簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文018UM工藝1KX8BITS同步SRAM模塊設(shè)計(jì)姓名黃碧申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)電子與通訊工程指導(dǎo)教師李文宏20070408摘要本論文在深入研究SRAM的工作原理和采用深亞微米工藝所遇到的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的基礎(chǔ)上，采用綜合考慮芯片面積，速度和功耗的架構(gòu)，并針對(duì)具體的電路設(shè)計(jì)，提出了一些新的設(shè)計(jì)觀點(diǎn)和設(shè)計(jì)方案。論文的主要研究工作和創(chuàng)新結(jié)果摘要如下1．論文首先討論了SRAM的理論設(shè)計(jì)背景和設(shè)計(jì)規(guī)范在對(duì)SRAM的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)以及工作原理，SRAM工作中的時(shí)序控制和主要控制信號(hào)，以及SRAM的讀寫(xiě)操作的具體流程進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹后，結(jié)合半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展、深亞微米工藝的挑戰(zhàn)，以及SRAM技術(shù)的發(fā)展，確定了SRAM模塊的設(shè)計(jì)規(guī)范。2．論文隨后研究和討論了SRAM模塊的系統(tǒng)構(gòu)架和物理布局；首先詳細(xì)分析了整個(gè)系統(tǒng)的主要組成部分，簡(jiǎn)述了各部分的功能和它們之間的相互聯(lián)系，構(gòu)建出一個(gè)完整的系統(tǒng)架構(gòu)圖；然后據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)速度和功耗的要求，綜合考慮芯片面積等因素，通過(guò)估算，確定了SRAM存儲(chǔ)單元陣列和外圍電路的物理布局。3．然后，論文分析了具體電路的設(shè)計(jì)；主要內(nèi)容包括輸入鎖存電路，SRAM存儲(chǔ)單元，行列譯碼電路，輸入輸出電路，讀寫(xiě)時(shí)序控制電路和預(yù)充電電路的設(shè)計(jì)，在每個(gè)單元電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中，詳細(xì)討論了該電路的電路功能，電路原理，電路結(jié)構(gòu)，電路參數(shù)，電路圖，以及電路仿真結(jié)果和仿真波形在所有的電路中，最具創(chuàng)新意義的是新型預(yù)充電電路的設(shè)計(jì)，在討論其具體的電路設(shè)計(jì)之前，論文首先對(duì)方案的可行性進(jìn)行了討論，通過(guò)精確的計(jì)算得出了預(yù)充電電源的理論最優(yōu)值，使設(shè)計(jì)有了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)，在隨后的電路設(shè)計(jì)中，既考慮了電路的性能，又考慮了電路的成本和穩(wěn)定性，采用了簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，避免了對(duì)運(yùn)放穩(wěn)定性的補(bǔ)償，新型的預(yù)充電電路顯著的提高了電路速度，減小了電路功耗；在電路設(shè)計(jì)完成后，本文還論述了該SRAM模塊的版圖設(shè)計(jì)。4．最后，論文對(duì)所有的工作進(jìn)行了總結(jié)，并對(duì)SRAM技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了展望。本文所完成的SRAM模塊設(shè)計(jì)采用0．18IIXNCMOS工藝，采用綜合考慮芯片面積、速度和功耗要求的構(gòu)架，容量為1KX8BITS，I作頻率33MHZ，寫(xiě)入時(shí)間為L(zhǎng)LNS，讀出時(shí)間為17NS，平均動(dòng)態(tài)功耗為0．53MA、靜態(tài)功耗為210釁。關(guān)鍵詞深亞微米，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中圖分類(lèi)號(hào)TN4

簡(jiǎn)介：Y如2L二9‘援旦大學(xué)碩士學(xué)位論文專(zhuān)業(yè)學(xué)位學(xué)校代碼學(xué)號(hào)J02460430521360．13PMLOGIC工藝中光刻相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影響的研究院系微電子研究院專(zhuān)業(yè)姓名指導(dǎo)教師完成曰期電子與通信工程莊燕萍王季陶博導(dǎo)劉祥中處長(zhǎng)2006年9月30日O．13ML。GIC工藝中光玄6相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影晌的研究莊燕萍O．13UMLOGIC工藝中光刻相關(guān)參數(shù)對(duì)良率影響的研究摘要本課題圍繞實(shí)際工作中遇到的O．13微米LOGIC產(chǎn)品的良率問(wèn)題展開(kāi)。主要通過(guò)分析比較相位移掩膜工藝和傳統(tǒng)鉻膜工藝的優(yōu)缺點(diǎn)，找出可能導(dǎo)致產(chǎn)品良率低的主要因素。最后集中分析光阻膜厚與關(guān)鍵尺寸大小的關(guān)系圖。當(dāng)關(guān)鍵尺寸小到0．13微米以下時(shí)，前層圖形的影響對(duì)光阻膜厚的選擇至關(guān)重要，進(jìn)而對(duì)良率也有相應(yīng)的影響。課題過(guò)程中，針對(duì)光阻膜厚的選擇建立理論模型，并設(shè)計(jì)相關(guān)試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證，最后得到結(jié)論。課題研究過(guò)程中會(huì)用到一些與光刻相關(guān)的先進(jìn)機(jī)器設(shè)備和軟件。硬件方面包括光阻涂布和顯影機(jī)、掃描式曝光機(jī)、關(guān)鍵尺寸量測(cè)機(jī)、顯影后檢查硅片表面宏觀缺陷的機(jī)器、檢查硅片表面微觀缺陷的機(jī)器，等等；軟件方面包括設(shè)計(jì)尺寸的檢查軟件，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，等等。關(guān)鍵字良率相位移掩膜光阻顯影掃描式曝光光學(xué)鄰近效應(yīng)復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院電子與通信工程專(zhuān)業(yè)

簡(jiǎn)介：目錄摘要????????????????．???LABSTRACT．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．第一章緒論???????????????????31．1布局布線(xiàn)的發(fā)展????J???????????31．2課題研究背景????????????????41．3研究意義?????????????????．51．4論文主要內(nèi)容及架構(gòu)??????????????5第二章TSMC90NM標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)里特殊單元??????????．．72．1引言?????????????????．?．72．2門(mén)控時(shí)鐘單元????????????????72．3BLANCED時(shí)鐘單元???????????????92．4延時(shí)單元?????????????????112．5天線(xiàn)效應(yīng)修復(fù)單元?．?????????????122．5．1什么是天線(xiàn)效應(yīng)?????????????．122．5．2天線(xiàn)效應(yīng)機(jī)理?????????．????．．122．5．3天線(xiàn)效應(yīng)的分析?????????????．122．5．4天線(xiàn)效應(yīng)的產(chǎn)生分類(lèi)????????????132．5．5天線(xiàn)效應(yīng)的消除方法???????．．????．132．5．6天線(xiàn)修復(fù)標(biāo)準(zhǔn)單元????????????．．152．6去耦電容單元???????????????．．152．7TIEHIGH／TIE一10W單元?????????????15第三章數(shù)據(jù)準(zhǔn)備?????????????????．173．1PR所需的各種數(shù)據(jù)??????????????173．2CONFIGURE文件的準(zhǔn)備?????????????．18第四章布圖規(guī)劃和布局???．????????????204．1引言????．????????．．?．????204．2布圖規(guī)劃?????????????????204．2．1布圖規(guī)劃的內(nèi)容?????????????．2L4．3電源規(guī)劃???????????????．?．．234．3．1電壓降????????????????234．3．2電遷移?．．?．?????．???????．．257．6．2金屬侵蝕METALEROSION??????????．647．6．3WIRESPREADINGWIDENING?????????．．657．7可制造性設(shè)計(jì)總結(jié)??????????????．67第八章LAKERS項(xiàng)目PR介紹?????????????．．68第九章結(jié)束語(yǔ)??????????????????75參考文獻(xiàn)???????????????????．．77致{射?????????????????????79M

簡(jiǎn)介：目錄目MIMMIIIABSTRACTIV1前言I11射頻接收機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)概述112低功耗無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)介紹313DTVTUNER系統(tǒng)介紹314論文內(nèi)容的章節(jié)安排42混頻器性能指標(biāo)分析621轉(zhuǎn)換土曾益CONVERSIONGAIN622噪聲系數(shù)NOISEFIGURE823線(xiàn)性度LINEARITY10231有源混頻器開(kāi)關(guān)管的線(xiàn)性度分析11232深線(xiàn)性區(qū)開(kāi)關(guān)對(duì)線(xiàn)性度的分析324二階非線(xiàn)性失調(diào)和直流失調(diào)DCOFFSET14241器件的非線(xiàn)性和失配15242載波泄漏引起的二階線(xiàn)性失調(diào)15243直流失調(diào)的校正方法1625正交失配I/QMISMATCH1626有源混頻器和無(wú)源混頻器比較及其應(yīng)用172724GHZ接收機(jī)系統(tǒng)中混頻器性能指標(biāo)1828DTVTUNER系統(tǒng)中混頻器性能指標(biāo)193有源混頻器的設(shè)計(jì)2431GILBERT混頻器介紹及其設(shè)計(jì)2432本振緩沖器LOBUFFER電路的設(shè)計(jì)2633可變?cè)鲆婵刂频脑O(shè)計(jì)284無(wú)源餛頻器的電路設(shè)計(jì)3041無(wú)源混頻器電路系統(tǒng)架構(gòu)3042跨導(dǎo)級(jí)電路的設(shè)計(jì)3043開(kāi)關(guān)級(jí)電路設(shè)計(jì)3544負(fù)載級(jí)電路CLASSAB的設(shè)計(jì)3745無(wú)源混頻器性能指標(biāo)分析40451轉(zhuǎn)換增益分析40452熱噪聲分析404531斤噪聲分析4346線(xiàn)性度分析4447465電路實(shí)現(xiàn)、版圖設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果5251有源混頻器的整體電路實(shí)現(xiàn)5252無(wú)源混頻器的實(shí)現(xiàn)52521增益控制電阻電容陣列52522I/Q校正幅度控制53摘要混頻器在射頻接收機(jī)中起著連接射頻信號(hào)、中頻信號(hào)和載波信號(hào)的關(guān)鍵作用，不同系統(tǒng)的應(yīng)用對(duì)混頻器性能指標(biāo)的要求相差甚遠(yuǎn)。本文基于018UMCMOS,分別設(shè)計(jì)出應(yīng)用于24GHZ低功耗射頻收發(fā)機(jī)中的有源混頻器和應(yīng)用于DTVTUNER中高性能的無(wú)源混頻器。首先，介紹了不同的射頻接收機(jī)架構(gòu)特點(diǎn),著重分析了24GHZ低中頻架構(gòu)和DVBT通信協(xié)議下TVTIMER零中頻結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)特點(diǎn)。其次，詳細(xì)論述了有源混頻器和無(wú)源混頻器的性能指標(biāo)的分析方法，對(duì)比分析了兩種結(jié)構(gòu)的各自?xún)?yōu)缺點(diǎn)，并給出了本文設(shè)計(jì)的兩個(gè)接收機(jī)中混頻器架構(gòu)的選取原則。本文設(shè)計(jì)的低功耗有源混頻器采用傳統(tǒng)的GILBERT兩次變頻結(jié)構(gòu)，其中第一級(jí)變頻要求實(shí)現(xiàn)高增益以抑制后級(jí)噪聲，為了實(shí)現(xiàn)增益最大化，設(shè)計(jì)出一個(gè)類(lèi)似于射頻功率放大器結(jié)構(gòu)的本振BUFFER電路為其提供合適的L0信號(hào)。在TSMC018UM1P4MCMOS混合信號(hào)工藝下完成從電路到版圖的設(shè)計(jì)和仿真工作，兩級(jí)轉(zhuǎn)換增益為15DB，噪聲系數(shù)低于14DB,IIP3高于5DBM，功耗為27MW。無(wú)源混頻器的設(shè)計(jì)包括了跨導(dǎo)放大器、開(kāi)關(guān)對(duì)管、跨阻放大器及輔助模塊的電路設(shè)計(jì),著重探索并給出了提高線(xiàn)性度和降低噪聲系數(shù)的技術(shù)，同時(shí)提出了一種用來(lái)校正I/Q相位失配的技術(shù)。在TSMC018UM1P5MCMOS混合信號(hào)工藝下進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和仿真，射頻信號(hào)頻率范圍為50862MHZ，轉(zhuǎn)換增益達(dá)到17DB，雙邊帶噪聲系數(shù)在中頻頻段波動(dòng)在12DB左右，IIP3隨載波頻率的變化在13DBM左右，IIP2在50DBM以上，無(wú)相位校正時(shí)的鏡像抑制比約為40DB。本文設(shè)計(jì)的兩款混頻器均以達(dá)到系統(tǒng)應(yīng)用的要求，其中，24GHZ射頻收發(fā)機(jī)已經(jīng)交于代工廠(chǎng)流片，DTVTUNER全芯片將在6月份進(jìn)行流片，后續(xù)的測(cè)試和改版工作將陸續(xù)進(jìn)行。關(guān)鍵詞射頻接收機(jī)，有源混頻器，無(wú)源混頻器，噪聲系數(shù)，線(xiàn)性度中文分類(lèi)號(hào)TN92,TN47

簡(jiǎn)介：IMPLEMENTATIONOF40GBPSTXPCSIN018PMCMOSTECHNOLOGYATHESISSUBMITTEDTOSOUTHEASTUNIVERS時(shí)FORTHEDE鏟EEOFMASTEROFENGINEERINGBYLUJIAFENGVSUPERVISEDBYPROFHUQINGSHENGSCHOOLOFINF．OMATIONSCIENCEANDENGINEERINGSOUTLLEASTU11IVERSI夠MARCH2014摘要摘要2010年6月，IEEE對(duì)外宣布，IEEE802．3BA標(biāo)準(zhǔn)，即40／100GBPS以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)獲批，首個(gè)規(guī)范將同時(shí)使用兩種新的以太網(wǎng)速率。該標(biāo)準(zhǔn)組織稱(chēng)，這一標(biāo)準(zhǔn)將為新一波高速的以太網(wǎng)服務(wù)器連通性和核心交換產(chǎn)品鋪平發(fā)展之路。然而，這也給PCS的實(shí)現(xiàn)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。相對(duì)于IEEE802．3AE標(biāo)準(zhǔn)的LOGBPS的PCS，IEEE802．3BA標(biāo)準(zhǔn)的40GBPS的64B／66B編碼器的時(shí)鐘頻率需要提升4倍，使得在同一工藝，比如0．18斗MCMOS工藝下，編碼器的實(shí)現(xiàn)難度加大。除此之外，傳統(tǒng)的并行擾碼器的性能也需要改進(jìn)，以滿(mǎn)足40GBPS高數(shù)據(jù)率的要求。本文主要研究在O．18“MCMOS工藝下基于IEEE802．3BA標(biāo)準(zhǔn)的40GBPS發(fā)送端PCS的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。發(fā)送端PCS主要包含四個(gè)模塊，分別為64B／66B編碼器、擾碼器、塊分發(fā)器以及對(duì)齊標(biāo)志插入器。為了實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)率，對(duì)復(fù)雜的組合邏輯進(jìn)行了優(yōu)化，并采用了流水線(xiàn)技術(shù)。還通過(guò)將龐大的異或邏輯分割為較小的部分并插入寄存器，使傳統(tǒng)的并行擾碼器的工作速度得到很大的提升。通過(guò)精心設(shè)計(jì)的基于寄存器的塊分發(fā)器和變速箱則達(dá)到了節(jié)省資源、降低功耗的目的。對(duì)于因?qū)R標(biāo)志的插入而造成的數(shù)據(jù)率差異的補(bǔ)償，則通過(guò)周期性地刪除空閑控制字符來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外，為了方便芯片的測(cè)試，在芯片內(nèi)部還專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)了一個(gè)激勵(lì)器。最后，本文給出了芯片的測(cè)試方案。本設(shè)計(jì)已經(jīng)在O．18“MCMOS工藝下實(shí)現(xiàn)并流片，包括激勵(lì)電路和I／O焊盤(pán)在內(nèi)的整個(gè)芯片包括面積為1300“M1320¨M。后仿真結(jié)果顯示，在625ⅫZ的工作頻率下，電路功能正確，達(dá)到了40GBPS的數(shù)據(jù)率要求。關(guān)鍵字64B／66B，流水線(xiàn)，高速，發(fā)送端PCS

簡(jiǎn)介：東南大學(xué)碩士學(xué)位論文018ΜMCMOS工藝5GHZWLAN低噪聲放大器和LOWIF下變頻器姓名謝婷婷申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師王志功陳志恒20030301縫．1堡蘭翌竺竺塑2I王蘭魚(yú)翼墼鱉蘭莖叁鯊塑羔堡窒塑登，一摘要最I(lǐng)壓十年，網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線(xiàn)通信的迅貓發(fā)展極人地搬動(dòng)了社會(huì)的信息化進(jìn)程。一方面一各種落毖，包拳薹文字、鷲冀、聲音謄I鞫豫，廣泛遣通過(guò)網(wǎng)絡(luò)饞J{L}剄信息終端，闞終豹蚤種照務(wù)已滲透J{I【}稃行各業(yè)。另一方面，各種無(wú)線(xiàn)邋信技術(shù)的廣泛慮塒已經(jīng)健人類(lèi)擺脫了通信場(chǎng)所的限制，基本實(shí)現(xiàn)了隨對(duì)隨地通信的夢(mèng)想。為了適麻信息爆炸增長(zhǎng)對(duì)通信領(lǐng)域的更高要求，人{(lán)F1渴望將翊縫囂無(wú)線(xiàn)遂蘩的{冕點(diǎn)臺(tái)兩為一。其薅來(lái)滋，裁是AJ豹蜇栽終囊不囂妥遙過(guò)不溺糞刑的避接線(xiàn)米連接，而麓直接以無(wú)線(xiàn)方式、低成本摟入當(dāng)?shù)氐挠芯€(xiàn)網(wǎng)絡(luò)，實(shí)時(shí)地共事并交換各種信息資勰，無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)WLAN技術(shù)正是在這種背攝F產(chǎn)生的。零澡題采TL{{TSMC0．1S弘M黲CMOS』藝設(shè)詩(shī)碧實(shí)瑗援予IEEE802。11A5GHZWLAN系統(tǒng)的射頻接收機(jī)中的低噪聲放．人器LNA和低中頻”F燮,頻器DOWNCONVERTER。其中，LNA的主要功能是將犬線(xiàn)接收到的微弱信號(hào)在引入較低的噪聲的情況F進(jìn)行放大。輸入端要求實(shí)強(qiáng)弱敬瓣疆撬匹配。DOWNCONVERTER將LNA轅螯魏臻號(hào)譬奉蠶穰號(hào)∞淀撅產(chǎn)妻蔓繇中頻信號(hào)，要求噪聲低、線(xiàn)性度高并提供迸當(dāng)?shù)脑龊?。本論文第一章介蜊接收機(jī)的基本結(jié)構(gòu)及其性能參數(shù)。第三攀奔纓了集袋電路茲』藝渠遽，’1‘藝選器拳{設(shè)詩(shī)滾揮。第剛章介糾了LNA阻抗匹配的幾種結(jié)構(gòu)，在此蒸礎(chǔ)上確定了淵極電感反饋式绱構(gòu)。然．I亓對(duì)LNA的噪聲進(jìn)行了分析和優(yōu)化，給出了1乜路冉勺仿真結(jié)果。論文第五章蕾黨奔絹雯鼗器麓鏊零鞭瑾拳L，L靜不鞫瓣電蘧縫秘，SL入了差勢(shì)平簿GILBERT式結(jié)構(gòu)，通過(guò)對(duì)變頻器噪聲機(jī)理的分析，在原有的結(jié)構(gòu)上增加了電流注入模塊。最后給出了屯路的仿真結(jié)果和芯片趟片。籀A牽分紹蒼J幸赫測(cè)試。包據(jù)在背溯斌萃LL莖片測(cè)試，LNA豹瓣試結(jié)栗表明奄爨“L“作在4．7GHZ仃勺增黼為157DB，噪聲為25DB，1DB增益樂(lè)縮點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入功率為一96DBM，基本滿(mǎn)足指標(biāo)。變顏器的測(cè)試‘作已在進(jìn)行中?！娟P(guān)鍵詞】無(wú)線(xiàn)局域L姑JWLAN瓣頻接牧毒蔻較FRECEIVER低臻聲放大器疆A低中頻下變頻器LOWIFDOWNCONVERTERCMOS噪聲系數(shù)NF第3頁(yè)共82甄

簡(jiǎn)介：目錄要摘ABSTRACT，，二2引言3第一章緒論411射頻集成電路在無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)發(fā)展中的重要性412無(wú)線(xiàn)接收機(jī)的結(jié)構(gòu)，413工藝技術(shù)的選擇514藍(lán)牙技術(shù)，，，，，，，615CMOS射頻前端中的低噪聲放大器616論文的組織結(jié)構(gòu)8第二章射頻集成電路中的無(wú)源元件921電阻，922電容1023電感N第三章有源器件MOSFET1631二階效應(yīng)1632短溝道效應(yīng)1733高頻小信號(hào)模型，19第四章低噪聲放大器的噪聲2141器件噪聲2142二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲理論，2343LNA噪聲系數(shù)的計(jì)算2744本章小結(jié)29第五章CMOS射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)3051MOSFETLNA的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)3052功耗限制下的噪聲優(yōu)化3453低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真，3654本章小結(jié)38第六章低噪聲放大器的版圖設(shè)計(jì)，40摘要無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和CMOS工藝的迅猛發(fā)展使得基于CMOS工藝的射頻集成電路設(shè)計(jì)成為當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。本文針對(duì)射頻接收機(jī)中的關(guān)鍵模塊一低噪聲放大器進(jìn)行了設(shè)計(jì)。作為無(wú)線(xiàn)接收機(jī)中的第一級(jí)，低噪聲放大器必須具有低的噪聲系數(shù)，同時(shí)還要有足夠的線(xiàn)性度、合適的增益、輸入輸出的阻抗匹配和低的功耗。這些指標(biāo)之間是緊密聯(lián)系的，如何折衷考慮并根據(jù)系統(tǒng)要求優(yōu)化處理是LNA設(shè)計(jì)的難點(diǎn)。本文基于TSMCO18UMCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用在24GHZBLUETOOTH射頻前端中的低噪聲放大器。主要內(nèi)容有首先對(duì)集成電路中的基本元件一電阻、電容、電感和MOSFET進(jìn)行了討論分析，并著重分析了MOSFET的物理特性。其次，從經(jīng)典的二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲理論出發(fā)，在對(duì)MOSFET噪聲的分析的基礎(chǔ)上，分析了LNA的噪聲。然后，對(duì)低噪聲放大器的四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行分析比較，選擇了噪聲系數(shù)最小的源極電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)。基于LNA折衷設(shè)計(jì)的考慮，本文還討論了功耗約束下的噪聲優(yōu)化技術(shù)，并以此來(lái)實(shí)現(xiàn)LNA的電路設(shè)計(jì)。同時(shí)，為了完善LNA的整體性能，本文在電感源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了具有高隔離度的CASCODE結(jié)構(gòu)和高線(xiàn)性度的差分結(jié)構(gòu)，并對(duì)最終的電路進(jìn)行了仿真，得到的仿真結(jié)果滿(mǎn)足系統(tǒng)要求。最后，介紹了在射頻電路版圖設(shè)計(jì)中需要特別注意的寄生、匹配、噪聲隔離等問(wèn)題，并給出了解決這些問(wèn)題的方法和原則，在此基礎(chǔ)上完成了LNA的版圖設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞CMOS射頻集成電路低噪聲放大器版圖中圖分類(lèi)號(hào)TN4

簡(jiǎn)介：學(xué)校代JF【5Q28魚(yú)分炎號(hào)盟㈣刪78密級(jí)堡壁教樅艫乏砷與T闊DUDC魚(yú)213§學(xué)號(hào)13Q2旦3隸甸大◆崇工程碩士學(xué)位論文013LJLMBICMOS工藝超高速光接收機(jī)前端放大器電路設(shè)計(jì)學(xué)位論文形式應(yīng)用研究研究生姓名導(dǎo)師姓名申請(qǐng)學(xué)位類(lèi)別王猩亟±學(xué)位授予單位壅蜜太堂工程領(lǐng)域名稱(chēng)皇王與通信王猩論文答辯日期至Q魚(yú)生Q至旦至至旦研究方向皇整皇丕縫學(xué)位授予日期至Q生旦旦答辯委員會(huì)主席。么經(jīng)紅評(píng)I蒯人一黃斌高I2016年02月29日東南大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果，也不包含為獲得東南大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作了明確的說(shuō)明并表示了謝意。研究生簽名玄塑日期東南大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)聲明東南大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所、國(guó)家圖書(shū)館有權(quán)保留本人所送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子文檔，可以采用影印、縮印或其他復(fù)制手段保存論文。本人電子文檔的內(nèi)容和紙質(zhì)論文的內(nèi)容相一致。除在保密期內(nèi)的保密論文外，允許論文被查閱和借閱，可以公布包括以電子信息形式刊登論文的全部?jī)?nèi)容或中、英文摘要等部分內(nèi)容。論文的公布包括以電子信息形式刊登授權(quán)東南大學(xué)研究生院辦理。研究生簽名盔縊導(dǎo)師簽名期

簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文018UMCMOS圖像傳感器失效分析及工藝優(yōu)化姓名朱瑾申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)電子與通信工程指導(dǎo)教師鮑敏杭20070522ABSTRACTWHENINFORMATIONAGECAME，CMOSIMAGESENSORSAREBEINGUTILIZEDINMANYINDUSTRIALANDCONSUMERSECTORS，SUCHASCELLPHONES，PEMONALDIGITALASSISTANTS，CONSUMERANDINDUSTRIALDIGITALCAMERAS．CMOSIMAGESENSORSUSETHEMATERIALSANDTECHNOLOGYOFCMOSSILICONCHIPFABRICATIONTOCREATEPHOTOSENSITIVEDEVICESTHATCAPTUREANDPROCESSOPTICALIMAGESWITHASINGLEINTEGRATEDCHIP．COMPARINGTOCHARGECOUPLEDEVICECCD，THEADVANTAGESOFCMOSIMAGERSARELOWSUPPLYVORAGEANDPOWERCONSUMPTION，RANDOMACCESSOFIMAGEDATA，LOWCOST，ANDCOMPATIBILITYWITHCMOSTECHNOLOGIES．THERESEARCHFORTHETHESISISONECMOSIMAGESENSOROF30MILLIONPIXELSVGA640X480，WHICHUSES0．1即MCMOSPROCESS．THISPAPERINCLUDESCMOSIMAGESENSOR’SDEVELOPMENT，STRUCTUREANDDEVICEPRINCIPLE，0．1即MPROCESSSETUP．THEKEYFORTHEPAPERISTHEMAINFAILUREMODESWHICHAPPEAREDINMASSPRODUCTION，HOWTOFINDOUTTHEROOTCAUSEOFFAILUREANDTHESOLUTIONFORYIELDIMPROVEMENT．INTHEMASSPRODUCTIONOFCMOSIMAGESENSOR，WEHAVEFACEDTOFOURFAILUREMODESBYSHOTISSUE，CENTERISSUE，LINESHAPEISSUEANDEDGEISSUE．WEUSEDSOMETECHNOLOGIESTOFINDOUTTHEROOTCAUSE，SUCHASINLINEDATAMONITOR,PHYSICALFAILUREANALYSIS，DATASTATISTICANALYSISANDSOLUTIONLOTVERIFICATION．THENWEFOUNDOUTTHEROOTCAUSEOFEVERYFAILUREMODEFORBYSHOTISSUE，ITRELATEDTOPHOTOANDIMPLANTSTEP．CENTERISSUEISCAUSEDBYNOTENOUGHCONTACTETCHTIME．ULTRASONICINWETCLEANSTEP，WHICHINDUCEDSILICONMECHANICALDAMAGE，CAUSEDLINESHAPEISSUE．EDGEISSUEISCAUSEDBYLOWERREFRACTIVEINDEX．AFTERPROCESSPARAMETEROPTIMIZATION，WEHAVEGOTGOODYIELDFORCMOSIMAGESENSORANDITISGOODLESSONLEARNFORTHEFABRICATIONOFADVANCEDCMOSIMAGESENSORKEYWORDIMAGESENSOR，CMOS，CCD，YIELDCLASSIFICATIONCODETN42

簡(jiǎn)介：天津大學(xué)碩士學(xué)位論文015UM工藝光刻制程中的關(guān)鍵技術(shù)姓名劉偉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)集成電路制造指導(dǎo)教師趙毅強(qiáng)；張書(shū)慶201112ABSTI淑TINTHERECENTTWENTYYEARS，ICTECHNOLOGYMADEAHUGEPROGRESS．THEINTEGRATIONKEEPONINCREASINGFOLLOWINGMOORE’S1AWTHENUMBEROFTRANSISTORSTHATCANBEPLACEDINEXPENSIVELYONANINTEGRATEDCIRCUITDOUBLESAPPROXIMATELYEVERYTWOYEARSOR18MONTHS．WITHTHEINTEGRATIONTURNSHIGHERANDHIGHER,LITHOGRAPHYMEETSMOREANDMORETROUBLE．SUCHASTHEOPTICALPARAMETERSERING，THEFILMFLATNESS，THEREFLECTED1IGHTANDRESISTTHICKNESSUNIFORMITY,WHICHHAVEDIRECTRELATIONSHIPWITHTHESUCCESSFULIMAGETRANSFER．THISPAPERINTRADUCESTHEBASICLITHOGRAPHYPROCESS，INCLUDINGRESISTCOATING，EXPOSURE．DEVELOPER,OVERLAYANDCRITICALDEMETIONINLINECHECK．、黼HTHETRADITIONALOPTICAL．248NMKRFSCANNERCANGETTHEBESTCDWHICHIS0．18URNONLY．SOIFWANTTOMAKEAO．15UNCDPOSSIBLE，MOREAUXILIARYTECHNOLOGYISREQUIRED．THISPAPERALSOINTRODUCESTHETECHNOLOGYSUCHASTHEOALWHICHCANIMPROVERESOLUTION．PSMWHICHCANIMPROVETHECONTRAST．OPCTHATCANIMPROVEICRELIABILITY,BARCRESISTWHICHISUSEDTOREDUCETHEREFLECTION．BECAUSEOFTHEIMPACTOFWAFERSURFACEEMISSIVITYANDFLATNESSBYEACHPROCESSOFTHEWHOLEFLOW,THELITHOGRAPHYPROCESSWINDOWISNARROW．THEWAFERALWAYERSU髓RLOWYIELDISSUE，ESPECIALLYATWAFEREDGEWHICHCAUSEDBYTHEFILMFLATNESSGAP．ITISTHEFIRSTKILLEROFYIELDANDHARDTOBESOLVED．THISPAPERTAKESAPRODUCTIONWHICHSUFFERWAFEREDGELOWYIELDASEXAMPLE，AFTERDOINGFAILUREANALYSISINDETAILUSINGIVCUREANDOBIRCH，STUDYINGTHEMETHODOFDETECTINGSURFACEFLATNESSANDTHESMSCOMPENSATIONARITHMETICDEEPLY,GETAEFFICIENTWAFEREDGEDEFOCUSSOLUTIONWHICHIMPROVEYIELDMUCH．KEYWORDSDEFOCUS，OAI，PSM，OPC，F(xiàn)OCUS

簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文018UMSIGEBICMOS工藝與器件的若干研究姓名王灼平申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專(zhuān)業(yè)集成電路工程指導(dǎo)教師阮剛20091001ABSTRACTAFTER1980S，SILICONBIPOLARTECHNOLOGIESBECAMEMATUREANDDEVICECUTOFFFREQUENCYFTHZREACHED30GHZ，ECLGATEDELAYDECREASEDTO20TO30PS．INTHELATE1990S，SIGEBICMOSHBTCMOSTECHNOLOGYEMERGEDFROMRESEARCHLABANDSPREADRAPLDLYINTOMASSL’。一一一‘一?！瘛灰籔RODUCTIONASTHEMAINSTREAML訊BICMOSTECHNOLOGY．THEWORKINCLUDEDINTHISTHESISAREDIVIDEDINTOFOURASPECTS1．INTHESECONDCHAPTER，THEORETICALANALYSISONSEMICONDUCTORDEVICEPHYSICS，TWOKINDSOFCURCUITMECHANISMS，PNJUCTIONBANDDIAGRAM，ANDSIBJTBASISAREDESCRIBED．SIGEHBTTRANSISTORELECTRICALPERFORMANCEIMPROVEMENTFROMSIBJTDUETOBANDGAPNARROWINGISALSOEXPLAINED．0NTHEOTHERHAND，MOSDEVICEOPERATIONMECHANISMISDISCUSSEDINTHELATERPARTOFCHAPTER2WITHMATHMATICALCALCULATIONOFTHRESHOLDVOLTAGEANDCIRCUITVOLTAGECHARACTERISTICS．2．HIGHFREQUENCYDEVICEAPPLICATIONMARKETISANALYSIZEDINCHAPTER3，THEAPPLICATIONSPLITSINTOSEVERALPARTS，WLAN，RFID，GSMANDWCDMA．SIGEHBTDEVICEAPPLICATIONISFIRSTLYANALYSIZEDANDITSPERFORMANCEADVANTAGESOVERCMOSISALSOADRESSED．3．CHAPTER4ANDCHAPTER5FOCUSONTHESIONLYBICMOSPROCESSDEVELOPMENT．PROCESSFLOWWASBUILTUPBASEDONEXISTING0．18URNCMOSNMOSPMOSTECHNOLOGY．AFTERDEVICELAYOUTDESIGN，DEVICESIMULATIONANDOPTIMIZATION，SIBJTWASFABRICATEDINGSMCFAB，ITSDCCHARACTERISTICSWERETESTED，ANDRESULTSWEREFEEDBACKEDTOPROCESSENGINEERINGFORFURTHEROPTIMIZATION．4．CHAPTER6ANDCHAPTER7DEALWITHNEWSIGEBICMOSTECHNOLOGYDEVELOPMENTBASEDON0．18UMSIONLYBICMOSTECHNOLOGY．INSIGEHBTDEVICELAYOUTDESIGN，EXTRALAYERSFORSIGEHBTWASADDED．AFTERMM

簡(jiǎn)介：上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文013微米銅互連工藝鼓包狀缺陷問(wèn)題的解決碩士研究生張嘉學(xué)號(hào)1102102063導(dǎo)師朱亦鳴教授副導(dǎo)師董天化申請(qǐng)學(xué)位工程碩士學(xué)科集成電路工程所在單位微電子學(xué)院答辯日期2013年5月授予學(xué)位單位上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明所呈交的學(xué)位論文013微米銅互連工藝鼓包狀缺陷問(wèn)題的解決，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名

簡(jiǎn)介：954668棋旦大擎碩士學(xué)位論文專(zhuān)業(yè)學(xué)位0．13微米FLASHMEMORY中刻蝕工藝研究院系所信息科學(xué)與工程學(xué)院專(zhuān)業(yè)電子與通信工程姓名張瑜指導(dǎo)教師黃宜平教授完成日期2006年4月15EJ●●ABSTRACTETCHINGISONEOFTHEMOSTIMPORTANTPROCESSESDURINGSEMICONDUCTORMANUFACTURE．THESCOPEOFTHISPAPERISTOILLUSTRATE3SOLUTIONSOFTHEYIELDIMPROVEMENTANDPRODUCTIONCOSTREDUCUONFORONEO．13TIMTECHNOLOGYFLASHMEMOIYBYMYPARTICIPATINGTHEDEVELOPMENTANDSTUDYFORETCHPROCESSTHEMAJORCONTRIBUTIONSARELISTEDASFOLLOW1．SOMELOTSFAILED誦血IIIGHERSOURCELINERESISTANCEDURINGELECTRICALTESTINGANDCANSEDIOWVIELD．ALTERINVESTIGATION，WEFOMADROOTCAUSEOFHJ【GHERSOURCELINERESISTANCEFAILUREISMAINLYDUETO吐LELOADINGEFFECTOFTHEPRODUCTONTHESELFALIGNEDSOURCEETCHLEVEL．THEDIFFEFENCEBETWEENMEDI腩RENTDENSITYANDRETICLETRANSMISSIONOFVARIOUSPRODUCTSAFFECTEDTHEETCHRATEOFINDIVIDUALPRODUCTSHERLCETHESELFALIGNEDSOURCEETCHRECIPENEEDSTOBEOPTNMZEDBYUSMGLOWPOWERCONDMON．HOWEVER,THELOWPOWERRECIPEPRESENTSSOMEPROCESSREPEATABILITYCONCERNSDUETOTHEINSTABILITYOFPLASMA．TWOSOLUTIONSAREIMPLEMENTEDADDITIONOFRAMPDOWNSTEDANDWAFERAREAPRESSURECONTR01．2．“CONTACTOPEN’’AND‘‘CONTACTTOPOLYSHOF’WEREFOTMDAFTERFAILUREANALYSIS．TOIMPMVEYIELDANDREDUCETHECOSTOFOWNERSHIP，ACONTACTETCHRECIPEWITHIN．SITUASIA,SOCALLEDMODULARCONTACTETCH．HASBEENDEVELOPED．BYCOMPARISONWITHCONVENTIONALCONTACTETCH，NEWMETHODHASBETTERCDUNIFORMITYANDGOODRE．ALSO，MODULARCORRACTETCHHASSL【IPPEDPLASMAASHANDREDUCEDSOLVENTCONSUMPTION，THEMFOREMODULARETCHHASMUCHBETTERCOSTOFPRODUCTION．3．INBEOLPROCCAS，INORDERTOACHIEVINGCORROSIONFLEE，ANEWETCMNGPROCESSGASCZH,WASIMPLEMENTED，AFTERTHATWEDIDALOTOFSTUDYFORNEWCONCEPTIMPLEMENTATIONINNEWPROCESS．BYCOWORKINGWITHEQUIPMENTENGINEER,WEMADESTRIPPERCHAMBERGASINLETRETROFIT．ALSO，WEOPTIMIZEDTHEINCOMINGPHOTORESISTTHICKNESSBASINGONRT．FINALLYWEGOTQUITEA南WGAINBESIDESCOITOSIONFREE．

簡(jiǎn)介：復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文目錄摘要??????????????????????????????1ABSTRACT．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2第一章緒論????????????????????????????．．31．1本文研究的課題和背景?????????????????????????31．2論文的主要貢獻(xiàn)????????????????????????????61．3論文的主要結(jié)構(gòu)????????????????????????????7第二章EEPROM存儲(chǔ)陣列工作原理???????????????????．82．1存儲(chǔ)器介紹??????????????????????????????82．1．1存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)介紹????????????????????????82．1．2陣列結(jié)構(gòu)介紹?????????????????????????一102．2EEPROM讀、寫(xiě)、擦除工作原理????????????????????．1L2．2．1EEPROM讀取工作原理?????????????????????．．122．2．2EEPROM寫(xiě)入工作原理?????????????????????．．122．23EEPROM擦除工作原理?????????????????????．．122．3EEPROM存儲(chǔ)陣列整體工作原理????????????????????．132．4I2C串行通訊方式簡(jiǎn)介?????????????????????????132．5本章小結(jié)??????????????????????????????．15第三章EEPROM外圍電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)?????????????????．．163．1EEPROM整體功能設(shè)計(jì)????????????????????????．163．2各功能模塊電路設(shè)計(jì)?????????????????????????．183．2．1XⅣ方向地址譯碼????????????????????????183．2．2高壓產(chǎn)生模塊??????????????????????????193．2．3READOUT模塊??????????????????????????????．203．2．4數(shù)字邏輯???????????????????????????一223．2．5BYTE譯碼????????????????????????????233．2．6環(huán)形振蕩器??????????????????????????一243．2．7INTERFACE模塊??????????????????????????????????．．243．2．8PAD???．．．．．．．．．．．．．．．．．．??．??．?．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．???????．．．．．．．．．．．．．．．．．．?．．??243．3本章小結(jié)??????????????????????????????．24第四章EEPROM版圖設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)???????????????????．．254．1版圖設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介????????????????????????????．254．2EEPROM整體FLOORPLAN????????????????????????．264．2．1模塊分布???????????????????????????．．274．2．2走線(xiàn)分布???????????????????????????．．274．3幾個(gè)主要模塊版圖設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)??????????????????????．284．3．1EEPROM存儲(chǔ)陣列???????????????????????．．284．3．2X／Y方向地址譯碼????????????????????????304．3．3高壓產(chǎn)生模塊?????????????????????????一314．3．4READOUT．．．．．．．．．．．．?????．??．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．???．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．????．?．．．．．．．．．．．．324．3．5數(shù)字邏輯模塊?????????????????????????．．32摘要進(jìn)入21世紀(jì)后，信息技術(shù)的高速發(fā)展帶動(dòng)了更大的經(jīng)濟(jì)熱潮，而芯片產(chǎn)業(yè)與計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)業(yè)作為知識(shí)經(jīng)濟(jì)的兩大重要特征產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)成為了衡量一個(gè)國(guó)家綜合國(guó)力的重要標(biāo)志之一。自1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室中第一個(gè)晶體管的發(fā)明，讓世界技術(shù)步入了微電子時(shí)代，而集成電路作為微電子技術(shù)的核心，在近20年間更是突飛猛進(jìn)。其中電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEREADONLYMEMORY,簡(jiǎn)稱(chēng)EEPROM作為最重要的MOS存儲(chǔ)器之一，其發(fā)展歷程更可視為整個(gè)IC界的縮影。本文所設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)的是一款32KBIT4KBYTE，基于GLOBALFOUNDRIES半導(dǎo)體代工廠(chǎng)中0．139MEEPROM光刻工藝技術(shù)的EEPROM，其通信方式為12C串行通信方式，采用三鋁雙多晶雙阱CMOS工藝制造。該芯片己于2012年05月在GLOBALFOUNDRIES工廠(chǎng)實(shí)施流片，并于07月進(jìn)行封裝測(cè)試，整體功能測(cè)試通過(guò)檢驗(yàn)。本文中首先介紹了EEPROM的工作原理，包括基本存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，陣列存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)，陣列讀、寫(xiě)、擦的工作原理，以及12C串行通信的工作原理及其相對(duì)于傳統(tǒng)并行通信方式的優(yōu)勢(shì)。其次根據(jù)EEPROM的整體功能要求設(shè)計(jì)各個(gè)模塊的電路，包括X／Y方向地址譯碼、高壓產(chǎn)生模塊、靈敏放大器、數(shù)字邏輯、環(huán)形振蕩器等，并對(duì)整體電路做了集成設(shè)計(jì)。最后是對(duì)版圖的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)及優(yōu)化，按照完成的電路設(shè)計(jì)，最終完成可生產(chǎn)的芯片版圖，并利用各種常規(guī)驗(yàn)證及多項(xiàng)可靠性驗(yàn)證對(duì)版圖進(jìn)行優(yōu)化，達(dá)到可生產(chǎn)流片的目的。關(guān)鍵詞EEPROM0．13肛M存儲(chǔ)陣列12C版圖設(shè)計(jì)可靠性?xún)?yōu)化中圖分類(lèi)號(hào)TN4

簡(jiǎn)介：目錄摘要ABSTRACT。。，2第一章引言3第一節(jié)集成電路光刻技術(shù)概述第二節(jié)光刻技術(shù)在集成電路中的作用第三節(jié)光刻工藝的重要參數(shù)9第四節(jié)本文研究的主要內(nèi)容和方向10第二章013林M工藝平臺(tái)黃光工藝介紹12第一節(jié)光刻設(shè)備介紹12第二節(jié)光刻工藝流程介紹19第三節(jié)光刻工藝的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)30第四節(jié)小結(jié)33第三章013協(xié)M顯影工藝的優(yōu)化4第一節(jié)顯影的化學(xué)組分和顯影的微觀過(guò)程4第二節(jié)顯影工藝的顯影噴嘴DEVNOZZLE的改善36第三節(jié)工藝條件相關(guān)參數(shù)方面優(yōu)化6第四節(jié)小結(jié)O第四章分辨率增強(qiáng)技術(shù)1第一節(jié)PSM印HASESHIFTMASK的應(yīng)用51第二節(jié)光學(xué)鄰近修正53第三節(jié)偏軸光源光刻5第四節(jié)抗反射涂布6第五節(jié)小結(jié)8第五章結(jié)論，9參考文獻(xiàn)60致謝61ABSTRAETWITHTHEINEREASINGLYDEVELOPFNENTOFTHEICPROEESS，THEKEYSTRUETUREOFIC15BEEOMINGSMALLERANDSMALLERTHESEMIEONDUETORICSFOLLOWTHEROADMAPTHATREQUIRESSMALLVOLUMEHIGHIN七ENSITYHIGHSPEEDANDLOWPOWERDISSIPATIONNOWADAYSICHASENTEREDTHEULTRALARGESEMIEONDUETORINTEGRATEDEIREUITSWHIEHBRINGSTEEHNIQUEPHASEFROMSUB一MIEROFNETERTODEEPSUB一MIEROMETERFORTHEPERFORMANEEANDRELIABILITYOFTHEICIMPROVEMENT，THEPROEESSOFTHE工CSHOULDBEHIGHLYREQUESTEDSURELY，ASTHEKEYSTEPOFTHEICMANUFAETUREPROEESSTHELITHOGRAPH15FAEINGTHEGIANTEHALLENGEWHIEH15NOTO門(mén)LYTHESOLUTIONTOOVEREOMETHETEEHNIQUEISSUEBUTALSOTHEAMOUN七5OFMONEYFOREQUIPMENTUPDATE50THERE15ANEWSUBJEETTHATHOWTOREAEHTHEPROEESS七ARGETWITHOUTTHEPROEESSEQUIPMENTUPDATETHEMAINSOLUTION15THATMODIFIEATIONOFTHEHARDWAREANDOPTIMIZATIONOFTHEPROEESSEONDITIONESPEEIALLY七HEMAINSTREAMMANUFAETORYLINEINLANDARE8INEHTEEHNIQUESTHATAREFAEINGTHETEEHNIQUELEVELFROM035協(xié)MTO011PM，THEISSUEHASMOREREALISTIEMEANINGTHETHESISINTRODUEETHEREGULARRETRESOLUTIONENHANEEMENTTEEHNOLOGY，THROPGHANALYSISANDEOMPARETHEM，SUEHASPSMOPCOAIANDARCMEANWHILETHETHESISTHROUGHTHESTUDYOFEXPERIMENTDATAOFTHEDEVELOP，TRYTOEOVERTHEISSUEOFTHENEWPROEESSSTAGEREQUIREMENTBYNOZZLETIPIMPROVEMENTANDREEIPEOPTIMIZEINTHEEND，WEGETTHEEONELUSIONTHATTHEEOMBINATIONOFLDNOZZLEANDDOUBLESEANREEIPE15THEBESTSOLUTIONTOOVEREOMETHEQ且ESTIONWEALSOGETMANYPROEESSFAETORSTHATEANKEEPPROEESGSTABLEANDEONTROLABLE，F(xiàn)O丫THENEEDOF013PMPROEESSREQUIREMENTANDPSEFORTHEPRODPE七M(jìn)ANUFAE七UREKE妞ORDSSEMIEONDUETPROEESSLITHOGRAPHYDEVELOP013PMCLASSIFIEATIONCODETN4