(xué)、機(jī)械生產(chǎn)制造技術(shù)和電子科學(xué)技術(shù)，每一次技術(shù)進(jìn)步都給家具帶來“斷代”般的影響，改變?nèi)藗兊纳罘绞健?D打印技術(shù)，這一新興的增材制造技術(shù)正在用不同于傳統(tǒng)的、強(qiáng)大的制造能力征服著各個領(lǐng)域和行業(yè)，甚至在國家發(fā)展計劃中都有其身影，成為各國爭相發(fā)展的對象。本文希望能通過對3D打印技術(shù)與其對家具設(shè)計的影響分析，給我國的家具設(shè)計提供新思路、新渠道，使其在全球3D打印的潮流中能更好的把握機(jī)會、迎接挑戰(zhàn)。以往對家具設(shè)計的分析都是從形態(tài)、材料、色彩、肌理及設(shè)計風(fēng)格等家具產(chǎn)品層面出發(fā)，但設(shè)計，尤其是一件產(chǎn)品的設(shè)計從來都不是只設(shè)計產(chǎn)品本身，還得包括生產(chǎn)、運輸、使用、人群等各個層面?！捌髣潖V告時，就該想到如何銷售。’’本文主要運用了案例研究法、文獻(xiàn)研究法和對比分析法。通過各國的3D打印家具案例，從家具的功能、材料、結(jié)構(gòu)、外形和家具設(shè)計中的設(shè)計師、企業(yè)、消費者等各個方面對比分析出3D打印技術(shù)對整個家具設(shè)計帶來的各種影響和未來可能的影響。本文不僅從家具的構(gòu)成要素出發(fā)，也從設(shè)計師、企業(yè)、消費者各個人群出發(fā)，分析出3D打印技術(shù)在提供快捷、便利、強(qiáng)大造型能力及個性化定制等優(yōu)點的同時，也帶來了競爭壓力大、轉(zhuǎn)型慢、法律缺

簡介：西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文45KV快軟恢復(fù)二極管的特性優(yōu)化與工藝設(shè)計姓名李佳斌申請學(xué)位級別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師王彩琳201202西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文_’__一_II

簡介：北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文316L不銹鋼電鍍CRPD合金膜的工藝、結(jié)構(gòu)及耐蝕性能研究姓名徐亮申請學(xué)位級別碩士專業(yè)材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師左禹20100604北京化工大學(xué)碩士學(xué)位論文XPS分析結(jié)果可知在CRPD合金膜中，CR元素的存在形式為CROH3、CR單質(zhì)和CR203，PD元素的存在形式為單質(zhì)PD，其中含有少量的PDO。采用熱震法，百格法和劃痕法對膜層的附著力進(jìn)行了檢測，結(jié)果表明膜層的附著力優(yōu)良，通過顯微硬度測量表征了膜層的物理性能，結(jié)果表明CRPD合金膜的硬度大約是空白不銹鋼和鍍鈀試樣的1．5倍，而且隨著膜層中PD含量的增多，顯微硬度逐漸減小。用失重法、極化曲線及EIS測試研究了其在沸騰的20％H2S04溶液以及甲乙混合酸中的腐蝕行為。結(jié)果表明，CRPD合金鍍膜能夠顯著提高316L不銹鋼在非氧化性強(qiáng)腐蝕介質(zhì)中的耐蝕性，電鍍后316L不銹鋼在沸騰的20％H2S04中的腐蝕速率降低了4個數(shù)量級以上，基本上與電鍍PD相同。鉻．鈀合金膜具有高耐蝕性的原因是’PD有著較高的陰極氫交換電流密度和較高的熱力學(xué)電勢，可以促使CR膜在非氧化性強(qiáng)腐蝕介質(zhì)中的電位提高，從而形成穩(wěn)定的鈍化膜。關(guān)鍵詞316L不銹鋼，電鍍，CRPD合金，耐蝕性，鈍化，三價鉻N

簡介：碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文35VOLTIBW/TC4復(fù)合材料細(xì)管熱擠壓旋鍛復(fù)合工藝研究STUDYONTHINTUBEMANUFACTUREPROCESSOF35VOLTIBW/TC4COMPOSITEBYHOTEXTRUSIONANDROTARYFORGING焦雪艷焦雪艷哈爾濱工業(yè)大學(xué)哈爾濱工業(yè)大學(xué)2014年6月CLASSIFIEDINDEXTG3762UDC621DISSERTATIONFORTHEMASTERDEGREEINENGINEERINGSTUDYONTHINTUBEMANUFACTUREPROCESSOF35VOLTIBW/TC4COMPOSITEBYHOTEXTRUSIONANDROTARYFORGINGCANDIDATEJIAOXUEYANSUPERVISORPROFZHANGWENCONGACADEMICDEGREEAPPLIEDFORMASTEROFENGINEERINGSPECIALITYMATERIALSPROCESSINGENGINEERINGAFFILIATIONSCHOOLOFMATERIALSSCIENCEANDENGINEERINGDATEOFDEFENCEJUNE,2014DEGREECONFERRINGINSTITUTIONHARBININSTITUTEOFTECHNOLOGY

簡介：2015年米蘭世界博覽會中國館工藝型壁畫概念設(shè)計設(shè)計的材料與技法研究（結(jié)題報告）重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文（專業(yè)學(xué)位）學(xué)生姓名楊陵宇指導(dǎo)老師嚴(yán)屏副教授學(xué)位類別藝術(shù)碩士重慶大學(xué)藝術(shù)學(xué)院二O一三年五月重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要I摘要綜合材料技法在不同的創(chuàng)作運用中發(fā)展衍生出新的意義，在不斷地探索中拓展了藝術(shù)化的材料語言。此選題依據(jù)2015年世界博覽會議題，對當(dāng)前存在的食品安全問題進(jìn)行思考，從生產(chǎn)者、初級消費者、高級消費者三個方面以工藝型壁畫的形式進(jìn)行展示說明。并對工藝型壁畫設(shè)計進(jìn)行了材料與技法上的創(chuàng)新，論述進(jìn)行材料與技法創(chuàng)新的必要性，總結(jié)研究過程中遇到的問題以及成功和失敗的經(jīng)驗，提出材料技法創(chuàng)新應(yīng)以作品主題和作品整體風(fēng)格相一致。并在此基礎(chǔ)上，為作品的延展應(yīng)用進(jìn)行有益探索。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞工藝型壁畫，設(shè)計材料研究，設(shè)計技法研究

簡介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文25GHZ035ΜMCMOS工藝壓控振蕩器設(shè)計姓名王濤申請學(xué)位級別碩士專業(yè)軟件工程（IC）指導(dǎo)教師馮軍徐永斌20080624東南大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTTHEFREQUENCYGENERATORISABSOLUTELYNECESSARILYTOMOSTELECTRICSYSTEMS，ESPECIALLYTHEKERNELOFWIRELESSCOMMUNICATINGSYSTEMS．VOLTAGECONTROLLEDOSCILLATORISASPECIALOSCILLATORTHATITSFREQUENCYISCHANGEDBYTHECHANGEOFEXTERNALCONTROLVOLTAGE，ANDITISTHEKEYPARTOFAFREQUENCYGENERATOR．THEDEVELOPMENTOFELECTRONICDEVICESANDSYSTEMSISASIGNIFICANTREFORMOFDEVELOPINGOFVCOTECHNOLOGY．FORNOTONLYMODEMWIRELESSSYSTEMSBUTALSOTHOSEINFUTURE，ESPECIALLYWIRELESSMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS，THEDEMANDOFHIGHEREFFICIENCY,LESSWEIGHT，LESSSIZE，HIGHERPERFORMANCE，MOREPOWERFIAI，LESSPOWERCONSUMPTIONANDLESSCOSTSISIMPROVEDINCREASINGLYANDMOREURGENT．THETHESISPRESENTSBASICPRINCIPLEOFVCOROUNDEDCIRCUITDESIGNANDLAYOUTDESIGNOFTHEVCOCIRCUITINAHIGHSPUDCRCFORSTM一16BITRATE2．488GB／SOPTICALCOMMUNICATIONSYSTEM．THETHESISANALYZESBASICPRINCIPLEANDSTRUCTUREOFVCO．AFULLINTERGRATEDRINGVCOISIMPLEMENTEDIN0．359M2P4MMIXEDSIGNALCMOSPROCESS．THEVCOCONSISTSOFTHREESAMECELLCIRCUITSSTAGES．EACHCONSISTSGAINSAREADJUSTEDBYTAILCURRENTS．ANDTHETAILCURRENTSOFEACHCONSISTSARECONTROLLEDBYTHECONTROLVOLTAGETHROUGHCURRENTMIRRORSTOIMPLEMENTTHEMODULATIONOFFREQUENCY．THECANDENCEPOSTSIMULATIONRESULTSINDICATETHATTHEMAINFUNCTIONSOFTHEVCOAREIMPLEMENTANDPRIMARILYMEETTHETASKOFTHEDESIGN．MEASUREMENTSSHOWTHATTHEVOLTAGECONTROLLEDSENSITIVITYIS1．352GHZ／VANDTHEOPERATINGFREQUENCYCOVERS1．853．03GHZ．THEPHASENOISEIS85．009DBC／HZIMHZ．THEPOWERCONSUMPTIONISABOUT15MWOFASUPPLYVOLTAGEOF3．3V．PROTENTIALAPPLICATIONSINCLUDEPLLSANDFREQUENCYSYNTHESIZERS．KEYWORDSCLOCKRECOVERYCIRCUITSCRCCMOSPHASELOCKEDLOOPPLLVOLTAGECONTROLLEDOSCIILATORVCOⅡ

簡介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文102工藝線10UM工藝技術(shù)ESD能力評估研究姓名鄭若成申請學(xué)位級別碩士專業(yè)軟件工程指導(dǎo)教師吳金孫鋒20081230東南大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTTHEDESIGNOFTHEPADESDPROTECTIONSTMCTURESISAVERYIMPORTANTPARTOFTHEWHOLELCDESIGNS．FORWELLESTABLISHED0．8TO1．5MICRONPROCESSES，THEDESIGNOFTHEPADESDPROTECTIONS伽LCTLIRESISQUITEMATURE．CONVENTIONALPROTECTIONS仃UCMRESINCLUDEPNJUNCTIONS，F(xiàn)INGERTYPEGGGATEGROUNDEDNMOSTRANSISTORANDFIGNERTYPEGGPMOSTRANSISTORCOMBINEDSTRUCTURES，ANDGGNMOSTRANSISTOR,RESISTORANDMETALFIELDTRANSISTORCOMBINEDSTRUCTURESREFERREDTOASAFSTRUCTURES．HOWEVER,CUSTOMERCOMPLAINTSABOUTLOWESDROBUSTNESSHAVEBEENRECEIVEDFORSOMEOFTHE1．OMICRONPRODUCTSEMPLOYINGTHEABOVEPROTECTIONSTRUCTURES．THROUGHANALYSESITISFOUNDTHATTHEFAILURESAREMAINLYINCONNECTIONWITHTHEPROTECTIONCAPABILITYOFTHEPULLDOWNGGNMOSTRANSISTORS，WHICHINTURNISINCONNECTIONWITHTHEBURNOUTOFTHEDRAINSUBSTRATEPNJUNCTIONS．THEGATEOXIDEFAILUREOFTHEGGNMOSTRANSISTORSISLESSIMPORTANT．TOINVESTIGATETHEEFFECTOFLAYOUTSANDPROCESSCONDITIONSONESDROBUSTNESS，THEMOSTCOMMONLYUSDESDPROTECTIONSTRUCTURESHAVEBEENEMPLOYEDONAPADTESTCHIPANDSOMEPRACTICALPRODUCTCHIPS，ANDDIFFERENTLAYOUTDESIGNSANDPROCESSCONDITIONSHAVEBEENUSED．THEESDSTESTRESULTSOFTHEPADTESTCHIPSHOWTHATTHEESDROBUSTNESSOFTHECHIPSONTHEWAFERCENTERISHIGHERTHANTHATNEARTHEEDGE．INTHEFORWARDTURNONCURRENTRELEASINGMODE，THEESDROBUSTNESSOFTHETESTSTRUCTURESAREHIGHERTHAN5000VINTHEHUMANBEDYMODE，EXCEPTFORTHEPNJUNCTIONSTRUCTURESWHOSEESDROBUSTNESSISOVER3000VHOWEVER,INTHEREVERSEBREAKDOWNCLL仃ENTRELEASINGMODE．THEESDROBUSTNESSISONLY2000VFORFOURFINGER,TWOFINGERANDSINGLEFINGERGGNMOSTRANSISTORSTRUCTURESANDAFSTRUCTURES．SOTHEPROTECTIONSTRUCTUREFAILURESOCCURINTHEREVERSEBREAKDOWNMODE．THEESDROBUSTNESSOFTHEPRACTICALPRODUCTCHIPSEMPLOYINGTHEFOURFINGERGGNMOSTRANSISTORSTRUCTURESORAFSTRUCTURESISOVER4000VTHEABOVETESTRESULTSSHOWTHATRELATIVELYHIGHESDROBUSTNESSCANBEACHIEVEDUSINGTHESTANDARD1．0MICRONPROCESS，BUTESDROBUSTNESSISINCONNECTIONWITHTHELAYOUTDESIGNS．SOTHEDISIGNRULESOFTHEESDPROTECTIONSTRUCTURESSHOULDBEOPTIMIZEDTODEALWITHTHECUSTOMERCOMPLAINTS．BASEDONTHETESTRUSULTS，THEREASONSTHATTHEGGNMOSSTRUCTURESEXHIBITHIGHERESDROBUSTNESSTHANTHEPNJUNCTIONSTRUCTURESAREDISCUSSED，THERELATIONSHIPBETWEENTHEGATELENGTHOFTHEGGNMOSTRANSISTORSANDESDROBUSTNESSISINVESTIGATED，THEEFFECTOFTHECRITICALDIMENSIONSINTHEPROTECTIONSTNICTURESONESDROBUSTNESSISANALYZED，THEMECHANISMSFORESDPROTECTIONCAPABILITYIMPROVEMENTSBYINCORPORATINGESDIMPLANTATIONSARESTUDIED．，ANDANANALYSISMEANSISGIVEDTODETECTTHEFAILURESPOTBYTHEIVCURVEOFTHEPROTECTCIUIRUT．ANDFINALLY,OPTIMIZEDDESIGNRULESFORTHEESDPROTECTIONSTRUCTLIRESAGEPRESENTED．ANEWGGNMOSPROTECTIONSTRUCTUREISDESCRIBED，WHICHISREALIZEDBYEXTENDINGTHEDRAINCONTACTMETALTOCOVERTHEGATETOIMPROVETHEESDROBUSTNESS．NOSIGNIFICANTIMPROVEMENTSHAVEBEENOBTAINEDBYVARYINGTHEPROCESSCONDITIONS．MOREWORKISONSCHEDULETOINVESTIGATETHEEFFECTOFTHEPROCESSCONDITIONSONESDROBUSTNESS．KEYWORDSESDPROTECTIONSTRUCTURES，MECHANISM，ESDTEST，DESIGNRULE，LAYOUT，PROCESSII

簡介：北京工業(yè)大學(xué)博士后學(xué)位論文1TINI形狀記憶合金與不銹鋼瞬間液相擴(kuò)散連接工藝和機(jī)理研究2無釬劑超聲釬焊鎂合金用釬料制備及接頭性能研究姓名李紅申請學(xué)位級別博士后專業(yè)材料加工工程指導(dǎo)教師栗卓新20080301第一部分PARTITINI形狀記憶合金與不銹鋼瞬間液相擴(kuò)散連接工藝和機(jī)理研究INVESTIGATIONONPROCESSANDMECHANISMFORTRANSIENTLIQUIDPHASETLPDIFFUSIONBONDINGOFTINISHAPEMEMORYALLOYTOSTAINLESSSTEEL

簡介：大連理工大學(xué)博士學(xué)位論文強(qiáng)脈沖離子束產(chǎn)生的燒蝕等離子體特性的研究姓名譚暢申請學(xué)位級別博士專業(yè)等離子體物理指導(dǎo)教師馬騰才張家良20060401譚暢強(qiáng)脈沖離子束產(chǎn)生的燒蝕等離子體物理特性的研究起著決定的影響，本文利用發(fā)射光譜的空間分辨，精確的計算出燒蝕等離子體中各種成分粒子的擴(kuò)散速度，并且估算出燒蝕等離子體的整體擴(kuò)散速度。相對于其他診斷方法，如快速照相機(jī)連續(xù)拍照等方法給出了更為精確的結(jié)果，并為進(jìn)一步發(fā)展PIB制備薄膜技術(shù)，提供實驗依據(jù)。結(jié)果表明當(dāng)TMEP．1I加速器產(chǎn)生的IPIB與聚乙烯靶相互作用產(chǎn)生出燒蝕等離子體，等離子體中的所有成分都以一個速度在真空中擴(kuò)散。通過光學(xué)測量方法得到燒蝕等離子體的整體速度沿著靶的法線方向向外大約為1000州J，這個結(jié)果是在加速器的工作參數(shù)為如下條件時獲得的一個PM脈沖的平均能量密度約為4J／CM2，單脈沖總能量約為12,1，脈沖寬度約為70NS。這種方法測量速度的相對誤差小于10％。為了從微觀上揭示燒蝕等離子體的物理特性，我們建立了一個數(shù)學(xué)物理模型，來描述燒蝕等離子體的擴(kuò)散行為。用計算機(jī)模擬的方法，給出微觀的物理圖象，結(jié)果與實驗上所觀測到的現(xiàn)象符合的較好。為繼續(xù)研究燒蝕等離子體的應(yīng)用提供理論依據(jù)。我們在研究過程中，建立了隨時間變化的燒蝕等離子體擴(kuò)散的流體力學(xué)方程，描述了燒蝕等離子體的各項物理參數(shù)的時空演化，發(fā)現(xiàn)密度和速度的最大值并沒有出現(xiàn)在等離子體源處，而是某一時刻，遠(yuǎn)離靶表面的某一位置。按照燒蝕等離子體的產(chǎn)生時間和擴(kuò)散時間，分段給出初始條件和邊界條件，能夠很好的模擬出燒蝕等離子體擴(kuò)散和發(fā)展的變化，與實驗結(jié)果符合的很好。建立的模型適用于IPIB轟擊任何固體靶的物理過程，調(diào)整計算參數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)不同束流密度條件下，同樣可以給出燒蝕等離子體的時空演化規(guī)律。通過模擬可以得到不同成分燒蝕等離子體速度和密度的演化規(guī)律，能夠為制備不同成分薄膜技術(shù)工藝提供相應(yīng)的理論依據(jù)。關(guān)鍵詞強(qiáng)脈沖離子束燒蝕等離子體；發(fā)射光譜；數(shù)值模擬；聚乙烯

簡介：分類號密級UDC編號碩士學(xué)位論文16CUHCS/40CR電致超塑性焊接工藝及機(jī)理學(xué)位申請人人孫敬指導(dǎo)教師師張柯柯教授涂益民教授學(xué)科專業(yè)業(yè)材料加工工程學(xué)位類別別工學(xué)2011年5月摘要論文題目論文題目16CUHCS/40CR電致超塑性焊接工藝及機(jī)理電致超塑性焊接工藝及機(jī)理專業(yè)業(yè)材料加工工程材料加工工程研究生生孫敬孫敬指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師張柯柯張柯柯涂益民涂益民摘要超高碳鋼（UHCS）經(jīng)熱機(jī)械處理后可獲得優(yōu)異的力學(xué)性能，但其中大量碳化物的存在導(dǎo)致其焊接性差，嚴(yán)重制約了工程應(yīng)用。本課題基于含大體積分?jǐn)?shù)碳化物的鋼具有超塑性和施加電場有利于材料超塑性及固態(tài)焊接的試驗事實，開展了具有大體積分?jǐn)?shù)碳化物UHCS的電致超塑性焊接研究，為此類難焊材料的高質(zhì)量的焊接提供了新的加工技術(shù)。本文以球化退火態(tài)16CUHCS和整體鹽浴循環(huán)淬火態(tài)40CR為研究對象，在主要研究電場對16CUHCS超塑性壓縮力學(xué)特性和微觀組織影響的基礎(chǔ)上，設(shè)計了16CUHCS/40CR電致超塑性焊接工藝，采用對比的研究方法，對電致超塑性焊接工藝、接頭組織與性能等進(jìn)行分析檢測，并初步提出了電致超塑性焊接接頭的形成機(jī)制模型。實驗結(jié)果表明電致超塑性壓縮時，16CUHCS穩(wěn)態(tài)流變應(yīng)力降低，應(yīng)變速率敏感性指數(shù)M值升高，超塑變形激活能Q值減?。痪Я５容S性提高，碳化物大小不均性增強(qiáng)，晶內(nèi)可動位錯增加，晶界圓弧化，即電場可提高16CUHCS超塑性變形能力，加快超塑性壓縮變形過程中的物質(zhì)遷移。在電場強(qiáng)度15KV/CM，溫度760780℃，焊接時間1020MIN，初始應(yīng)變速率751053104S1條件下可實現(xiàn)16CUHCS/40CR的電致超塑性焊接，電場為主要影響因素。在電場強(qiáng)度3KV/CM，焊接溫度780℃，初始應(yīng)變速率15104S1，焊接時間20MIN時，16CUHCS/40CR電致超塑性焊接接頭抗拉強(qiáng)度最高可達(dá)到經(jīng)相同熱力循環(huán)40CR母材的83，焊合率顯著提高。焊接試樣變形較小，主要表現(xiàn)為接頭區(qū)的徑向脹大。在16CUHCS/40CR電致超塑性焊接過程中16CUHCS的電致超塑性起主要作用。16CUHCS/40CR電致超塑性焊接接頭可劃分為界面區(qū)‖、過渡區(qū)‖和母材區(qū)‖三個區(qū)域。16CUHCS/40CR電致超塑性焊接接頭原界面處形成了幾十至300NM的界面區(qū)，其由不連續(xù)的、大小約為20NM150NM的球狀或短棒狀M7C3相和分布在M7C3之間的、不連續(xù)的、納米尺度的FECRΣ相，以及少量較大的M7C3相及部分動態(tài)再結(jié)晶微區(qū)組成；在顆粒相之間存在由鐵素體連接Α/Α、鐵素體與碳化物連接Α/K和碳化物連接K/K

簡介：上海交通大學(xué)工程碩士學(xué)位論文12UMEEPROM低電壓下工作的失效分析與工藝優(yōu)化12UMEEPROM低電壓下工作的失效分析與工藝優(yōu)化碩士姓名錢國平專業(yè)軟件工程學(xué)號1042102084導(dǎo)師程秀蘭副教授上海交通大學(xué)微電子學(xué)院2007年1月12UMEEPROMLOWVOLTAGEFAILUREANALYSISANDPROCESSOPTIMIZATIONABSTRACTASTHEPORTABLEELECTRONICPRODUCTSAREDEVELOPINGRAPIDLY,LOWPOWERCONSUMPTIONEEPROMDESIGNHASBEENAPOPULARFIELDINTHISPAPER,APRODUCTFABRICATEDBYTHEMATURETECHNOLOGYOF12UMEEPROMPROCESSISINTRODUCEDTOACHIEVETHETARGETOFLOWPOWERCONSUMPTION,THEDESIGNERMODIFIEDTHECIRCUIT’SLAYOUTHOWEVER,THEPILOTWAFERSMADEBYTHEPRIMARYPROCESSFAILEDSEVERELYUNDERLOWVOLTAGETESTINGCONDITIONFIRSTLY,WECOLLECTEDANDANALYZEDAMASSOFPVMDATATOINVESTIGATETHEROOTCAUSEOFLOWVOLTAGEFAILURETHEN,THECIRCUIT’SFAILUREMECHANISMWASDISCUSSEDTHEORETICALLYWESTUDIEDTHETHEORIESINCLUDINGTHEINFLUENCEOFFLOATINGGATETOEEPROMMEMORYCELLS,THERELATIONSHIPBETWEENERASE/WRITECHARACTERISTICSANDFOWLERNORDHEIMTUNNELINGMECHANISM,THEWORKINGPRINCIPLEOFTHECHARGEPUMPINAHIGHVOLTAGEGENERATOR,THEINFLUENCEOFKEYPROCESSPARAMETERSTOTHECIRCUIT,THERELATIONSHIPBETWEENFAILUREANDTHRESHOLDVOLTAGEOFPOLY1NMOS,ANDSOONFOLLOWINGTHEABOVEANALYSIS,WEPROPOSEDASOLUTIONTOSOLVETHEPROBLEMBYOPTIMIZINGSOMEPROCESSPARAMETERTOMODIFYTHEPROCESSPARAMETER,WEDIDNUMEROUSPROCESSANDDEVICESIMULATIONWITHTHETCADSOFTWAREONTHEBASISOFTHESIMULATIONRESULTS,SOMESPLITSWEREARRANGEDCORRECTLYANDTHEAPPROPRIATEOPTIMIZINGCONDITION