簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文015微米工藝光刻圖形缺陷攻關(guān)項(xiàng)目管理姓名凌意明申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)項(xiàng)目管理指導(dǎo)教師倪衛(wèi)明20100301ABSTRACTAPPLICATIONOFSEMICONDUCTORPRODUCTSMOREWIDELY，ASTHEBRAINSOFELECTRONICDEVICES，THEHEARTOFPOWERCONTR01．THEPURSUITOFITSINCREASINGLYHIGHPERFORMANCEANDRELIABILITYISBOUNDINTHESEMICONDUCTORMANUFACTURINGPROCESSALSONEEDTOIMPROVEYIELDSANDREDUCEDEFECTS．INTHESEYEARS，THEGROWTHRATEOFSEMICONDUCTORMARKETSTARTEDTODECLINE。INTHEPASTTHATHAVESOUGHTINMINIATURIZATIONTECHNOLOGYTOREDUCETHECOSTOFTHEROUTEHADBEENCLOSETOTHELIMIT，ANDTHUSTHEPURSUITOFPRODUCTYIELDTOREDUCECOSTSANDIMPROVETHECOMPETITIVENESSOFENTERPRISES．PHOTOLITHOGRAPHYPROCESSPLAYSAKEYROLEINSEMICONDUCTORMANUFACTURING，F(xiàn)ROMTHE0．25MICRON，0．18MICRONTOTODAY’S0．15MICRON，0．13MICRON，ANDEVEN90NMINVARIABLYPROGRESSFROMLITHOGRAPHYPROCESSINNOVATION．IN1ITHOGRAPHYTHEEXISTENCEOFAKINDSOFDEFECTSAFFECTINGTHEPRODUCTYIELD．INTHISTHESIS，RESEARCHFORTHE0．15UMPROCESS1ITHOGRAPHYPATTERNDEFECTSPROJECTS．THISTHESISSTARTWITHTHEBASICTHEORYOFPROJECTMANAGEMENT，COMBINEDWITHTHEACTUALSETOFPROJECTMANAGEMENTINTHECOMMUNITYANDROLEOFTHEPRACTICALAPPLICATION．SECOND，SOMEONEMAYBENOTFAMILIARWITHSEMICONDUCTORINDUSTRYWAFERPRODUCTIONLINEMAY，INTHISTHESISWILLBRIEFINTRODUCESEMICONDUCTORMANUFACTURINGCONDITIONSANDPROCESSES，F(xiàn)OCUSINGONADVANCEDTECHNOLOGYINTHELITHOGRAPHYDEPARTMENTISFACINGCHALLENGES，WHICHLEADSTOPROJECTMANAGEMENTINTHE1ITHOGRAPHYPROCESSVALUE．THIRD，THROUGHTHEANALYSISOFPROJECTMANAGEMENTAPPLICATIONINTHESEMICONDUCTORINDUSTRY，F(xiàn)OCUSINGONTHE0．15MICRONPROCESSLITHOGRAPHYPATTERNDEFECTSRESEARCHPROJECTMANAGEMENT，SPECIFICAPPLIEDRESEARCHSEVERALMAJORFACTORSOFTHISPROJECT，SUCHASRISKMANAGEMENT，SCHEDULEMANAGEMENTANDCOSTMANAGEMENT，ANDGIVEAPROPOSALHOWTOINCREASEORIMPROVEPROJECTMANAGEMENT．FINALLY，THROUGHTHEANALYSISOFTHISPROJECT，SELFEXPERIENCEONTHELITHOGRAPHYPROCESSMANAGEMENTANDGRASSROOTSAWARENESSOFPROPOSEDLIMITATIONSEXISTEDINPROJECTMANAGEMENTOFTHESEMICONDUCTORINDUSTRY，BUTALSOWITHTHESTATUSOFTHESEMICONDUCTORINDUSTRY，WEHAVEABOLD2

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文013ΜMDRAM產(chǎn)品中HSG電容工藝優(yōu)化方案姓名季峰強(qiáng)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)軟件工程指導(dǎo)教師黃其煜范建國(guó)20080601HSGPROCESSOF013ΜMDRAMANDTHEIMPROVEMENTABSTRACTNEWPROCESSMETHODANDCAPACITORSTRUCTUREHAVEBEENUSEDINADVANCEDDRAMMANUFACTURETHISPAPERMAINLYSOLVESTHEHSG（HEMISPHERICALGRAIN）PROCESSISSUEOF013ΜMSTACKEDDRAMTHETRENDSOFELECTRODERESISTANCEANDTHEISSUEOFDRTFAILUREHAVEHIGHLYIMPACTEDTHECAPACITANCEOFHSGPROCESSTOOLANDTHEYIELDOFPRODUCTIONWAFERSOTHEHSGPROCESSMETHODHASBEENSTUDIEDAND2RELATIONSAREFOUNDINHSGPROCESSONEISTHERELATIONBETWEENHSGTHICKNESSANDCAPACITANCE,THEOTHERISTHERELATIONBETWEENHSGTHICKNESSANDDRTDATARETENTIONFAILFAILUREBASEONTHESEDATAANALYSIS,THEDEPOSITIONTIMETUNINGOFBASEPOLYISUSEDTOSOLVETHETRENDSOFELECTRODERESISTANCETHEDECREASEOFHSGTHICKNESSANDTHEENLARGEMENTOFCAPACITANCESTRUCTURECDAREUSEDTOSOLVEDTHEDRTFAILUREAFTERTHESEACTIONSARETAKEN,HSGBATCHSIZEHASBEENIMPROVEFROM1LOTTO3LOTSANDDRTFAILUREISNEARLY0SOTHEHSGTOOLCAPACITANCEHASBEENHIGHLYIMPROVED

簡(jiǎn)介：西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文013ΜMCMOS工藝中ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)姓名李鑫云申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師劉紅俠20080101ABSTRACTAFTERAPERIODOFICDEVELOPMENT，NOWITREQUESTSTOMOREANDMOREHIGHSPEEDANDTHEINTEGRATERATEISALSOGETTINGHIGHERANDHIGHER,WHICHRESULTTHEFEATURESIZESTOGETSMALLERANDSMALLER．ITUSESTHEADVANCEDLIGHTLYDOPEDDRAINLDDSTRUCTURES，SILICIDEDDIFFUSIONANDOTHERADVANCEDTECHNOLOGY,WHICHRESULTTHEROBUSTNESSOFESDTOGETLOWERANDLOWER．STATICELECTRICITYWILLNOTDECREASEBECAUSEOFTHESECHANGES，WHICHISWHYTHEDEEPSUBMICRONCMOSICESDPREVENTIONISESPECIALLYIMPORTANT．INORDERTOACHIEVETHEDSPDI酉TALSIGNALPROCESSORCHIPELECTROSTATICPROTECTIONREXTUIRCMENTS，THEESDPROTECTIONSTRUCTUREWHICHHASTHEADVANTAGEOFBOTHGATECOUPLENMOSANDSUBSTRATETRIGGEREDNMOSWASDESIGNED．FUTHERMORE，ITUSESSOMEOFKEYLAYOUTDESIGNANDTHEWHOLECHIPPROTECTIONDESIGN，WHICHEARLMAKETHEELECTROSTATICPREVENTIONTOACHIEVETHEDESIREDRESULTS．T11ISPAPERINTRODUCESTHEELECTROSTATICDISCHARGEPHENOMENAANDTHEIMPACTOFCMOSINTEGRATEDCIRCUITSATFIRST,ANDTHENDESCRIBESTHEESDMODEL，THEINDUSTRYSTANDARDSANDELECTROSTATICDISCHARGETESTOFKNOWLEDGE，ANDTHENDESCRIBESINDETAILTHEBASICPROTECTIONCONCEPTSOFELECTROSTATICDISCHARGE，INCLUDINGPOPULARPROTECTIVEDEVICESANDCOMMONELECTROSTATICPROTECTIVESTRUCTURE．BASEDONCHARTERED0．13PANCMOSPROCESSONTHECHIPSFORELECTROSTATICPROTECTIONCIRCUITDESIGN，NLISESDPROTECTIONSTRUCTUREUSESTHEDYNAMICFLOATEGATECOUPLESTRUCTUREANDTHESUBSTRATETRIGGEREDSTRUCTURE．ITHASTHEADVANTAGESOFTHISTWOELECTROSTATICPROTECTIONSTNCTURE．ANDTHEPAPERANALYZESSOMEKEYPARAMETERSBYSIMULATIONANDSOMECRITICALLAYOUTDESIGNISPROVIDEDTOENSURELOWERTRIGGER／CLAMPVOLTAGEANDUNIFORMCURRENTDISTRIBUTION．FINALLYTHISPAPERCONSIDERTHEPROTECTIONOFTHEENTIRECHIP．THECHIPISNOTSTREAMINGTOPRODUCE，BUTTHEOPTIMIZEDESDPROTECTIONCIRCUITCANBEPREDICTEDTOPASSTHE絢忒HBMHUMANBODYMODELTESTANDITWILLBEAPPLIEDINTHEDSPCHIPSUCCESSFULLY．INTHISPAPER,THEESDPROTECTIONSTRUCTUREWHICHISBASEDONPRACTICALAPPLICATIONANDTHETHEORETICALKNOWLEDGEHASTHEHIGHROBUSTNESSOFTHEESDPROTECTION,BUTTHEDEVICE．1EVELSIMULATIONCANNOTBEINVOLVED。IN也EFUTUREWE啪USETHEMOREACCURATESIMULATIONMODELANDEXCELLENTSOFTWAREFORDEVICE．1EVELSIMULATIONTOBETTERSTRUCTURES．KEYWORDSELECTROSTATICDISCHARGEGATECOUPLESTRUCTUREKEYPARAMETERSFLOATINGCONNECTEDNMOSLAYOUTDESIGN

簡(jiǎn)介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文013ΜMCMOS工藝的30GHZ（GB/S）以上的四分頻器和1∶2分接器的設(shè)計(jì)姓名沈炎俊申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師馮軍20100301

簡(jiǎn)介：國(guó)內(nèi)圖書(shū)分婁號(hào)TP301．6國(guó)際圖書(shū)分類號(hào)681．14西南交通大學(xué)研究生學(xué)位論文密級(jí)公開(kāi)年級(jí)三Q二二級(jí)姓名王遵渥申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別亟±專業(yè)讓簋扭筮住蘭堡詮指導(dǎo)老師楊基數(shù)援二零一四年四月一日西南交通大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向尸家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)西南交通大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)印手段保存和匯編本學(xué)位論文。本學(xué)位論文屬于1．保密口，在年解密后適用本授權(quán)書(shū)；2．不保密函使用本授權(quán)書(shū)。請(qǐng)?jiān)谝陨戏娇騼?nèi)打‘～”學(xué)位論文作者簽名上為沫指導(dǎo)老師簽名日期動(dòng)／六；多，／『乙／日期’勺F叩．S．11、

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文013UM工藝平臺(tái)下RFPDK套件的開(kāi)發(fā)與自動(dòng)化設(shè)計(jì)碩士研究生吳林學(xué)號(hào)1112102010導(dǎo)師施國(guó)勇單位上海交通大學(xué)副導(dǎo)師黃勇單位華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)學(xué)位工程碩士工程領(lǐng)域集成電路工程專業(yè)方向軟件班級(jí)Z1121021學(xué)院微電子學(xué)院上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文I013UM工藝平臺(tái)下下RFPDK套件的開(kāi)發(fā)與自動(dòng)化設(shè)計(jì)摘要工藝設(shè)計(jì)套件PROCESSDESIGNKIT是為模擬/混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)而提供的完整設(shè)計(jì)文件的集合，是連接集成電路設(shè)計(jì)與集成電路工藝制造的完整數(shù)據(jù)平臺(tái)。為了開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)越的PDK套件，本文通過(guò)對(duì)PDK不同開(kāi)發(fā)方式的比較，證明了基于PDKAUTOMATIONSYSTEMPAS工具對(duì)PDK實(shí)現(xiàn)優(yōu)化開(kāi)發(fā)的優(yōu)越性。并以此為基礎(chǔ)，通過(guò)對(duì)013UMRF工藝PDK套件的技術(shù)文件、CDF參數(shù)以及參數(shù)化單元PCELL的開(kāi)發(fā)，研究并討論了在PDK開(kāi)發(fā)過(guò)程中所采用的設(shè)計(jì)流程以及設(shè)計(jì)方法。其中，對(duì)于PDK的核心組成部分CDF參數(shù)以及參數(shù)化單元PCELL的優(yōu)化開(kāi)發(fā)，文中進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。在器件參數(shù)化設(shè)計(jì)PCELL方面，文中通過(guò)對(duì)器件結(jié)構(gòu)的細(xì)致分析，在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上對(duì)器件參數(shù)化設(shè)計(jì)方法進(jìn)行了優(yōu)化，提出鏡像復(fù)制、整體復(fù)制以及層次歸納等多種結(jié)構(gòu)優(yōu)化算法，并以此設(shè)計(jì)出源程序可讀性和可維護(hù)性優(yōu)良、PCELL運(yùn)算速度快、執(zhí)行效率高的器件參數(shù)化單元。另一方面對(duì)于CDF參數(shù)的開(kāi)發(fā)，文中通過(guò)對(duì)寫(xiě)回程序CALLBACK的定義，實(shí)現(xiàn)了對(duì)CDF參數(shù)的多種操作功能，在CDF參數(shù)間建立了簡(jiǎn)單有效的傳遞關(guān)系，有效解決了CDF參數(shù)輸入超出工藝以及模型量測(cè)范圍的難題。在PDK開(kāi)發(fā)的后期驗(yàn)證中，針對(duì)于目前以人工建立PCELL測(cè)試模型的傳統(tǒng)驗(yàn)證方法，文中提出了采用程序?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)化建立PCELL測(cè)試模型的PCELL驗(yàn)證方法，大大增加了建立測(cè)試模型的數(shù)量，從而使得PCELL驗(yàn)證結(jié)果更具代表性、準(zhǔn)確性。此外，為使PDK能夠與IC設(shè)計(jì)更加緊密的結(jié)合在一起，文中第四章提出了利用匯編語(yǔ)言建立PDK套件自動(dòng)化設(shè)計(jì)平臺(tái)的設(shè)計(jì)思想。通過(guò)利用SKILL語(yǔ)言、PERL語(yǔ)言完成IC設(shè)計(jì)輔助功能以及自動(dòng)化平

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文011ΜMDRAM技術(shù)中深溝壑底部光阻殘余物去除工藝的改善研究姓名陸騫申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)軟件工程（集成電路）指導(dǎo)教師程秀蘭程秀蘭20081214上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文IIIMPROVEMENTOFPHOTORESISTREMOVEFORTHE11ΜMDRAMDEEPTRENCHCAPACITORPROCESSIMPROVEMENTOFPHOTORESISTREMOVEFORTHE11ΜMDRAMDEEPTRENCHCAPACITORPROCESSINTHESEMICONDUCTORWETCLEANING,SULFURICACIDANDHYDROGENPEROXIDEMIXEDSYSTEMREFERREDTOASSPMUSEDTORESISTTHEREMOVALANDCLEANINGPROCESS,WHICHISAMOREMATUREPROCESS。BUTTHEPRACTICEWASFOUNDONTHESPMPHOTORESISTREMOVALANDCLEANINGPROCESS,WHICHWILLCAUSEALOTOFANOMALIESESPECIALLYFORADVANCEDDRAMTECHNOLOGY,WHENUSINGSPMREMOVETHERESISTATTHEBOTTOMOFDEEPTRENCH,RESISTRESIDUEALWAYSCANBEFOUNDTHISARTICLEISBASEDONTHEPRACTICEOFPRODUCTIONDEFECTS,ANDANALYZESTHEMAINCOMPONENTSSULFURICPEROXIDEOFTHEMIXEDSYSTEMOFINFLUENCEPHOTORESISTREMOVALPROCESSTHROUGHEXPERIMENTSANDANALYSISOFVARIOUSFACTORSONTHEPEROXIDECONCENTRATIONOFSULFURICACIDACCORDINGTOTHECURRENTWIDELYUSEDINTHEPRODUCTIONOFTECHNOLOGY,INTRODUCEHOWTOCONTROLFACTORSRELATEDTOTHEREGULATION,TOBESTABLEANDSOUNDEFFECTSPHOTORESISTREMOVALTHISARTICLEFOCUSEDONONEBETTERWAYTOREMOVETHERESISTATTHEBOTTOMOFDEEPTRENCHDURING011DRAMCAPACITORMANUFACTURINGPROCESSBYTHELARGENUMBEROFCOMPARATIVEEXPERIMENTSCARRIEDOUTINVESTIGATIONANDANALYSISANDUSEOFADVANCEDEXPERIMENTALEQUIPMENTANDDEVICES,WETBENCH,HIGHDEGREEOFELECTRONICSCANNINGEQUIPMENT,OPTICALINSTRUMENTSANDADVANCEDANALYSISOFDEFECTIVEEQUIPMENT,TOFINDTHECAUSESOFDEFECTSANDDEFICIENCIESFOUNDTOAVOIDTHEPRODUCTIONAFTERTHEHARDWORK,FINALLY,THECONCENTRATIONOFSULFURICPEROXIDEHASBEENCONFIRMEDASTHEKEYFACTOROFTHEPHOTORESISTREMOVEPROCESSINTHEDEEPTRENCHANDDEFINETWOACTIONSFORTHEPROCESSOPTIMIZE,RAISINGTHETEMPERATUREOFSULFURICACIDPREEIGHTTANKANDSETONTIMEHYDROGENPEROXIDESUPPLY

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文013UM柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究碩士研究生何華忠學(xué)號(hào)1082102079導(dǎo)師黃其煜副導(dǎo)師范建國(guó)申請(qǐng)學(xué)位工程碩士學(xué)科集成電路工程所在單位微電子學(xué)院答辯日期2012年05月授予學(xué)位單位上海交通大學(xué)V013UM柵極多晶硅低壓沉積工藝穩(wěn)定性研究摘要半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展使得器件線寬尺寸越來(lái)越小，這對(duì)工藝的要求也越來(lái)越高。國(guó)內(nèi)某集成電路制造公司在正式量產(chǎn)013ΜM產(chǎn)品時(shí),發(fā)現(xiàn)大量的缺陷，其中以爐管工藝制程中的柵極多晶硅的電阻的均勻性問(wèn)題最為明顯,導(dǎo)致產(chǎn)品整體良率下降，甚至大量產(chǎn)品報(bào)廢。而柵極多晶硅的電阻的均勻性主要表現(xiàn)為機(jī)臺(tái)與機(jī)臺(tái)之間的差異、同一機(jī)臺(tái)不同位置的差異。本文主要研究了013ΜM柵極多晶硅的電阻的均勻性與硅烷（SIH4）的初始流量以及初始流量與多晶硅晶粒生長(zhǎng)尺寸的關(guān)系,得出了多晶硅電阻的均勻性與硅烷的初始流量成正比以及初始流量與多晶硅晶粒生長(zhǎng)尺寸成反比的結(jié)論。結(jié)合實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法，運(yùn)用TEM找出了多晶硅電阻均勻性與多晶硅晶粒尺寸相關(guān)，并提出柵極多晶硅電阻的均勻性與硅烷的初始流量的關(guān)系，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,可以通過(guò)監(jiān)測(cè)硅烷的初始流量來(lái)控制工藝的穩(wěn)定性，擴(kuò)展了工藝的兼容性即對(duì)于多晶硅的電阻的均勻性窗口小的產(chǎn)品由原來(lái)控制在兩臺(tái)生產(chǎn)擴(kuò)展到所有機(jī)臺(tái),產(chǎn)品良率由原來(lái)的9355提高到9483。關(guān)鍵詞多晶硅柵極，電阻，硅烷，初始流量，晶粒

簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文013UM銅互連工藝的研究和改善姓名奚民偉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)電子與通信工程指導(dǎo)教師張衛(wèi)20070331第一章緒論內(nèi)容提要一1半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展；2銅制程工藝概述；3介紹本論文內(nèi)容安排1．1引言電子工業(yè)在過(guò)去的50年間迅速增長(zhǎng)，這一增長(zhǎng)一直為微電子學(xué)革命所驅(qū)動(dòng)。1947年12月，由BARDEEM和BRATTAIN發(fā)明了第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體管。其后經(jīng)過(guò)SHOCKLEY等人的研究，晶體管器件理論與制造技術(shù)得到迅速發(fā)展。在此基礎(chǔ)上，第一個(gè)集成電路IC，INTEGRATEDCIRCUIT由TI公司的J．KILBY在1958年9月發(fā)明。這個(gè)發(fā)明被看成是劃時(shí)代的，J．KILBY也因此在2000年被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。其后經(jīng)過(guò)幾十年幾代人的努力，IC在制造技術(shù)，器件物理，電路和系統(tǒng)等方面取得了巨大的成就，IC的集成度也急劇增加，由開(kāi)始的SSISMALLSIZEINTEGRATED，小規(guī)模集成到LSILARGESIZEINTEGRATED，大規(guī)模集成，再到現(xiàn)在VLSIVERYLARGESIZEINTEGRATED，超大規(guī)模集成和ULSIULTRALARGESIZEINTEGRATED，甚大規(guī)模集成，SOCSYSTEMONCHIP，系統(tǒng)集成芯片，晶體管的柵尺寸在過(guò)去的30年中大約減小了200倍從1970年代的LOUM到當(dāng)前的65RIM。晶體管和特征尺寸的按比例縮小使得晶體管的密度指數(shù)型的增長(zhǎng)。晶體管尺寸按比例縮小最大的成就是晶體管的性能得到了迅猛的提高，集成電路時(shí)鐘頻率實(shí)現(xiàn)兩年翻一番的演變，如圖11所示。晶體管特征尺寸從3UM縮／J,至UO．13UM，時(shí)鐘頻率就從1MHZ提高到了’2GHZ“1。TECHNOLOGYFUN’圖II技術(shù)世代特征尺寸和時(shí)鐘頻率的關(guān)系

簡(jiǎn)介：北京建筑工程學(xué)院碩士學(xué)位論文燃?xì)庹{(diào)峰供熱系統(tǒng)水力及熱力工況研究姓名劉利梅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)供熱、供燃?xì)狻⑼L(fēng)及空調(diào)工程指導(dǎo)教師李銳20081201北京建筑工程學(xué)院頎十學(xué)位論文ABSTRACTPIPENETWORKOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEM，WHICHISACOMPLEXFLUIDNETWORKSYSTEM，ENSUREPEOPLE’SLIFEASALLIMPORTANTPARTOFCITYINFRASTRUCTURE．HYDRAULICCONDITIONOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEMWITHGASPEAKSHAVINGISESPECIALLYCOMPLEX．THESTARTSTOPOFGASPEAKSHAVINGHASSOMETHINGVERYDIRECTLYTOHEATINGAFFECTANDHEATSUPPLYENERGYCONSUMPTION．ITISSIGNIFICANTTOSTUDYTHERMALANDHYDRAULICCONDITIONOFTHEHEATINGSYSTEMWITHGASPEAKSHAVING．INTHISPAPER,BYUSINGFLUIDNETWORKANALYSISMETHOD，WITHUSINGGRAPHTHEORYANDKIRCHHOFFLAW，MATHEMATICALMODELOFHYDRAULICCONDITIONCALCULATIONWASBUILT．ANDBYUSINGBASECIRCUITANALYTICMETHOD，THEMODELWASSOLVED，WHOSECOMPUTERPROGRAMWASALSOGIVEN．FURTHERMORE，ANALYSISONCONDITIONOFPEAKSHAVINGHEATSOURCEWASCARRIEDOUT,ANDSIMULATIONCALCULATIONOFCENTRALIZEDHEATINGSYSTEMOFDIFFERENTPEAKSHAVINGRATIOSWASPRESENTED．WHENPEALSHAVINGRATIOSWEREDIFFERENT，THEHYDRAULICMEETINGPOINTANDWORSTPOINTOFTHECENTRALIZEDHEATINGSYSTEMCHANGED，ANDTHECHANGEOFTHERMALCONDITIONTOOKPLACE．KEYWORDSCENTRALIZEDHEATINGSYSTEM；GASPEAKSHAVING；ANALYSISONFLUIDNETWORK；HYDRAULICCALCULATIONMODEL2

簡(jiǎn)介：’蠆1D21102飯旦大學(xué)學(xué)校代碼10246學(xué)號(hào)；043052∞8碩士學(xué)位論文專業(yè)學(xué)位O．13UILLDA蝴銅互連工藝的研究和改善院系所微電子研究院專姓業(yè)電子與通信工程名沈悅指導(dǎo)教師姜國(guó)寶副罄授完成日期2006年9月20日復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文第5頁(yè)0．13啪DAMASCUS銅互連工藝的研究和改善摘要在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展中，金屬連線工藝從鋁互連制程轉(zhuǎn)到銅互連制程是一個(gè)旅程碑式的進(jìn)步，它配合低LOWK材料例如FSG的應(yīng)用，使得器件的時(shí)間延遲受金屬連線的影響降低到可接受的范圍。而且鑲嵌法在銅工藝種的應(yīng)用更是解決了銅難以蝕刻的問(wèn)題，使得半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸不斷縮小。本論文通過(guò)研究DAMASCUS銅互連工藝線上所遇到的IN一1INE的DEFECT展開(kāi)研究，對(duì)其形成的機(jī)理和線上制程的缺陷進(jìn)行分析。本論文通過(guò)IN一1INE的KLA掃描，以及SEMCUT對(duì)DEFECT的原理，以及可能的改進(jìn)措施進(jìn)行表征和分析，并且通過(guò)STR和MSTR的IN一1INE參數(shù)收集與分析，對(duì)改進(jìn)方式的可行性與可靠性進(jìn)行驗(yàn)證。DAMASCENE工藝中，對(duì)于VIA的保護(hù)很重要，VIA內(nèi)部的光阻將保證VIA的底部不會(huì)被ETCH穿，填滿VIA的光阻仍然由PHOTO區(qū)TRACK機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)涂膠法涂布完成，因此光阻厚度的UNIFORMITY尤為重要，VIA中的光阻填充不充分，或是WAFER各區(qū)域的厚度不均，都將可能導(dǎo)致VIA內(nèi)的光阻被ETCH盡。在密集型的VIAPATTERN區(qū)域，由于所需要填入的阻擋用光阻量比一般的PATTERN區(qū)域更多，因此這對(duì)光阻的圖布要求很高，形成新的挑戰(zhàn)。本文討論了4種針對(duì)此種所開(kāi)發(fā)的新型PROCESS，以及對(duì)他們的分析和驗(yàn)證。關(guān)鍵詞銅互連工藝，DAMASCUS工藝，、『IA的保護(hù)，光阻的填充

簡(jiǎn)介：兮類號(hào)JDC密級(jí)學(xué)位論文YO9YBO．13A15012透明陶瓷膠態(tài)成型工藝研究作者姓名指導(dǎo)教師申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別學(xué)科專業(yè)名稱論文提交日期學(xué)位授予日期評(píng)閱人武聰李曉東教授東北大學(xué)材料各向異性與織構(gòu)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室碩士學(xué)科類別工學(xué)材料學(xué)2012年6月論文答辯日期2012年6月2012年7月答辯委員會(huì)主席劉春明教授孫旭東教授馬曉紅高級(jí)工程師東北大學(xué)2012年6月獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的學(xué)位論文是在導(dǎo)師的指導(dǎo)下完成的。論文中取得的研究成果除加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人己經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包括本人為獲得其他學(xué)位而使用過(guò)的材料。與我一同二作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝芷．再K。學(xué)位論文作者簽名前J彩日期2口J2．P多、驢學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者和指導(dǎo)教師完全了解東北大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定即學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許論文被查閱和借閱。本人同意東北大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索、交流作者和導(dǎo)師同意網(wǎng)上交流的時(shí)間為作者獲得學(xué)位后半年口一年口一年半口兩年／學(xué)位論文作者簽名武他笙字日期勁C．礦F．杉導(dǎo)師簽名孚越豕簽字日期9，二．驢∥。詔

簡(jiǎn)介：分類號(hào)密級(jí)UDC1注學(xué)位論文ZR08,SN02TIO4微波介質(zhì)陶瓷材料工藝及應(yīng)用（題名和副題名）王卓斌（作者姓名）指導(dǎo)教師姓名楊傳仁教授電子科技大學(xué)成都（職務(wù)、職稱、學(xué)位、單位名稱及地址）申請(qǐng)專業(yè)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)名稱電子科學(xué)與技術(shù)論文提交日期201204論文答辯日期201205學(xué)位授予單位和日期電子科技大學(xué)答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人年月日注1注明國(guó)際十進(jìn)分類法UDC摘要I摘要介質(zhì)諧振器作為微波系統(tǒng)中的諧振單元，與傳統(tǒng)的金屬諧振腔相比，具有體積小、質(zhì)量輕等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于微波系統(tǒng)中；隨著介電常數(shù)的增大，諧振單元的體積還將進(jìn)一步縮小，開(kāi)發(fā)高介電常數(shù)的介質(zhì)諧振器可實(shí)現(xiàn)諧振單元與電路的集成化,并使得微波通信系統(tǒng)的體積大大縮??；所以對(duì)介質(zhì)諧振器材料的開(kāi)發(fā)具有現(xiàn)實(shí)意義。本文對(duì)ZR，SNTIO4（以下簡(jiǎn)稱ZST）系微波介質(zhì)陶瓷的工藝及應(yīng)用進(jìn)行了深入的研究，主要內(nèi)容有（1）對(duì)ZST系微波介質(zhì)陶瓷材料的降溫和改性研究。為了在低溫下也能合成性能均優(yōu)異的ZST微波陶瓷，本文添加了三種氧化劑（①ZNOWO3；②ZNOBI2O3；③ZNOLA2O3NIO），并比較分析了三種氧化劑加入ZST時(shí)的高頻性能。（2）ZST微波陶瓷應(yīng)用于介質(zhì)諧振天線的研究。本文在自制的ZST介質(zhì)諧振器的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了三款介質(zhì)諧振器天線，其中兩款是滿足無(wú)線局域網(wǎng)IEEE80211B（24～2483GHZ）協(xié)議的單頻介質(zhì)諧振天線，另外一款是針對(duì)無(wú)線局域網(wǎng)IEEE80211G（24～2483GHZ；515～535GHZ）協(xié)議的雙頻介質(zhì)諧振天線。在ZST微波陶瓷材料的開(kāi)發(fā)方面，本文的結(jié)論主要有以下三點(diǎn)（1）通過(guò)復(fù)合添加LA2O3和NIO,可以使燒結(jié)溫度顯著降低到1330℃，并改善了ZST陶瓷的致密度，但也增大了損耗；（2）通過(guò)添加BI2O3，可以使燒結(jié)溫度顯著降低為1310℃，實(shí)現(xiàn)在低溫爐中燒結(jié)，但是其頻率溫度漂移系數(shù)為1239PPM/℃，與報(bào)道的ZST微波陶瓷近似于零的溫度漂移系數(shù)存在一定差距，可以運(yùn)用于對(duì)溫度漂移系數(shù)不高的電路中；（3）通過(guò)添加WO3/ZNO，在1400℃的燒結(jié)溫度點(diǎn)（升溫速率3℃/MIN時(shí)，降溫速率10℃/H），樣品表現(xiàn)出良好的微波性能，在諧振頻率約78GHZ時(shí)，介電常數(shù)約382，QF值43300GHZ（運(yùn)用標(biāo)準(zhǔn)QF40000GHZ），頻率溫度漂移系數(shù)2PPM/℃（運(yùn)用標(biāo)準(zhǔn)10PPM/℃～10PPM/℃）。與傳統(tǒng)固相法相比，雖然QF值還存在小的差距，但是使燒結(jié)溫度降低了200℃，降低其工業(yè)生產(chǎn)成本。所以本論文中最佳配方為ZW025。在ZST材料應(yīng)用方面，本文主要有以下兩點(diǎn)結(jié)論（1）微帶線饋電的圓柱型介質(zhì)諧振器天線的中心諧振頻率242GHZ，諧振點(diǎn)回波損耗4139DB，相對(duì)帶寬53，絕對(duì)帶寬130MHZ，輸入阻抗493Ω。（2）共面波導(dǎo)饋電的倒L型方形介質(zhì)諧振器的中心諧振頻率246GHZ，諧振點(diǎn)回波損耗3638DB，相對(duì)帶寬為135，

簡(jiǎn)介：蒸氣間接加熱濃縮生產(chǎn)粗硫酸鎳工藝應(yīng)用蒸氣間接加熱濃縮生產(chǎn)粗硫酸鎳工藝應(yīng)用余智艷南昌有色冶金設(shè)計(jì)研究院南昌市（摘要）介紹蒸氣間接加熱濃縮法生產(chǎn)粗硫酸鎳工藝在銅電解液凈（摘要）介紹蒸氣間接加熱濃縮法生產(chǎn)粗硫酸鎳工藝在銅電解液凈化過(guò)程中的應(yīng)用對(duì)該工藝的工藝原理、操作參數(shù)的確定、所用設(shè)備化過(guò)程中的應(yīng)用對(duì)該工藝的工藝原理、操作參數(shù)的確定、所用設(shè)備特點(diǎn)及配置要求作了論述。特點(diǎn)及配置要求作了論述?！碴P(guān)鍵詞〕蒸氣間接加熱濃縮法粗硫酸鎳工藝〔關(guān)鍵詞〕蒸氣間接加熱濃縮法粗硫酸鎳工藝近年來(lái)為了充分利用銅資源，滿足市場(chǎng)需要，以廢雜銅為原料生產(chǎn)電銅的銅電解廠日益增加。由于受資金、原料等客觀條件的限制，這些銅冶煉廠的規(guī)模一般為1～2萬(wàn)TA。而以雜銅為原料產(chǎn)出的陽(yáng)極板含鎳較高有的高達(dá)03以上，這些鎳必須在電解液凈化過(guò)程中脫除。因此迫切需要一種適合中小型銅冶煉廠、設(shè)備簡(jiǎn)單、投資省的脫鎳工藝。而蒸氣間接加熱濃縮生產(chǎn)粗硫酸鎳工藝正滿足了這一需要本人曾在幾個(gè)工程的設(shè)計(jì)中運(yùn)用該工藝現(xiàn)就其工藝原理、操作參數(shù)、設(shè)備選擇及配置等方面做一些分析和論述。1、概述、概述鎳是銅陽(yáng)極板中的主要雜質(zhì)之一，在電解過(guò)程中若電解液中的鎳離子濃度超過(guò)15GL，對(duì)電銅質(zhì)量將產(chǎn)生不良影響必須在電解液的凈化過(guò)程中除去以保證電解的正常生產(chǎn)。電解液中鎳的脫除方法主要有結(jié)晶法、萃取法、離子交換法等。而國(guó)內(nèi)主要采用結(jié)晶法生產(chǎn)粗硫酸鎳如一些老冶煉廠采用的直火濃縮由圖1可見(jiàn)，當(dāng)溶液酸度升高或溫度降低時(shí)，溶液中鎳離子飽和濃度都相應(yīng)降低，即鎳離子形成硫酸鎳結(jié)晶析出。例如直火濃縮法及電熱濃縮法都是通過(guò)加熱溶液蒸發(fā)水份，提高其酸度然后再冷卻結(jié)晶產(chǎn)出粗硫酸鎳。

簡(jiǎn)介：畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)題目每年每年1萬(wàn)噸含鋅廢渣資源化利用工藝設(shè)計(jì)萬(wàn)噸含鋅廢渣資源化利用工藝設(shè)計(jì)摘要摘要氧化鋅是重要的無(wú)機(jī)原料，在各個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展和人們生活水平的迅速提高，鋅礦資源日益減少而鋅消耗量卻不斷增加，使得含鋅廢渣的回收利用問(wèn)題也越來(lái)越受到人們的關(guān)注，用氨配合法回收含鋅工業(yè)廢渣中的氧化鋅成為鋅礦資源化利用的有效途徑。本設(shè)計(jì)以上海寶鋼含鋅工業(yè)廢渣為原料，以氨碳酸氫銨為浸取劑，通過(guò)實(shí)驗(yàn)初步摸索了含鋅廢渣處理的條件，并結(jié)合文獻(xiàn)綜合考慮了浸出率、工藝復(fù)雜程度等因素后，確定了本設(shè)計(jì)的工藝條件。依據(jù)工藝設(shè)計(jì)的程序，按操作單元進(jìn)行物料衡算；對(duì)工藝中涉及到的換熱系統(tǒng)均進(jìn)行了能量衡算，確定了換熱面積和加熱蒸汽、冷卻水等加熱介質(zhì)和冷卻介質(zhì)的消耗量；在此基礎(chǔ)上，，進(jìn)行了工藝流程設(shè)計(jì)，畫(huà)出了工藝流程圖。結(jié)合衡算結(jié)果和工藝設(shè)計(jì)要求，選擇了適合本工藝的主要設(shè)備；依據(jù)物料性質(zhì)和操作條件選擇了各設(shè)備的材質(zhì)和規(guī)格；并結(jié)合設(shè)備在工藝操作條件，對(duì)所用儀表規(guī)格、型號(hào)進(jìn)行了選擇。關(guān)鍵詞含鋅廢渣氨碳酸氫氨活性氧化鋅工藝流程目錄摘要IIABSTRACTIII1緒論111研究背景112活性氧化鋅的性質(zhì)113活性氧化鋅的用途及應(yīng)用前景114工藝的最新進(jìn)展215現(xiàn)有制活性氧化鋅的方法216本設(shè)計(jì)的目的與意義32工藝設(shè)計(jì)321設(shè)計(jì)原則3211設(shè)計(jì)依據(jù)3212指導(dǎo)思想3213研究設(shè)計(jì)范圍422物料組成及反應(yīng)原理4221含鋅工業(yè)廢渣主要組成4222反應(yīng)所需試劑及其規(guī)格4223反應(yīng)原理423工藝流程5231工藝流程簡(jiǎn)述5232工藝流程框圖63物料衡算631每批所用浸取劑的質(zhì)量632除雜試劑用量計(jì)算7321H2O2的加入量7322鋅粉的加入量833補(bǔ)充試劑及洗滌用水用量計(jì)算834濾液的量835活性氧化鋅的產(chǎn)量94能量衡算941計(jì)算依據(jù)942熱能的衡算9421反應(yīng)釜的熱量衡算9422除雜凈化工段熱量衡算10424干燥工段能量衡算1143電能的消耗12431反應(yīng)釜的攪拌12432回轉(zhuǎn)窯的能耗12433蒸發(fā)器的能耗12